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 定位生长量子点的金字塔形衬底的制备

李占国 王勇 尤明慧 高欣 李再金 李特 刘国军 曲轶

[摘要]在理想情况下,单光子是由量子点单光子源发光产生的。量子点单光子发射器件的制作主要利用自组织生长方法在图形衬底上结合光学微腔结构实现。采用金字塔形衬底制备量子点可实现量子点的高定位生长, 该方法易于制备和隔...

 PDF全文中国激光 | 2017, 44(04):0413001

 光谱稳定的低功耗980 nm单模泵浦源半导体激光器

李辉 都继瑶 曲轶 张晶 李再金 刘国军

[摘要]由于在很多特殊应用领域要求980 nm泵浦源半导体激光器具有光谱稳定、低功耗等, 本文通过对980 nm单模半导体激光器的腔长、腔面反射率及光纤光栅反射率等优化设计, 研制出低阈值、高功率980 nm光纤光栅外腔波长稳定半...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(01):33

 MOCVD生长GaAsP/GaInP量子阱材料的发光特性

苑汇帛 李林 乔忠良 孔令沂 谷雷 刘洋 戴银 李特 张晶 曲轶

[摘要]通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光测试结果的分析,讨论了势垒层生长温度、势阱层Ⅴ/Ⅲ比以及衬底偏向角对外延片发光波...

 PDF全文中国激光 | 2014, 41(05):0506002

 MOCVD生长1.06 μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究

刘洋 李林 乔忠良 苑汇帛 谷雷 戴银 李特 曲轶

[摘要]利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长...

 PDF全文中国激光 | 2014, 41(11):1106001

 带有模式扩展层的小发散角激光器模拟研究

戴银 李林 苑汇帛 乔忠良 谷雷 刘洋 李特 曲轶

[摘要]模拟了带有模式扩展层的半导体激光器,研究了中心波导层、扩展波导层和内限制层对激光器性能的影响。经过优化获得了一个条宽为50 μm,远场发散角为23°,阈值电流为117.8 mA,限制因子为2.37%的激光器。远场发散...

 PDF全文中国激光 | 2014, 41(11):1102004

 GaAs基半导体激光器真空解理钝化工艺研究

王鑫 曲轶 高婷 徐正文 赵懿昊 刘素平 马骁宇 李尧

[摘要]对GaAs基半导体激光器真空解理钝化工艺进行了研究, 发现在高真空条件下解理和钝化GaAs基半导体激光器能有效减少激光器腔面缺陷, 从而抑制非辐射复合。通过测试光致发光(PL)谱线和X射线光电子能谱(XPS)发现, 经过超高...

 PDF全文半导体光电 | 2014, 35(06):1013

 高功率980 nm半导体激光器波导结构优化

吴丽娜 李特 李再金 乔忠良 李林 王荣力 曲轶 刘国军

[摘要]为了提高980 nm半导体激光器的出光功率,在外延结构中加入了扩展波导,并优化了激光器的垒层厚度和波导层组分,将光场以有源区为中心的对称分布转化为以扩展波导和有源区同为中心的对称分布,降低了有源区限制因子,...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(s2):s214010

 InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究

戴银 李林 苑汇帛 乔忠良 孔令沂 谷雷 刘洋 李特 曲轶 刘国军

[摘要]利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600 ℃、生长速率为1.15 ...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(11):1131001

 GaSb基激光器腔面膜的材料选取及膜系设计

高婷 曲轶 徐正文 王鑫 李再金

[摘要]为了提高GaSb基激光器腔面膜的反射率,根据有关薄膜设计理论并借助薄膜设计软件,设计出激光器腔面膜膜系。使高反膜在2.0~3.5 μm波段的理论反射率高于95%;增透膜在波长为2.5 μm处的理论透射率高于99%。并经过反复...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2014, 26(01):011006

 高亮度大功率宽条形半导体激光器腔面氮氢钝化研究

乔忠良 张晶 芦鹏 李辉 李特 李林 高欣 曲轶 刘国军 薄报学

[摘要]提升宽条形半导体激光器腔面抗光学灾变(COD)能力,改善宽条形半导体激光器的输出工作特性,一直是高亮度大功率宽条形半导体激光器器件工艺研究的核心。基于氮氢混合气体的等离子体反应钝化原理,通过AlN高效导热薄...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2013, 50(12):122502

 带有多环耦合结构的环形半导体激光器

张斯钰 乔忠良 周路 王云华 贾宝山 刘春玲 薄报学 高欣 曲轶

[摘要]为了提高半导体激光器的光谱纯度、亮度和工作稳定性,对多环耦合结构的半导体激光器进行了研究。采用多环耦合与弯曲有源波导共端输出结构,使得环形结构激光器输出在光谱纯度、亮度和工作稳定性方面得到了大幅改善。...

