作者单位
摘要
1 天津大学精密仪器与光电子工程学院,教育部光电子信息工程实验室,天津 300072
2 河北工业大学电气信息学院,天津 300130
3 北京工业大学电子工程学系,北京市光电子技术室,北京 100022
应用腔量子电动力学和半导体物理学讨论了半导体垂直腔面发射激光器的微腔效应,得到了实际腔结构和注入载流子下的半导体垂直腔面发射激光器的自发发射谱,计算结果表明,半导体分布布拉格反射垂直腔激光器的单方向自发发射可以增强约200倍。
半导体垂直腔面发射激光器 自发发射 金属反射镜 分布布拉格反射镜。 
光学学报
2000, 20(5): 592

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