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 450 nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化

杜维川 康俊杰 李弋 谭昊 周坤 胡耀 张亮 王昭 郭林辉 高松信 武德勇 唐淳

[摘要]分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证。结果表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的微分量子效率和...

 PDF全文光学学报 | 2019, 39(06):0614002

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