刘宇 1,*谢亮 1袁海庆 1张家宝 1[ ... ]罗毅 2
作者单位
摘要
1 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
2 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室,北京 100084
在高速光电子器件的微波封装过程中,需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用,成功实现了10 Gb/s电吸收调制激光器(EML)的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比,器件的反射参数和传输参数有所改善,3 dB带宽达到10 GHz;并进行了10 Gb/s速率的光纤传输实验,经过40 km光纤传输后通道代价不到1 dBm(误码率为10-12),满足10 Gb/s长距离光纤传输系统的要求。
光电子学 电吸收调制器 微波封装 频率响应 
中国激光
2005, 32(11): 1495

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