中国光学, 2011, 4 (3): 305, 网络出版: 2011-07-04   

780 nm半导体激光器稳频的比较

Comparison of frequency locking of 780 nm diode laser via rubidium saturated absorption and polarization spectroscopies
作者单位
山西大学光电研究所 量子光学与光量子器件国家重点实验室,山西 太原 030006
基本信息
DOI: --
中图分类号: O431.2;TN248.4
栏目: 激光技术
项目基金: 国家自然科学基金资助项目(No.61078051,60978017,10974125)、国家自然科学基金创新群体项目(No.60821004)、教育部新世纪优秀人才支持计划项目(No.NCET-07-0524)
收稿日期: 2011-02-12
修改稿日期: 2011-04-23
网络出版日期: 2011-07-04
通讯作者: 王杰 (wangjie605@126.com)
备注: --

王杰, 高静, 杨保东, 张天才, 王军民. 780 nm半导体激光器稳频的比较[J]. 中国光学, 2011, 4(3): 305. WANG Jie, GAO Jing, YANG Bao-dong, ZHANG Tian-cai, WANG Jun-min. Comparison of frequency locking of 780 nm diode laser via rubidium saturated absorption and polarization spectroscopies[J]. Chinese Optics, 2011, 4(3): 305.

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