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   将选定结果: 

 一维单壁碳纳米管相干结构振荡的光谱学调制

赵欣 聂兆刚 张芳腾 马琳 郭德强 赵韦人 徐华伟 Takayoshi Kobayashi

[摘要]采用3.7 fs脉冲激光对半导体单壁碳纳米管的两个最低电子跃迁进行选择性抽运, 诱导产生了沿碳管径向振荡的低频呼吸模式(RBM)和沿轴向振荡的高频伸缩模式(GM)。通过变换抽运光带宽, 探测到最低单激发态抽运和双激发态抽...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2019, 56(03):033003

 852 nm半导体激光器量子阱设计与外延生长

徐华伟 宁永强 曾玉刚 张星 秦莉

[摘要]设计并外延生长了具有高温度稳定性的InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器, 用于解决852 nm半导体激光器在高温环境下工作时的波长漂移问题。基于理论模型, 计算并模拟对比了InAlGaAs, InGaAsP, InGaAs和GaAs量子阱的增益...

 PDF全文光学 精密工程 | 2013, 21(03):590-597

 反射各向异性谱在线监测852 nm半导体激光器AlGaInAs/AlGaAs量子阱的MOCVD外延生长

徐华伟 宁永强 曾玉刚 张星 张建伟 张建 张立森

[摘要]研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响,并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGaAs量子阱和852 nm半导体激光器。通过使用反射各向异性谱(RAS)和光致发光谱在线监测和...

 PDF全文中国激光 | 2012, 39(05):0502010

 MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测

王鹏程 徐华伟 张金龙 宁永强

[摘要]利用反射各向异性谱(RAS)和反射谱在线监测了AlxGa1-xAs样品的金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)外延生长过程。通过在线监测得到的RAS和反射谱可以敏感地反映出AlxGa1-xAs外延层组份发生的变化,从而优化外延生长工艺。实...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(09):985-990

 852 nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性

徐华伟 宁永强 曾玉刚 张星 秦莉 刘云 王立军

[摘要]为了提高852 nm半导体激光器的温度稳定性,理论计算了InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的增益,模拟对比并研究了不同量子阱的增益峰值和峰值波长随温度的漂移。结果显示,采用In0.15Ga0.74-Al0.11As作为852 nm...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(06):640-646

 多层AlGaAs的时间分辨归一化反射率及各向异性反射率谱在线监测及分析

张建伟 宁永强 张星 张建 徐华伟 张金龙 曾玉刚 王立军

[摘要]通过光学在线监测技术对多层AlxGa1-xAs样品生长过程中的生长速率与表面结构进行了分析。描述了选取合适探测光子能量的方法并在线监测了样品生长过程中表面归一化反射率(Normalized Reflectance, NR)和各向异性反射率...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(05):509-513

 RAS在线监测AlGaAs的MOCVD生长

徐华伟 张金龙 宁永强 曾玉刚 张星

[摘要]通过瞬态反射各向异性谱和瞬态反射谱在线监测和研究了AlxGa1-xAs的生长过程,利用金属有机化合物汽相淀积技术在GaAs (001)衬底上生长了多层AlxGa1-xAs结构。选择最适合在线监测生长过程的探测光能量,在此探测光能量...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(12):1297-1302

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