激光与光电子学进展, 1995, 32 (12): 13, 网络出版: 2007-08-17
用原子层外延选择生长法制造GaAs/GaAsP矩形量子线结构
摘要
Abstract
赵伯林, 林礼煌. 用原子层外延选择生长法制造GaAs/GaAsP矩形量子线结构[J]. 激光与光电子学进展, 1995, 32(12): 13. 赵伯林, 林礼煌. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 1995, 32(12): 13.
赵伯林, 林礼煌. 用原子层外延选择生长法制造GaAs/GaAsP矩形量子线结构[J]. 激光与光电子学进展, 1995, 32(12): 13. 赵伯林, 林礼煌. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 1995, 32(12): 13.
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