红外与毫米波学报, 2001, 20 (2): 157, 网络出版: 2006-05-10   

透射式GaAs(Cs,O)光电阴极稳定性的研究

STABILITY OF TRANSMISSION Mode GaAs(Cs,O) Photocathodes
作者单位
1 西安交通大学电信学院电子工程系,陕西,西安,710049
2 西安交通大学电信学院电子工程系, 陕西,西安,710049
3 西安应用光学研究所,陕西,西安,710100
引用该论文

闫金良, 朱长纯, 向世明. 透射式GaAs(Cs,O)光电阴极稳定性的研究[J]. 红外与毫米波学报, 2001, 20(2): 157.

闫金良, 朱长纯, 向世明. STABILITY OF TRANSMISSION Mode GaAs(Cs,O) Photocathodes[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2001, 20(2): 157.

参考文献

[1] Allen G A.Calculations on the performance of GaAs photocathodes,Acta Electronica,1973,16(3): 229—236

[2] Rodway D C.Allenson M B.In situ surface study of the activating layer on GaAs(Cs,O) photocathodes,J.Phys.D:Appl.Phys.,1986,19(7): 1353—1371

[3] Yao M M. The state of Cs on negative electron affinity surfaces,Applied Surface Science,1988,33/34: 364

[4] GUO Tai-Liang,GAO Huai-Rong. Photoemission stability of negative electron affinity GaAs photocathodes,SPIE,1993,1982: 127—131

[5] YAN Jin-Liang, XIANG Shi-Ming.Studies of glass-bonded GaAs transmission photocathode by double crystal x-ray diffraction, Chinese Journal of Semiconductors (闫金良,向世明.透射式GaAs 阴极粘贴工艺的x射线双晶衍射研究,半导体学报),1998,19(9):678

[6] Naoi Y, Ito K,Ueharo Y,et al. Very high resolution photoelectron spectra of NEA GaAs, Surface Science,1993,283(1/2): 457—461

[7] Bernard Goldstein, Daniel Szostak. Different bonding states of Cs and O on highly photoemissive GaAs by flashdesorption experiments,Applied Physics Letters,1975,26(3): 111—112

[8] Richard J C, Roaux E.Low light level imaging tube with GaAs photocathode,Vacuum,1980,30(11/12): 549—550

闫金良, 朱长纯, 向世明. 透射式GaAs(Cs,O)光电阴极稳定性的研究[J]. 红外与毫米波学报, 2001, 20(2): 157. 闫金良, 朱长纯, 向世明. STABILITY OF TRANSMISSION Mode GaAs(Cs,O) Photocathodes[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2001, 20(2): 157.

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