首页 > 论文 > 标签

Hi,您目前在 全部期刊 '张兵临', 共找到 25个内容。

   将选定结果: 

 金刚石聚晶碳膜场发射的场增强特征研究

高金海 李成刚 张 洁 张兵临

[摘要]利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD), 在镀金属钛的纯平陶瓷衬底上制备出一层微米量级的类球状金刚石聚晶颗粒碳膜。通过拉曼光谱仪、X射线衍射仪分析了碳膜的成分, 通过扫描电子显微镜观察了碳膜的外部形貌。最后...

 PDF全文半导体光电 | 2019, 40(05):671

 金刚石薄膜的形成及其场发射特性研究

高金海 张武勤 李 桢 张兵临

[摘要]研究了金刚石聚晶碳膜的生长过程, 以及不同生长阶段碳膜的场发射性能。通过磁控溅射法在陶瓷上镀一层金属钛作为制备碳膜的衬底, 将衬底放入微波等离子体化学气相沉积腔中, 经过不同的沉积时间制备出一系列的碳膜。利...

 PDF全文半导体光电 | 2018, 39(06):828

 球状微米金刚石的制备过程及其场发射性能的研究

高金海 张武勤 李桢 张兵临

[摘要]在纯平的陶瓷衬底上面, 利用磁控溅射方法镀上一层金属钛。对金属钛层进行表面缺陷处理后, 放入微波等离子体化学气相沉积腔中, 利用正交实验方法制备出场发射性能最优的薄膜, 通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等...

 PDF全文液晶与显示 | 2016, 31(09):877

 复合发光碳膜

高金海 李桢 张武勤 张兵临

[摘要]分析研究复合碳膜的制备及场发射效果。在陶瓷衬底上磁控溅射一层金属钛, 对金属钛层进行仔细研磨, 放入微波等离子体化学气相沉积腔中, 在镀钛陶瓷衬底上制备出碳膜。利用扫描电镜、x射线衍射、拉曼光谱分析复合碳膜的...

 PDF全文光电子技术 | 2014, 34(01):1-4

 高亮度金刚石薄膜场发射荧光管的制作

高金海 李桢 张武勤 张兵临

[摘要]利用微波等离子化学气相沉积法,制备出类球状微米金刚石聚晶薄膜作为场发射阴极材料。通过采用低熔点玻璃粉烧结工艺,从器件封装、器件烧结、器件排气和器件烤消等方面进行了探索和创新,实现了场致发射荧光管的高真空封...

 PDF全文光电子技术 | 2013, 33(01):1-4

 沉积时间对球状微米金刚石聚晶结构的生长及其场发射特性影响

高金海 李桢 张武勤 张兵临

[摘要]利用微波等离子体化学气相沉积法,在覆盖金属钛层的陶瓷衬底上,通过改变沉积时间制备出不同结构的类球状微米金刚石聚晶碳膜.通过扫描电子显微镜、喇曼光谱、X射线衍射谱对碳膜进行了分析测试,并研究了不同沉积时间...

 PDF全文光子学报 | 2011, 40(08):1253-1256

 催化剂对纳米非晶碳膜场发射性能的影响

张新月 曾凡光 姚宁 张兵临

[摘要]利用微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)法,在经处理的单晶硅衬底上沉积了纳米非晶碳薄膜。通过Raman、SEM、XRD表征,研究了催化剂对纳米非晶碳膜的生长速率及场发射性能的影响。结果表明,在制备纳米非晶碳膜时使用...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(01):83-86

 类球状微米金刚石聚晶膜场发射的稳定性

高金海 张武勤 张兵临

[摘要]在覆盖金属钛层的陶瓷上,利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备出类球状微米金刚石聚晶膜。通过二极管结构测试了聚晶膜的场致电子发射特性,利用扫描电子显微镜、拉曼光谱、XRD分析了场发射前后薄膜的结构和表...

 PDF全文发光学报 | 2009, 30(06):872-876

 两步化学沉积法制备ZnO薄膜及其场发射特性

马毓堃 姚宁 高知丰 王爱华 秦玉华 张兵临

[摘要]在低温常压条件下,以ITO玻璃为衬底,采用电化学法与湿化学法结合的两步化学沉积法制备了团簇状ZnO薄膜。利用XRD,SEM分析了薄膜结构和表面形貌,并采用二极管结构在高真空条件下对薄膜进行了场发射性能测试。稳定发射后...

 PDF全文发光学报 | 2009, 30(03):368-372

 采用纳米石墨阴极的场发射数码管设计与实现

邓记才 鲁占灵 张兵临

[摘要]采用纳米石墨阴极设计制作了场发射数码管,在驱动电路控制下,实现了动态数字显示。在900V工作电压下,字符段亮度可达190 cd/m2;数码管阴极电子发射稳定,当平均段电流为75 μA时,发射电流波动约为3%。数码管稳定的...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2008, 6(09):697

 平板显示器驱动电路

王勇 邓记才 姚宁 张兵临

[摘要]介绍了各平板显示器件,包括发光二极管显示(LED)、液晶显示(LCD)、等离子体显示(PDP)及场发射显示(FED)的驱动电路。

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2004, 41(12):48-53

 ZnS薄膜脉冲激光沉积及其发光特性

纠智先 张兵临 姚宁

[摘要]综述了ZnS的发光机制,脉冲激光沉积(PLD)制备薄膜的原理、特点,分析了在用PLD制备ZnS过程中各主要沉积条件对成膜质量的影响,展望了ZnS薄膜的应用前景.

