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   将选定结果: 

 定位生长量子点的金字塔形衬底的制备

李占国 王勇 尤明慧 高欣 李再金 李特 刘国军 曲轶

[摘要]在理想情况下,单光子是由量子点单光子源发光产生的。量子点单光子发射器件的制作主要利用自组织生长方法在图形衬底上结合光学微腔结构实现。采用金字塔形衬底制备量子点可实现量子点的高定位生长, 该方法易于制备和隔...

 PDF全文中国激光 | 2017, 44(04):0413001

 2.0 μm 波段Sb基多量子阱材料的制备

李占国 尤明慧 邓昀 刘国军 李林 高欣 曲轶 王晓华

[摘要]采用分子束外延外延生长技术,优化InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱点材料的生长速率、生长温度和束流比等生长参数,获得了高质量的多量子阱材料。室温光荧光谱表明,材料的发光波长为2.0 μm左右。该结果表明,通过优化生长...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2013, 25(02):505-507

 采用MBE生长1.6~2.3 μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱

尤明慧 高欣 李占国 刘国军 李林 李梅 王晓华 薄报学

[摘要]采用分子束外延生长了不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料。X射线衍射发现量子阱材料有多级衍射卫星峰出现, 表明量子阱的界面均匀性和质量较好。研究了不同In组分与光致发光波长的关系, 光荧光谱测试表明, 所...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(03):282-284

 Ga束流低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物的研究

李占国 刘国军 尤明慧 李林 李辉 冯明 李梅 高欣 李联合

[摘要]采用低流量III族Ga束流在分子束外延中低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物。采用高能电子衍射监控衬底表面氧化物清理过程并得出氧化物清理速率及氧化层对高能电子的吸收系数。根据清理速率对衬底温度依赖的Arrhenius关系...

 PDF全文光学学报 | 2011, 31(10):1016003

 采用AlSb缓冲层生长2.3 μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构

尤明慧 高欣 李占国 刘国军 李林 李梅 王晓华

[摘要]针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过X-射线测试, 有多级衍射卫星峰出现, 表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好, 引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2010, 22(08):1716-1718

 InGaAsSb/InP的MBE生长及特性

李占国 刘国军 尤明慧 李林 金哲军 李梅 王勇 王晓华

[摘要]研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射(RHHEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线双晶衍射(XRDCD)和光致发光(PL...

 PDF全文发光学报 | 2009, 30(05):630-633

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