中国激光, 2012, 39 (10): 1002003, 网络出版: 2012-09-10   

基于载流子注入产热机制的半导体激光器热模型分析

Analysis of the Thermal Model Based on the Carrier Injection Mechanisms within the Semiconductor Laser
作者单位
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室, 吉林 长春 130033
2 中国科学院研究生院, 北京 100049
基本信息
DOI: 10.3788/cjl201239.1002003
中图分类号: TN248.4
栏目: 激光物理
项目基金: 国家自然科学基金(60876036,10974012,11074247,60876036,61106047)和国家自然科学基金重点项目(90923037)资助课题。
收稿日期: 2012-04-26
修改稿日期: 2012-06-26
网络出版日期: 2012-09-10
通讯作者: 张建伟 (zcjw1985@126.com)
备注: --

张建伟, 宁永强, 张星, 张建, 刘云, 秦莉, 王立军. 基于载流子注入产热机制的半导体激光器热模型分析[J]. 中国激光, 2012, 39(10): 1002003. Zhang Jianwei, Ning Yongqiang, Zhang Xing, Zhang Jian, Liu Yun, Qin Li, Wang Lijun. Analysis of the Thermal Model Based on the Carrier Injection Mechanisms within the Semiconductor Laser[J]. Chinese Journal of Lasers, 2012, 39(10): 1002003.

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