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   将选定结果: 

 楔形模斑转换器的工艺研究

王筱 孙天玉 房丹 刘俊成 唐吉龙 方铉 王登魁 张宝顺 魏志鹏

[摘要]采用步进投影式光刻机的步进原理控制曝光剂量, 制备楔形模斑转换器.分析了不同曝光剂量对侧壁形貌的影响以及最佳的刻蚀参数.实验结果表明: 最佳曝光时间为20 ms/次, 回流温度为160℃, 时间为1 min, 当刻蚀气体及比例...

 PDF全文光子学报 | 2019, 48(06):0623001

 980 nm高功率DBR半导体激光器的设计及工艺

乔闯 苏瑞巩 李翔 房丹 方铉 唐吉龙 张宝顺 魏志鹏

[摘要]设计并制作了非对称大光腔波导结构,利用分布布拉格反射技术,实现了980 nm 波段高功率半导体激光器的稳定输出。在实验过程中,采用电子束光刻技术,结合感应耦合等离子刻蚀工艺,利用SiO2作为硬掩模,并通过减小Ar离子的束...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(07):0701002

 垂直腔面发射激光器氧化孔结构对器件激射性能的影响

梁静 贾慧民 冯海通 唐吉龙 房丹 苏瑞巩 张宝顺 魏志鹏

[摘要]为实现894.6 nm低阈值、高稳定性、单模激光输出, 设计了具有不同台面刻蚀结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件, 研究了台面直径和氧化孔结构对器件激射性能的影响。研究结果表明: VCSEL台面直径越大, 阈值电流越大;...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(03):0301001

 界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响

韩 军 赵佳豪 赵 杰 邢艳辉 曹 旭 付 凯 宋 亮 邓旭光 张宝顺

[摘要]研究不同界面处理对AlGaN/GaN 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能的影响。采用N2和NH3等离子体对器件界面预处理, 实验结果表明,N2等离子体预处理能够减小器件的电流崩塌, 通过对N2等离子...

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(07):915

 980 nm锥形半导体激光器刻蚀工艺

乔闯 苏瑞巩 房丹 唐吉龙 方铉 王登魁 张宝顺 魏志鹏

[摘要]为了解决半导体激光器传统刻蚀工艺中侧壁陡直度差和器件难以重复制作的问题, 利用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的刻蚀手段, 对980 nm锥形半导体激光器刻蚀工艺进行优化.通过对台面粗糙度与刻蚀速度的研究, 确定湿法腐蚀液...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(09):0914003

 紫外-红外双色集成探测器的发展与现状

李淑萍 何涛 付凯 于国浩 张晓东 熊敏 张宝顺

[摘要]随着军事和民用对高集成度、多色化光电探测的不断需求,在近几十年内,紫外 -红外( UV-IR)双色集成探测器从无到有,从彼此独立的紫外和红外探测器的简单集成发展到如今量子阱结构、键合结构等新型集成技术,但不同...

 PDF全文红外技术 | 2018, 40(11):1033

 MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响

韩军 赵佳豪 邢艳辉 史峰峰 杨涛涛 赵杰 王凯 李焘 邓旭光 张宝顺

[摘要]采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上外延GaN薄膜, 对高温AlN(HT-AlN)缓冲层在小范围内低生长压力(6.7~16.6 kPa)条件下对GaN薄膜特性的影响进行了研究。研究结果表明GaN外延层的表面形貌、结构和光学...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(09):1285

 硅基中长波红外减反微结构研究

吴启花 熊 敏 黄 勇 张宝顺 白 煜

[摘要]采用微加工工艺在Si衬底上制备了微柱和微锥阵列, 结合光学建模分析, 研究了结构参数对中长波(2.5~9 μm)红外光反射率的影响规律。使用严格耦合波分析方法(RCWA)计算的微结构反射光衍射效率与傅里叶红外变换光谱仪(FT...

 PDF全文红外与激光工程 | 2017, 46(04):0404001

 掺C高阻GaN的MOCVD外延生长

钟林健 邢艳辉 韩军 王凯 朱启发 范亚明 邓旭光 张宝顺

[摘要]利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶C 薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的GaN 薄膜,研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD 外延GaN 薄膜电学性能的影响,发现CCl4流量和载气对实现高阻的GaN 影响...

 PDF全文中国激光 | 2015, 42(04):0406002

 一种基于AlGaN和石墨烯的紫外-红外双色探测器

刘翌寒 曹伟 李绍娟 李洋 孙世闯 付凯 陈长清 张宝顺

[摘要]通过MOCVD和CVD生长技术,利用高Al组分AlGaN和单层石墨烯材料进行纵向集成,成功制备了日盲紫外-近红外双色探测器。在工作温度为室温、调制频率为209 Hz以及工作电压分别为10 V和5 V的工作条件下,所制备的双色探测器...

