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   将选定结果: 

 碲镉汞器件光敏元电容测试与分析

任士远 林春 魏彦锋 周松敏 王溪 郭慧君 陈路 丁瑞军 何力

[摘要]报道了液氮温度下对 HgCdTe器件进行电容测试的方法。标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到 PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据。对比了碲镉汞常规 PN结器件与雪崩光电二极管(APD)...

 PDF全文红外技术 | 2019, 41(05):413

 可见/近红外超光谱碲镉汞焦平面研究

张 姗 沈益铭 刘 丹 钟艳红 魏彦锋 廖清君 陈洪雷 林 春 丁瑞军 何 力

[摘要]为了满足可见-近红外波段的高光谱分辨率和高灵敏观测需求,采用大面阵、低噪声碲镉汞焦平面制备技术和低损伤衬底去除技术,成功制备了高信噪比大面阵可见/近红外碲镉汞焦平面探测器。无损衬底去除技术采用机械抛光和...

 PDF全文应用光学 | 2019, 40(03):429

 InAs基中红外带间级联激光器中的自加热效应

余成章 徐志成 陈建新 何力

[摘要]制备并测试了II型中红外带间级联激光器,制备的器件在脉冲和连续工作模式下最高工作温度分别为275 K和226 K.80 K下器件激射波长为3.8 μm左右,阈值电流密度约17 A/cm2.对器件在连续工作模式下的自加热效应进行了分析...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2019, 38(04):408

 InAs/GaSb II类超晶格台面的 ICP 刻蚀研究

许佳佳 黄敏 徐庆庆 徐志成 王芳芳 白治中 周易 陈建新 何力

[摘要]报道了采用Cl2/N2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果, 实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明, 气体流量比例直接对刻蚀速率...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2019, 38(02):171

 长波带间级联探测器结构设计

田源 周易 柴旭良 徐志成 陈建新 何力

[摘要]针对带间级联结构在长波探测上的设计应用, 采用包络函数近似下的二带模型和传输矩阵方法, 考虑电子和轻空穴耦合, 计算了带间级联结构多量子阱弛豫区的E-k关系和详细能带信息.特别优化了弛豫区结构, 在保证光生载流子...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2018, 37(06):734

 InAs/GaSb II类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应

靳川 许佳佳 黄爱波 徐志成1 周易 白治中 王芳芳 陈建新 陈洪雷 丁瑞军 何力

[摘要]研究了InAs/GaSb II 类超晶格长波探测器的γ 辐照效应.在60Co源γ 辐照下器件的电流—电压(I-V)特性并未随辐照剂量的增大而发生显著的变化, 100 krad (Si)辐照剂量下的零偏阻抗相较辐照前的减小率仅为3.4%, 表明该探...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(06):688

 基于衍射光栅耦合输出的一级分布反馈太赫兹量子级联激光器

朱欢 王芳芳 颜全 俞辰韧 常高垒 陈建新 徐刚毅 何力

[摘要]对比研究了两种不同结构太赫兹波段的双金属波导一级分布反馈量子级联激光器(THz-DFB-QCL).提出并实现基于衍射光栅耦合输出的THz-DFB-QCL中, 太赫兹波通过衍射光栅而非解理腔面形成出射.计算表明, 优化衍射光栅的结构...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(06):706

 MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活

赵真典 陈路 傅祥良 王伟强 沈川 张彬 卜顺栋 王高 杨凤 何力

[摘要]采用As掺杂和激活技术制备的p+-on-n异质结材料是获得高性能长波碲镉汞红外焦平面器件的关键技术之一, 得到了广泛关注.采用变温IV拟合的方法, 对不同As掺入浓度与器件结性能相关性进行了分析, 发现降低结区内As掺杂浓...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(05):575

 MMVCX光伏型HgCdTe中波探测器暗电流温度特性

王鹏 何家乐 许娇 吴明在 叶振华 丁瑞军 何力

[摘要]研究了光伏型HgCdTe中波探测器的暗电流与烘烤时间的关系特性.编写了一种适用于n-on-p型的中波HgCdTe红外探测器的解析拟合程序.结合暗电流的主导机制有扩散机制、产生复合机制、带间直接隧穿机制和陷阱辅助隧穿机制.通...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(03):289

