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 高速单行载流子光电二极管的近弹道优化设计

甄政 郝然 邢东 冯志红 金尚忠

[摘要]基于近弹道优化的方法提出了一种高性能的单行载流子光电二极管(UTC-PD)的设计方案,用该方案制备的UTC-PD具有大的响应速度、响应度和饱和输出,且可减轻负载电压摆幅效应。设计的新光电二极管采用具有渐变掺杂的部分耗...

 PDF全文中国激光 | 2020, 47(10):1006003

 150 GHz大功率二倍频器

徐鹏 杨大宝 张立森 梁士雄 顾国栋 吕元杰 冯志红

[摘要]基于六阳极结反向串联型砷化镓平面肖特基容性二极管,采用平衡式二倍频器结构,成功研制出一种大功率150?GHz二倍频器。使用三维电磁场与非线性谐波平衡联合仿真方法,提高了仿真结果和实际的吻合度,并根据设计结果完...

 PDF全文太赫兹科学与电子信息学报 | 2020, 18(02):171

 330 GHz单片集成分谐波混频器

杨大宝 王俊龙 张立森 梁士雄 冯志红

[摘要]根据反向并联二极管的外围结构和材料构成, 以四端口S参数包的形式建立了二极管结外围无源结构的三维电磁模型, 与非线性仿真软件中的肖特基结模型结合起来建立太赫兹二极管对的完整模型, 这样的处理方法提高了计算机仿...

 PDF全文红外与激光工程 | 2019, 48(02):0225001

 190 GHz大功率输出平衡式二倍频器

徐鹏 杨大宝 张立森 梁士雄 宋旭波 顾国栋 吕元杰 冯志红

[摘要]基于反向串联型砷化镓平面肖特基容性二极管,采用平衡式二倍频结构,研制出了一种190 GHz大功率输出二倍频器。使用三维电磁场与非线性谐波平衡联合的方法进行了仿真,并根据仿真结果完成了倍频器的加工、装配和测试。倍...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(06):0614022

 单片集成430 GHz三倍频器的设计及测试

杨大宝 邢东 梁士雄 张立森 徐鹏 冯志红

[摘要]通过单片集成的方法,将工作于太赫兹频段(430 GHz)的三倍频器的各个功能电路集成在厚度为12 μm的砷化镓薄膜单片上,设计、制造太赫兹三倍频集成电路单片。单片结构采用一对反向并联连接的肖特基二极管,构成串联平衡式...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(06):0614035

 两步氧化法制备β-Ga2O3薄膜

李赜明 余 烨 焦 腾 胡大强 董 鑫 李万程 张源涛 吕元杰 冯志红 张宝林

[摘要]为获得高质量的β-Ga2O3薄膜,对传统的GaN薄膜高温氧化方法进行了优化。我们通过对GaN薄膜分别进行一步或两步高温氧化的方法制备了β-Ga2O3薄膜,并通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱等对制备的样品进行...

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(10):1247

 fT为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究

付兴昌 吕元杰 张力江 张彤 李献杰 宋旭波 张志荣 房玉龙 冯志红

[摘要]采用再生长n+ GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n+ GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2018, 37(01):15

 0.1 THz鳍线单平衡式基波混频电路研究

杨大宝 王俊龙 张立森 邢 东 梁士雄 赵向阳 冯志红

[摘要]研究了一种基于石英基片的0.1 THz频段的鳍线单平衡混频电路, 混频电路的射频和本振信号分别从WR10标准波导端口通过波导单面鳍线微带过渡和波导微带探针过渡输入, 中频信号通过本振中频双工器输出。这是一种新型的混频...

 PDF全文红外与激光工程 | 2017, 46(04):0420004

 0.22 THz宽带混频电路研究

王俊龙 杨大宝 邢东 梁士雄 张立森 赵向阳 徐鹏 冯志红

[摘要]基于中国电子科技集团公司第十三研究所的反向并联肖特基二极管, 采用电磁场和电路软件联合仿真, 完成了0.22 THz分谐波混频电路设计。在固定中频输出频率10 MHz的条件下测试了混频电路的变频损耗, 在175~235 GHz 共60...

 PDF全文红外与激光工程 | 2017, 46(11):1125003

 0.2 THz宽带非平衡式倍频电路研究

王俊龙 杨大宝 邢东 梁士雄 张立森 赵向阳 冯志红

[摘要]基于四阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管, 设计并实现了0.2 THz宽带非平衡式二次倍频电路。肖特基二极管倒装焊接在75 ?滋m石英电路上。在小功率和大功率注入条件下, 测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。输入功...

 PDF全文红外与激光工程 | 2017, 46(01):0106003

 基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN 场效应晶体管

尹甲运 吕元杰 宋旭波 谭鑫 张志荣 房玉龙 冯志红 蔡树军

[摘要]在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小, 有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外, 采用自对准工艺制备了50 nm直...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(01):6

 5 THz混频二极管等效电路模型研究

王俊龙 杨大宝 邢 东 梁士雄 张立森 赵向阳 冯志红

[摘要]采用电磁场和电路联合仿真, 基于直流测试和三维电磁建模仿真技术, 建立了截止频率5 THz的混频肖特基二极管的等效电路模型。重点研究了二极管的非线性结模型和外围结构三维电磁全波仿真模型, 构建了考虑实际电路形式的...

 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(09):0925001

 最大振荡频率640 GHz的70 nm栅长InAs PHEMTs器件

张立森 邢 东 徐 鹏 梁士雄 王俊龙 王元刚 杨大宝 冯志红

[摘要]由于高的电子迁移率和二维电子气浓度, InP基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提高器件的工作频率, 采用InAs复合沟道, 使得二维电子气的电子迁移率达到13 000 cm2/(V...

 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(07):0720004

 太赫兹平面肖特基二极管参数模型

赵向阳 王俊龙 邢东 杨大宝 张立森 梁士雄 冯志红

[摘要]根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构, 在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导(CPW)去嵌方法的二极管S参数在片测试结构, 并对其在0.1~50 GH...

 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(12):1225004

 基于60 nm T型栅fT & fmax为170 & 210 GHz 的InAlN/GaN HFETs 器件

吕元杰 冯志红 张志荣 宋旭波 谭鑫 郭红雨 尹甲运 房玉龙 蔡树军

[摘要]基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs).基于再生长n+ GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小, 有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2016, 35(06):641

 基于MOCVD再生长n+ GaN 欧姆接触工艺fT/fmax>150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究

吕元杰 冯志红 宋旭波 张志荣 谭鑫 郭红雨 房玉龙 周幸叶 蔡树军

[摘要]基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+ GaN 欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小, 有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2016, 35(05):534

 铌酸锂波导对光整流相位匹配的增强作用研究

吴斌 刘红博 赵发财 冯志红 王俊龙 应承平 王恒飞

[摘要]为提高太赫兹(THz)波的产生效率,研究了飞秒激光与铌酸锂晶体的相互作用。分析了块状铌酸锂晶体中抽运光与THz波间的相位匹配,结果显示抽运光的群折射率曲线与THz波的折射率曲线不存在交点,表明了块状晶体结构中相...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(s2):s219001

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