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 利用同步辐射光电子能谱技术研究Pb1-xSrxTe薄膜的能带移动及其组成异质结能带带阶

蔡春锋 彭曼丽 翟继志 毕岗 张兵坡 王淼 吴惠桢 张文华 朱俊发

[摘要]利用同步辐射光电子能谱技术研究了低Sr组分时Pb1-xSrxTe薄膜能带的移动规律,并计算了Pb1-xSrxTe/PbTe异质结中导带帯阶所占比率.当不考虑应力时,该异质结界面导带带阶比率Qc=ΔEC/ΔEg=0.71.当考虑应力时,PbTe能带发生...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2016, 35(02):214

 退火对CdSe量子点荧光影响的色度学研究

胡炼 吴惠桢

[摘要]制备出两种尺寸的CdSe量子点.结合色度学分析,比较了固化在PMMA基质中两种尺寸CdSe量子点在退火中发生的不同变化以及相应光谱颜色的改变.小尺寸CdSe量子点在退火中有团聚的趋势,退火后荧光明显红移,如果退火温度超过一...

 PDF全文发光学报 | 2015, 36(06):610

 基于量子点-CBP混合层的量子点LED的制备

胡炼 吴惠桢

[摘要]采用一锅法制备出高质量的具有核壳结构的CdSe@ZnS、CdZnS/ZnS量子点。将量子点混入空穴传输材料CBP中形成复合的有源材料,经过几步简单的旋涂操作,制备出相应的绿光、蓝光量子点LED器件。这种方法利用了油溶性量子点和...

 PDF全文发光学报 | 2015, 36(10):1106

 Ag/ZnO纳米结构的荧光增强效应

徐天宁 李佳 李翔 隋成华 吴惠桢

[摘要]利用化学合成方法制备了Ag纳米线和ZnO量子点。对这两种纳米结构的表面形貌、晶体结构和光学性质分别进行了研究。结果表明: Ag纳米线和ZnO量子点均为单晶结构, 平均直径分别为160 nm和5 nm左右。将Ag纳米线混入ZnO量子...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(04):404-408

 ZnS薄膜参数对有机/无机复合发光器件特性的影响

宋凌云 蔡春锋 刘博智 胡炼 张兵坡 吴剑钟 毕刚 吴惠桢

[摘要]半导体量子点(QDs)具有发光效率高和发光波长可调等特点。 采用胶体CdSe QDs作电致发光器件的有源材料, TPD(N,N′-biphenyl-N,N′-bis-(3-methylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)作空穴传输层, ZnS作电子传输层...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2014, 34(04):898-902

 Al/ZnO∶Al薄膜结构的荧光增强效应

徐天宁 卢忠 隋成华 吴惠桢

[摘要]利用物理气相沉积设备制备了Al/ZnO∶Al薄膜样品, 研究了该薄膜结构的发光特性。结果表明, 在ZnO∶Al薄膜表面镀一层Al岛薄膜可以增强其带边荧光, 同时在475 nm附近产生蓝光峰。通过在Al岛薄膜和ZnO∶Al薄膜之间引入一...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(03):356-360

 PbTe中红外光伏探测器

魏晓东 蔡春峰 张兵坡 胡炼 吴惠桢 张永刚 冯靖文 林加木 林春 方维政 戴宁

[摘要]利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料, 通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极, 制成PbTe结型中红外光伏探测器.在77 K温度下, 器件响应波长为...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2011, 30(04):293-296

 PbTe/CdTe量子阱光学性质的研究

徐天宁 李家辉 张磊 吴惠桢

[摘要]PbTe/CdTe 量子阱是一类新型异系低维结构材料,实验观察到具有强的室温中红外光致发光现象。建立了理论模型,计算了PbTe/CdTe量子阱的自发辐射率和光学增益。模型中量子阱分立能级的计算采用 k·p包络波函数方法和...

 PDF全文光学学报 | 2008, 28(08):1565-1570

 金属键合技术及其在光电器件中的应用

谢正生 吴惠桢 劳燕锋 刘成 曹萌

[摘要]系统阐述了金属键合的发展概况、基本工艺和方法、表征技术及其在光电器件中的应用。金属键合制备光电器件的一般工艺流程分为三步:蒸镀金属薄膜、键合、腐蚀去除衬底,列举了常用的金属键合方法及其工艺条件;并着重论...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2007, 44(01):31-37

 刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性

曹萌 吴惠桢 劳燕锋 刘成 谢正生

[摘要]为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响, 采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AlGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。通过光致发光(PL)特性表征发现,...

 PDF全文光学学报 | 2007, 27(03):494-498

 Pb1-xMnxTe稀磁半导体外延薄膜的光学特性

夏明龙 吴惠桢 斯剑霄 徐天宁 王擎雷 戴宁 谢正生

[摘要]采用分子束外延(MBE)方法在BaF2(111)衬底上生长了不同Mn组分的Pb1-xMnxTe(0≤x≤0.012)稀磁半导体薄膜.通过波长为3.0~11.0 μm中红外透射谱的分析并应用透射光谱上干涉峰峰值的位置计算获得了Pb1-xMnxTe薄膜的折射率...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2007, 26(04):261-264

 p型GaAs的远红外波段光学特性

刘成 吴惠桢 劳燕锋 李爱珍 任重桥 沈文忠

[摘要]砷化镓(GaAs)是太赫兹波段半导体异质结构激光器的重要材料之一,为了获得p型GaAs材料在远红外波段的光学特性,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在半绝缘GaAs(100)衬底上生长了掺Be的p型GaAs薄膜材料,其载流子浓度从...

 PDF全文光学学报 | 2006, 26(02):221-224

 MgZnO和ZnO晶体薄膜紫外发光特性比较

陈奶波 邱东江 吴惠桢 张寒洁 鲍世宁 何丕模

[摘要]用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C-轴取向的ZnO薄膜.X-射线光电子能谱(XPS)结果表明,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高.紫外光致荧光谱(UVPL)测试显示,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2003, 22(05):349-352

 RF-HFCVD生长高质量纳米金刚石薄膜

邱东江 吴惠桢 陈奶波 石成儒

[摘要]采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积(RF-HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜.研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响,其最佳值分别为700℃、2×133P...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2002, 21(03):167-170

 硅基PbSe/BaF2/CaF2薄膜及其光电特性

金进生 吴惠桢 常勇 寿翔 X.M.Fang P.J.Mc Cann

[摘要]采用分子束外延方法在Si(111)衬底上生长了PbSe/BaF2/CaF2薄膜,扫描电镜和X-光衍射分析显示,通过生长BaF2/CaF2缓冲层的方法,在Si(111)衬底上外延的PbSe薄膜晶体质量高,PbSe表面光亮,无开裂现象发生,X-光衍射峰峰宽窄(...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2001, 20(02):154-156

 两幅图象微小差异信息的增强和检测

田志伟 吴惠桢

[摘要]本文描述一种利用黑白正、负片密合检测两幅图象之间微小差异的方法。由于采用假彩色增强技术,从而克服黑白正、负片密合处理时存在强直流分量致使差异信息不明显的缺点,实现了拷贝片的反差系统γ=+1,所得H-D曲线的线性...

 PDF全文中国激光 | 1987, 14(07):424-427

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