 PDF全文中国激光 | 2013, 40(02):0202004

 980 nm半导体激光器腔面温度特性分析

郑晓刚 李特 芦鹏 曲轶 薄报学 刘国军 马晓辉 李再金

[摘要]研究分析了980 nm半导体激光器的腔面温度特性。半导体激光器腔面光学灾变损伤(COD)是限制器件寿命和高功率输出的主要因素,通过分析腔面热源,建立腔面温度分布模型,分析了腔面温度场分布。设计了以金刚石为钝化膜的...

 PDF全文中国激光 | 2013, 40(11):1102004

 2.0 μm 波段Sb基多量子阱材料的制备

李占国 尤明慧 邓昀 刘国军 李林 高欣 曲轶 王晓华

[摘要]采用分子束外延外延生长技术,优化InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱点材料的生长速率、生长温度和束流比等生长参数,获得了高质量的多量子阱材料。室温光荧光谱表明,材料的发光波长为2.0 μm左右。该结果表明,通过优化生长...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2013, 25(02):505-507

 分布反馈式光纤激光器的光热调谐方法

赵强 王永杰 徐团伟 戴兴 李芳 曲轶

[摘要]针对现有光纤激光器调谐方法通常不能兼顾调谐幅度和调谐速率的问题,提出了一种基于光热效应的调谐方法,有效兼顾了调谐幅度和调谐速率的要求。分析了光纤激光器的输出波长随泵浦功率变化而改变的实验现象,并以980 ...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2013, 25(02):355-367

 高功率905 nm InGaAs隧道结串联叠层半导体激光器

李辉 曲轶 张剑家 辛德胜 刘国军

[摘要]设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200 μm、腔长800 μm 的半导体激光器。两...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2013, 25(10):2517-2520

 980 nm 垂直腔面发射激光器低欧姆接触电阻制备

李再金 曲轶 薄报学 刘国军 王立军

[摘要]研究了980 nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)欧姆接触技术.降低VCSEL的欧姆接触电阻,可有效地提高VCSEL的输出功率和延长其可靠性.P面采用高掺杂的P-GaAs/Ti/Pt/Au系统,N面采用N-GaAs/Ge/Au/Ni/Au系统,通过优化合金温...

 PDF全文光子学报 | 2012, 41(02):249-252

 1.06 μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性

李再金 芦鹏 李特 曲轶 薄报学 刘国军 马晓辉

[摘要]研究了1.06 μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器厘米bar模块的温度特性,测试分析了该模块的输出光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性。结果表明,器件在15~55 ℃范围内所测的输出光功...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(06):647-650

 980 nm半导体激光器腔面膜钝化新技术

李再金 李特 芦鹏 曲轶 薄报学 刘国军 王立军

[摘要]研究了不同腔面钝化方法对980 nm渐变折射率波导结构InGaAs/AlGaAs半导体激光器输出激光功率的影响。将980 nm半导体激光器管芯前后腔面不蒸镀钝化膜与蒸镀Si钝化膜和蒸镀ZnSe钝化膜的方法进行了对比。结果表明,蒸镀Z...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(05):525-528

 阳极氧化法制备Y型TiO2纳米管

杨旭 曲轶 范翊 刘星元

[摘要]在含有质量分数为0.5%的NH4F和体积分数为5% 的H2O的乙二醇混合溶液中,采用三步阳极氧化法制备了表面形貌高度有序的Y型TiO2纳米管阵列。讨论了钛片预处理过程对优化TiO2纳米管阵列表面形貌的影响以及采用升温法制备Y...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(03):269-274

 高功率1060 nm半导体激光器波导结构优化

李特 郝二娟 李再金 王勇 芦鹏 曲轶

[摘要]针对高功率1060 nm半导体激光器的外延结构,分析了影响器件功率进一步提高的原因.根据分析,优化了激光器的量子阱结构和波导结构,并理论模拟了波导宽度对模式和输出功率的影响.根据不同模式的光场分布,对量子阱有源...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2012, 31(03):226-230

 无吸收模式滤波结构高亮度大功率宽条形半导体激光器

乔忠良 薄报学 高欣 张斯钰 王玉霞 芦鹏 李辉 王勇 李特 李再金 曲轶 刘国军

[摘要]提升宽条形半导体激光器水平方向激射光输出的光束质量,改善宽条形半导体激光器的工作特性,一直是大功率、高亮度宽条形半导体激光器器件工艺研究的难点。基于激射光在无源波导内的衍射原理制备宽条形半导体激光器的...

