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 GaInAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算

晏长岭 秦莉 宁永强 张淑敏 王青 赵路民 刘云 王立军 钟景昌

[摘要]讨论了GaInAs/GaAs应变量子阱结构的应变效应,给出了量子阱层的临界厚度随In组份的变化关系.由克龙尼克-潘纳模型计算了GaInAs/GaAs应变量子阱的量子化能级,给出了cl-hhl跃迁对应的发射波长随阱宽和In组份的变化关系曲...

 PDF全文激光杂志 | 2004, 25(05):29-31

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