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 基于间接跃迁模型的p+-GaAsSb费米能级研究

高汉超 尹志军 程伟 王元 许晓军 李忠辉

[摘要]重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料, 重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数, 这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质, 以及费米能级与Sb组分的...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(08):1057-1060

 氮化镓材料中深能级中心光离化谱测试与分析

王莹 李素云 尹志军

[摘要]设计了一种可用于测试氮化镓材料深能级中心光离化截面的光谱测试方法, 该方法建立在使用PID技术控制氮化镓样品中光电流变化为恒定值的基础上, 结合光电流测试、 霍尔效应、 光强度测试等实验手段给出深能级中心光离化...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2010, 30(08):2219-2222

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