 PDF全文激光技术 | 2004, 28(06):620-624

 有机电致发光的光学微腔效应

陶海华 姚宁 杜晨霞 张兵临

[摘要]有机电致发光器件的Fabry-Perot光学微腔效应导致在一定波长处的发射峰强度增加、宽度压窄,因而在有机彩色显示中受到人们的重视.阐述了有机电致发光的Fabry-Perot光学微腔的发展、微腔结构和微腔效应的各种表现和理论...

 PDF全文光学与光电技术 | 2004, 2(02):61-64

 类石墨薄膜的脉冲激光沉积及场致电子发射特性研究

马会中 张兰 姚宁 张兵临

[摘要]以聚酰亚胺薄膜为靶子,用高电导硅作为衬底,KrF准分子激光器作为辐射光源,利用脉冲激光沉积技术制备出了类石墨薄膜,并以该薄膜为阴极对其进行了场致电子发射特性测试。当阴阳极之间产生放电即发生电形成过程之后,该薄...

 PDF全文中国激光 | 2003, 30(s1):21-22

 碳氮膜的一种新的拉曼光谱结构

张兰 马会中 李会军 杨仕娥 姚宁 胡欢陵 张兵临

[摘要]报道了一种碳氮薄膜材料的拉曼光谱,该光谱明显具有两个特征拉曼峰,和已有的碳基薄膜及碳氢薄膜相区别,其峰值位置分别位于1400cm~(-1)及1370cm~(-1)。根据X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)对该薄膜的形貌观察...

 PDF全文中国激光 | 2003, 30(s1):105-106

 非晶氮化硼薄膜的场致电子发射研究

张兰 马会中 姚宁 胡欢陵 张兵临

[摘要]利用脉冲激光沉积(PLD)技术在镀钛的陶瓷衬底上制备出了非晶态氮化硼薄膜,借助于X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及Raman光谱分析了该薄膜的结构,并研究了薄膜场致电子发射特性,阈值电场为4.6 V/μm,当电场为9 V/...

 PDF全文中国激光 | 2002, 29(12):1110-1112

 一种类石墨薄膜的场发射研究

马会中 张兰 姚宁 毕兆琪 张兵临 马会中 胡欢陵

[摘要]利用KrF准分子激光器及聚酰亚胺靶在硅衬底上沉积出了类石墨薄膜。借助于X射线光电子谱及Raman光谱手段对薄膜微结构进行了分析。并用该薄膜作阴极,研究了其场发射特性。实验结果显示出该薄膜具有较好的场电子发射性能...

 PDF全文中国激光 | 2000, 27(04):363-365

 脉冲激光沉积非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜的场致电子发射研究

李运钧 何金田 姚宁 张兵临 龚知本

[摘要]利用脉冲激光沉积技术制备出非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜,并观察到其场发射阈值场强(4V/μm)比类金刚石薄膜(>12V/μm)有较大的降低,最大发射电流密度为1.2mA/cm~2.利用透明导电薄膜阳极技术可观察电子在薄膜阴极表面...

 PDF全文中国激光 | 1997, 24(10):952-956

 金刚石薄膜质量的红外光谱判断技术

张兵临 H. M. Phillips

[摘要]给出了利用红外透射光谱计算金刚石薄膜中SP2/SP3键价比,从而判断金刚石薄膜质量的判断技术。这种方法给出了薄膜质量的定量判断,甚至当由于灵敏度限制拉曼光谱无法给出判断结果时这种方法仍可使用。文中给出了两个金刚...

 PDF全文光学学报 | 1997, 17(11):1497-1502

 非晶态有机聚合物薄膜脉冲激光沉积

张兵临 马会中 张兰

[摘要]非晶态有机聚合物薄膜具有低介电常数,高强度等优良物理特性,在微电子工业领域有着潜在的应用价值而引起人们极大兴趣,本文就其沉积方法及沉积机制进行简要综述,并展望了其应用前景。

 PDF全文激光与光电子学进展 | 1996, 33(01):1-4

 富勒烯作为过渡层生长金刚石薄膜研究

杨国伟 刘大军 袁放成 何金田 张兵临 毛友德

[摘要]采用微波等离子体化学汽相淀积法,以C60膜为过渡层,在光滑的单晶Si衬底(100)表面和研磨的石英衬底表面等光学衬底上,首次在无衬底负偏压条件下生长出多晶金刚石薄膜,通过扫描电镜观察到生长膜晶粒呈莱花状,生长表...

 PDF全文光学学报 | 1996, 16(05):675-678

 氮化硼薄膜的脉冲激光沉积

毕兆琪 张兵临 李运钧 杨全玖

[摘要]用Q开关YAG激光器的1.06 μm的脉冲激光在硅及玻璃衬底上沉积了氮化硼薄膜。做了SEM,XRD,红外透射谱和紫外一可见透射谱等测试。确认为六方氮化硼(h-BN)薄膜.并测出其禁带宽度、晶格常数等。

 PDF全文中国激光 | 1995, 22(01):65-68

 硅中浅杂质的激光感应光电导谱

张兵临 A. KANGARLU H. R. CHANDKASEKHAR

[摘要]首次采用光子能量小于硅中浅受主杂质电离能的可调谐远红外激光器作为激发源,获得了硅中浅受主杂质的光电导谱.可调谐半导体远红外激光器的调谐范围为380~500cm~(-1),光子流密度约10~(18)/cm~2·sec,用双光子跃迁...

 PDF全文光学学报 | 1989, 9(12):1115-1118

 锁模连续染料激光器

张兵临

[摘要]

 PDF全文中国激光 | 1978, 5(5-6):107

 波导型CO2激光器

张兵临

[摘要]

 PDF全文中国激光 | 1978, 5(03):55-61

首页上一页1下一页尾页