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InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究
[摘要]报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68 mA)存在,在一定的电流(14 mA)范围内保持单模可调谐。在20...
 PDF全文激光与光电子学进展 | 2019, 56(13):131402
数字递变异变赝衬底上2.6 μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进
[摘要]研究了In0.83Al0.17As/In0.52Al0.48As数字递变异变缓冲层结构(DGMB)的总周期数对2.6 μm延伸波长In0.83Ga0.17As光电二极管性能的影响.实验表明, 在保持总缓冲层厚度不变的情况下, 通过将在InP衬底上生长的In0.83Al0....
 PDF全文红外与毫米波学报 | 2019, 38(03):275
[摘要]为了改善全光逻辑门的相位差特性, 对全光逻辑异或门的相位差进行了研究。采用细化分段模型对量子点半导体光放大器的动态过程进行建模, 利用牛顿法和4阶龙格-库塔法求解三能级跃迁速率方程以及光场传输方程, 实现了基...
 PDF全文激光技术 | 2018, 42(05):659
InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化
[摘要]利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光...
 PDF全文红外与毫米波学报 | 2018, 37(06):699
[摘要]为提高全光波长转换器的波长转换效率,在量子点半导体光放大器(QD-SOA)波长转换特性研究的基础上,分别对基于交叉增益调制(XGM)效应和交叉相位调制(XPM)效应的全光波长转换器的转换效率进行了仿真分析。利用三能级QD...
 PDF全文光学学报 | 2017, 37(04):0406005
[摘要]基于费米黄金法则,理论计算了Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱中第一激发态到基态的 电子-LO声子的散射率,讨论了平均散射率随阱宽、温度及Mn组分的变化规律。结果 表明:电子-LO声子的散射率随总初态能的增大逐渐减小;散射率和平...
 PDF全文量子电子学报 | 2017, 34(01):94
[摘要]在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、 Al组分、Bi组分的变化情况,分析了外加电场和磁场对激子结合能的影响。结果表明:激子结合 能随阱宽增大呈现先增大后减小的趋势;随...
 PDF全文量子电子学报 | 2017, 34(01):117
[摘要]为了对单端量子点半导体光放大器(QD-SOA)全光波长转换器的增益恢复特性进行系统分析, 采用分段法和4阶龙格-库塔法, 利用单端QD-SOA的交叉增益调制效应的全光波长转换原理分别求解速率方程和光场方程, 分析了注入电流...
 PDF全文激光技术 | 2016, 40(05):742
[摘要]信号光的啁啾特性在很大程度上会影响量子点半导体光放大器(QD-SOA)的性能,引起传输信号的走离效应,使误比特率增高。为了改善这一特性, 对QD-SOA全光波长转换器的啁啾特性进行了系统分析, 基于QD-SOA的交叉增益调制效...
 PDF全文激光技术 | 2016, 40(02):292
[摘要]为了改善全光波长转换器的转换性能进而提高输出信号质量, 研究了波长转换器的Q因子特性。采用牛顿迭代法和四阶龙格库塔法解光场传输方程和跃迁速率方程, 分析了输入信号光功率、脉冲宽度、最大模式增益和有源区长度4...
 PDF全文发光学报 | 2016, 37(03):346
[摘要]利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1, E1的能级位置为Ec-0.38 eV, 俘获截面为1.87×10-15 cm2。在...
 PDF全文发光学报 | 2016, 37(12):1532
[摘要]在有效质量近似下, 利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/InP阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明, 电子-电子的散射率和平均散射率随Ga组分和阱宽的...
 PDF全文发光学报 | 2016, 37(11):1408
[摘要]利用气源分子束外延技术生长InAs/GaAs量子点激光器材料, 制作了由5层量子点组成的500 μm腔长的激光器。首次使用增益拟合和波长加权的方法计算了激光器的线宽展宽因子。其中, 增益拟合是对Hakki-Paoli方法计算增益的...
 PDF全文发光学报 | 2015, 36(05):567
[摘要]在有效质量近似下采用变分法计算了Cd1-x Mnx Te/CdTe抛物量子阱 内不同Mn组分下激子的结合能, 给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况。 结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变...
 PDF全文量子电子学报 | 2015, 32(05):635
[摘要]在对光栅外腔量子点激光器进行理论研究的基础上, 分析了外腔反馈对Littrow型光栅外腔量子点激光器输出功率、调谐范围等输出特性的影响, 发现器件参数的选择对外腔激光器的性能影响很大。对外腔激光器的输出功率和调谐...
 PDF全文发光学报 | 2013, 34(04):474-479
外加电场对GaN/AlxGa1-xN双量子阱中性施主束缚能的影响
[摘要]在有效质量包络函数理论下,利用变分法计算了未加电场以及加入电场后GaN/Alx Ga1-x N双量子阱中施主杂质各种情况下的束缚能,讨论了双量子阱中间势垒高度、施主杂质位置对 杂质束缚能的影响。给出了加入电场后施主位...
 PDF全文量子电子学报 | 2013, 30(03):360-366
[摘要]在有效质量近似下,利用变分法对Gax In1-x Asy P1-y /InP阶梯量子阱中氢施 主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响。 计算结果显示当施主杂质位于阶梯...
 PDF全文量子电子学报 | 2013, 30(02):236-242
1.5 mm腔长InAs/InP量子点激光器镜面外腔光谱特性研究
[摘要]基于研制的1.5mm腔长InAs/InP共面条状量子点激光器, 搭建了其镜面外腔结构, 并对其光谱特性进行了测试, 获得了镜面外腔周期性调制光谱, 并在周期性的产生、多模激射和模式随电流的变化等方面对其光谱特性进行了分析研...
 PDF全文半导体光电 | 2012, 33(05):636-640
[摘要]本文提出了用定向散斑屏作为编码器的白光图像处理新技术。和其它一些编码方法相比较,它有一些明显的优点。作为实验演示,本文给出了彩色图像档案存贮和等密度假彩色编码的实验结果。
 PDF全文光学学报 | 1985, 5(02):113-117
[摘要]本文以Ronchi栅为例,讨论了银盐干板漂白后形成的透射型相位编码片在白光图像处理应用中的几个问题:1.相位变化在一定范围内,和未漂白的编码片再现同样的图像,但衍射效率有所提高;2.相位变化超过一定范围,会产生密度假...
 PDF全文光学学报 | 1984, 4(08):687-693