 替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理

赵真典 陈路 傅祥良 王伟强 沈川 张彬 卜顺栋 王高 杨凤 何力

[摘要]基于暗电流模型, 通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10 μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明, 对于B+离子注入的平面结汞空位n+-on-p结...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(02):186

 太赫兹二级分布反馈量子级联激光器中的模式竞争与功率特性

颜全 王芳芳 朱欢 俞辰韧 徐刚毅 陈建新 何力

[摘要]结合实验和理论计算研究了太赫兹二级分布反馈量子级联激光器中的模式竞争和功率特性.研究表明, 激光器在整个动力学范围内均稳定地工作在横向及纵向的基模.横向基模的产生原因是脊条两侧的吸收边界有效提高了高阶横模...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(01):60

 反射光谱拟合法确定聚合物半导体薄膜光学常数和厚度

李国龙 钟景明 王立惠 李进 何力军 李海波 高忙忙

[摘要]光学常数(折射率和消光系数)是聚合物半导体薄膜器件结构设计和性能优化的重要参数。借助于Forouhi-Bloomer (F-B)色散模型,通过拟合P3HT(聚3-己基噻吩):PCBM([6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯)和MEH-PPV(聚[2-甲氧基-5-(2-乙...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2016, 53(04):043101

 一种用于台面探测器的新型电极结构

黄玥 陈奕宇 马伟平 刘丹 陈昱 叶振华 丁瑞军 何力

[摘要]提出一种用于台面探测器的新型电极结构.该结构通过在台面底部两次制备电极而获得接力电极.同传统的引出电极结构相比,这种接力电极结构不仅简化了从台面底部引出电极的工艺,而且能够增加台面顶部空间从而更有利于其它...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2016, 35(05):517

 分子束外延HgCdTe nBn结构红外探测器的理论计算和优化

沈川 陈路 傅祥良 王伟强 卜顺栋 何力

[摘要]通过2维数值模拟对HgCdTe nBn红外探测器的光电性质进行了研究.理论计算了nBn结构中各层的参数的变化(包含厚度的变化、掺杂浓度的变化以及组分)对器件性能的影响规律.通过优化上述器件结构参数,理论上获得了最优化结...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2016, 35(03):271

 320×256元InAs/GaSb II类超晶格中波红外双色焦平面探测器

白治中 徐志成 周易 姚华城 陈洪雷 陈建新 丁瑞军 何力

[摘要]报道了320 × 256元InAs /GaSb II 类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PNNP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb 衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2015, 34(06):0716

 碲锌镉晶体的X射线衍射形貌与腐蚀形貌

孙士文 隋淞印 何 力 魏彦锋 周昌鹤 虞慧娴 徐 超

[摘要]碲锌镉晶体中存在着各种典型晶体缺陷, 其缺陷研究一直倍受关注, X射线衍射形貌术是一种非破坏性地研究晶体材料结构完整性、均匀性的有效方法.采用反射式X射线衍射形貌术对碲锌镉衬底的质量进行了研究, 并将衬底的X射...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2015, 34(03):291

 碲锌镉小角晶界的反射式X射线衍射形貌

孙士文 隋淞印 何力 周昌鹤 虞慧娴 徐超

[摘要]碲锌镉晶体中存在着各种晶体缺陷, 其中小角晶界是制约碲锌镉晶体质量的主要晶体缺陷之一。X射线衍射形貌术是一种非破坏性地全面研究小角晶界缺陷的有效方法。采用反射式 X射线衍射形貌术对碲锌镉衬底的小角晶界缺陷进...

 PDF全文红外技术 | 2014, 36(07):588

 320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器

许佳佳 陈建新 周易 徐庆庆 王芳芳 徐志成 白治中 靳川 陈洪雷 丁瑞军 何力

[摘要]报道了320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面阵列探测器的研制和性能测试.采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料, 器件采用PBIN结构, 红外吸收区结构为14ML(InAs)/7ML(GaSb), 焦平面阵列光敏元尺...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2014, 33(06):598

 长波InAs/GaSb II类超晶格红外探测器

周易 陈建新 徐庆庆 徐志成 靳川 许佳佳 金巨鹏 何力

[摘要]报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb II类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2013, 32(03):210-214