 PDF全文中国激光 | 2011, 38(04):0402003

 C-mount封装不同激光器芯片尺寸的热阻分析

马祥柱 霍晋 曲轶 杜石磊 王宇

[摘要]采用波长漂移法对基于C-mount封装类型的不同尺寸芯片的热阻进行测量, 得到了使热阻最小的最佳芯片尺寸和铟焊料厚度。测量结果表明,在铟焊料厚度为10 μm、输出功率为2 W、条宽为200 μm、腔长为2 000 μm时,激光器...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(02):184-187

 不同形状InN/GaN量子点应变场的有限元分析

闫明雪 赵博 李辉 张斯钰 马祥柱 曲轶

[摘要]量子点中的应变场分布对量子点的力学稳定性、压电性能以及光电性能有着重要的影响。基于有限元方法,并考虑了InN/GaN材料的六方纤锌矿结构特性,分别对透镜形、平顶六角金字塔形和六角金字塔形量子点的应变分布进行了...

 PDF全文半导体光电 | 2011, 32(02):212-215

 自由空间用半导体激光器抗辐射的研究

杨旭 曲轶 李辉 赵博 赵强 张斯钰 高欣 薄报学 刘国军

[摘要]为了提高半导体激光器的抗辐射性能,满足空间应用的需要,在介绍了空间辐射环境的基础上,对空间辐射在半导体激光器中产生的总剂量效应、单粒子翻转效应和位移效应进行了分析,并探讨了半导体激光器在空间辐射环境中相...

 PDF全文半导体光电 | 2011, 32(01):30-33

 多线阵半导体激光器的单光纤耦合输出

高欣 薄报学 乔忠良 芦鹏 王玉霞 李辉 曲轶

[摘要]设计并研制了一种多线阵半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块.激光器芯片采用了分子束外延方法生长的宽波导、双量子阱结构AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用6只准直的线阵半导体激光器,器件腔长为1.2 mm,...

 PDF全文光子学报 | 2010, 39(07):1229-1234

 基于AlN膜结构VCSEL热特性的研究

马祥柱 张斯钰 赵博 李辉 霍晋 曲轶

[摘要]本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和SiO2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布.目的是证明AlN膜钝化层要比SiO2膜钝化层有具更好的特性,使器件能更稳定的...

 PDF全文光子学报 | 2010, 39(12):2113-2117

 基于AlN膜钝化层VCSEL激光器热特性的研究

马祥柱 霍晋 曲轶 杜石磊

[摘要]用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和SiO2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.123℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VC...

 PDF全文应用光学 | 2010, 31(06):1023-1026

 金属有机化学汽相外延1.3微米InAs/GaAs量子点的光学特性

李林 刘国军 李占国 李梅 王晓华 曲轶 薄报学

[摘要]本文利用低压金属有机化学汽相沉积技术在GaAs衬底上自组织外延生长InAs量子点,并分析了量子点的光学特性。利用较低的生长温度和较高的InAs覆盖层方法获得的InAs量子点样品,光荧光谱测量结果表明了量子点具有良好的...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2009, 7(08):741

 高性能高光束质量808 nm锥形半导体激光器

李辉 刘国军 曲轶 王玉霞 李梅 芦鹏 乔忠良

[摘要]自由空间激光通信由于其具有数据传输容量大、传输路径的高度方向性、高保密性的固有优点,使其成为下一代光通信技术的发展方向之一。锥形半导体激光器是自由空间激光通信系统中最重要的光源。主要介绍808 nm锥形半导体...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(s2):11-13

 基于AlxNy绝缘介质膜的新型窗口大功率半导体激光器

乔忠良 薄报学 么艳平 高欣 张晶 王玉霞 刘春玲 卢鹏 李辉 曲轶

[摘要]提升半导体激光器的腔面抗光学灾变(COD)损伤的能力,改善半导体激光器的工作特性,一直是大功率半导体激光器器件工艺研究的难点。基于薄膜应力使基底半导体材料带隙变化的原理,采用直流磁控溅射方法在不同条件下溅射...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(09):2277-2281

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