为了制备大功率、单横模输出的量子点激光器，对有源多模干涉波导结构进行了研究。通过优化器件结构设计，采用1×1型有源多模干涉波导结构，以均匀多层InAs/InGaAs/GaAs量子点材料作为有源区，制备了1.3μm波段的有源多模干涉结构量子点激光器。连续电流注入条件下的测试结果表明，与传统的均匀波导结构器件相比，有源多模干涉结构器件具有更低的串联电阻和更好的散热性能; 在连续电流为0.5A的小注入情况下，器件的输出功率可达114mW、中心波长为1332nm。结果表明，有源多模干涉结构器件是制备大功率、单横模输出光发射器件的一种有效的器件结构。
激光器 量子点 单横模 有源多模干涉 lasers quantum dot single transverse mode active multimode interferometer
1 暨南大学光电信息与传感技术广东省普通高校重点实验室, 广东 广州 510632
2 暨南大学光电工程系, 广东 广州 510632
3 广东省半导体照明产业联合创新中心, 广东 佛山 510033
为了提高InGaN超辐射发光二极管(SLED)的输出功率，采用有源多模干涉器(Active-MMI)作为管芯结构制作了Active-MMI SLED。由于有源区注入电流抽运面积的增加，提高了器件的增益饱和水平。实验结果表明，Active-MMI SLED的最大输出功率达到了47 mW,光谱较宽而又平坦(3 dB带宽20 nm)。此外，器件即使在最大输出功率下，仍然保持着稳定的单模输出。
光学器件 超辐射发光二极管 有源多模干涉器 高功率