 PDF全文发光学报 | 2015, 36(10):1167

 AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响

钟林健 邢艳辉 韩军 陈翔 朱启发 范亚明 邓旭光 张宝顺

[摘要]利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备, 在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(HEMT), 研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(07):830-834

 AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响

陈翔 邢艳辉 韩军 霍文娟 钟林健 崔明 范亚明 张宝顺

[摘要]采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品, 研究了AlN缓冲层厚度对GaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响。研究结果表明: 厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散, 而...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(06):727-731

 金属-半导体-金属结构AlGaN/GaN异质结紫外探测器技术及特性

杨乐臣 付凯 史学舜 陈坤峰 李立功 张宝顺

[摘要]制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的AlGaN/GaN异质结紫外探测器,探测器采用Ni/Au金属作为电极。实验研究了探测器的光电响应特性和I-V特性。此探测器具有两个光谱响应范围,光谱响应的峰值响应率分别为288 nm处0.717 ...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(s1):s104001

 AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性质的影响

陈翔 邢艳辉 韩军 李影智 邓旭光 范亚明 张晓东 张宝顺

[摘要]采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN隔离层厚度约为1.5 nm的HEMT材料,二维电子气...

 PDF全文中国激光 | 2013, 40(06):0606005

 预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响

廉瑞凯 李林 范亚明 王勇 邓旭光 张辉 冯雷 朱建军 张宝顺

[摘要]主要研究了采用高温AlN缓冲层外延生长GaN/Si(111)材料的工艺技术。利用高分辨X射线双晶衍射(HRXRD)分析研究了GaN/Si(111)样品外延层的应变状态和晶体质量,通过原子力显微镜(AFM)分析研究了不同厚度的高温AlN缓冲层对...

 PDF全文中国激光 | 2013, 40(01):0106001

 H2载气流量对AlN缓冲层生长的影响

邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 崔明 陈翔 范亚明 朱建军 张宝顺

[摘要]在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明: 相同生...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(06):776-781

 高阻GaN的MOCVD外延生长

邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 范亚明 张宝顺 陈翔

[摘要]利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜。对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析。实验结果表明, 延长GaN成核层的生长时间, 降低成核层生...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(03):351-355

 Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT电学和结构性质的影响

陈翔 邢艳辉 韩军 霍文娟 钟林健 崔明 范亚明 朱建军 张宝顺

[摘要]采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的AlxGa1-xN/AlN/GaN 结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlxGa1-xN势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(12):1646-1650

 基于表面等离子体激元效应的可调制滤波器

林文魁 李海军 朱贺 付思齐 吕佳楠 张宝顺

[摘要]针对常用的光学滤波器滤波波长不可变的特点,提出一种利用表面等离子体激元效应实现可调制滤波的方法。该方法根据金属邻近电介质的介电常数发生改变时,金属与入射光波的表面等离子体激元耦合共振模式发生改变,以此...

 PDF全文应用光学 | 2010, 31(02):309-312

 CPLD在自触发脉中激光测距飞行时间测量中的应用

杨成伟 霍玉晶 陈千颂 赵大龙 秦来贵 张宝顺

[摘要]自触发脉冲激光测距是一种新型的脉冲激光测距方法,该方法解决了传统脉冲激光测距测量精度与测量速度之间的矛盾.其飞行时间测量系统的设计很大程度上决定了自触发脉冲激光测距的测量精度和测量速度.设计并实现了基于C...

 PDF全文量子电子学报 | 2005, 22(06):914-917

 激光二极管抽运Cr4+:YAG被动调QNd:YVO4激光器的实验研究

杨成伟 霍玉晶 尹晓东 陈千颂 张宝顺

[摘要]对激光二极管(LD)抽运的Cr4+:YAG被动调Q Nd:YVO4全固态激光器进行了实验研究.着重研究了抽运功率,Cr4+:YAG晶体的初始透过率及其在激光腔中的位置等因素对激光器输出脉冲宽度和重复频率等性能的影响,并对实验结果进行...

 PDF全文中国激光 | 2004, 31(01):1-4

 GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

曲轶 高欣 张宝顺 薄报学 张兴德 石家纬 曲轶

[摘要]分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(GRIN-SCH-SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到10 W(室温,连续),峰值波长为806...

 PDF全文中国激光 | 2000, 27(12):1072-1074

 808 nm波长光纤耦合高功率半导体激光器

薄报学 高欣 王玲 张宝顺 王玉霞 张兴德

[摘要]采用柱透镜对半导体激光器(LD)的输出光束进行了有效收集、预准直及多模光纤之间的耦合实验。采用808 nm波长,150 μm条宽结构的激光器件,与200 μm芯径平端光纤的耦合效率高达90%以上,光纤输出功率为1.0 W。分析了影响...

 PDF全文中国激光 | 1999, 26(03):193-196

 InGaAsP/GaAs单量子阱SCH半导体激光器的液相外延

薄报学 朱宝仁 张宝顺 高欣 任大翠 张兴德

[摘要]利用一种改进的液相外延技术进行了GaAs衬底上InGaAsO材料的生长,10 K温度下光荧光半宽度(FWHM)为14 MeV,获得了阈值电流密度为300 A/cm2的SCH多层结构外延片,宽台面激光器最大连续输出功率达到2.1 W。

 PDF全文中国激光 | 1998, 25(01):21-24

 高功率808nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器

朱宝仁 张兴德 薄报学 张宝顺 杨忠和

[摘要]介绍了研究分别限制结构的(SCH)InGaAsP-GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术,基于量子阱(QW)结构的InGaAsP-GaAs激光器,可用短时间液相外延(LPE)技术制造。在(100)GaAs衬底上制成的InGaAsP-GaAs分别...

 PDF全文光学学报 | 1997, 17(12):1614-1617

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