 HgCdTe薄膜的反局域效应

魏来明 刘新智 俞国林 高矿红 王奇伟 林铁 郭少令 魏彦峰 杨建荣 何力 戴宁 褚君浩

[摘要]利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品, 在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应, 说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线, 得到了电...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2013, 32(02):141-144

 多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析

沈川 顾仁杰 陈路 何力

[摘要]前期研究采用高温热处理方法, 获得了抑制位错的最佳退火条件.通过比对实验, 发现不同衬底上HgCdTe表面的CdTe钝化层在热处理过程中对位错的抑制作用各有不同.结合晶格失配应力和热应力对不同异质结构进行理论计算, 借...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2013, 32(02):122-127

 四层结构模型下的InAs/GaSb超晶格材料能带计算

周易 陈建新 何力

[摘要]在包络函数近似下采用K.P理论计算了InAs/Ga(In)Sb II类超晶格材料的能带结构.同时, 计算了超晶格材料的电子有效质量和空穴有效质量, 以及不同的结构对应的吸收系数.在此基础上使用了考虑包括界面在内的四层超晶格模型...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2013, 32(01):13-17

 128×128元InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面探测器

许佳佳 金巨鹏 徐庆庆 徐志成 靳川 周易 陈洪雷 林春 陈建新 何力

[摘要]报道了128×128元InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb), 器件采用PIN结构, 焦平面阵列光敏元大小为4...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2012, 31(06):501-504

 同时模式的中波/长波碲镉汞双色红外探测器

叶振华 李杨 胡伟达 陈路 廖亲君 陈洪雷 林春 胡晓宁 丁瑞军 何力

[摘要]采用光刻胶喷涂技术, 突破了碲镉汞双色探测器加工的非平面离子注入和金属化开口等工艺.基于分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p3-p2-P1型碲镉汞(Hg1-xCdxTe)多层异质结材料, 通过MW光电二极管n型注入区的开口刻蚀、...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2012, 31(06):497-500

 掺砷碲镉汞的光致发光光谱和电学性质

张小华 陈路 林铁 何力 郭少令 褚君浩

[摘要]碲镉汞的电学性能和光学性能直接决定探测器性能.对窄禁带掺砷碲镉汞进行了11~300 K的红外光致发光光谱和变温霍尔测量.对变温光致发光光谱进行了拟合分析,结果表明经通用的两步退火, 样品不仅存在砷占碲位(AsTe)、汞...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2012, 31(05):407-410

 砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能

李海滨 林春 陈兴国 魏彦峰 徐竟杰 何力

[摘要]采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5 μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6~5.3 μm之间,而其最大...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2012, 31(05):403-406

 HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰

叶振华 尹文婷 黄建 胡伟达 冯婧文 陈路 廖亲君 林春 胡晓宁 丁瑞军 何力

[摘要]报道了HgCdTe长波离子注入n+-on-p型光电二极管列阵低能氢等离子体修饰的研究成果.基于采用分子束外延(MBE)技术生长的HgCdTe/CdTe薄膜材料,通过注入窗口的光刻与选择性腐蚀、注入阻挡层的生长、形成光电二极管的B+注...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2012, 31(01):26-29

 基于图非负矩阵分解的图像配准

冷成财 徐伟 延伟东 何力

[摘要]本文提出一种新的利用图的谱对应绝对值特征向量的非负矩阵分解图像配准方法。首先利用图像特征构造了无向权图的非负权矩阵, 通过非负矩阵分解得到了包含原始图像全部特征的特征基图像; 然后将非负权矩阵谱对应绝对值...

 PDF全文光电工程 | 2011, 38(12):137-144

 MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵

叶振华 黄建 尹文婷 胡伟达 冯婧文 陈路 廖亲君 陈洪雷 林春 胡晓宁 丁瑞军 何力

[摘要]采用分子束外延(MBE)技术在表面生长碲化镉(CdTe)介质膜的p型碲镉汞(HgCdTe)材料,并通过离子注入区的光刻、暴露HgCdTe表面的窗口腐蚀、注入阻挡层硫化锌(ZnS)的生长、形成p-n结的B+注入、注入阻挡层的去除、绝缘介质...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2011, 30(06):495-499

 InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术

徐庆庆 陈建新 周易 李天兴 吕翔 何力

[摘要]报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度,以及界面的优化等,改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配,获得了晶格失配Δa/a=1.5×10-4...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2011, 30(05):406-409

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