首页 > 论文 > 标签

Hi,您目前在 全部期刊 '李占国', 共找到 24个内容。

   将选定结果: 

 荧光粉沉降对发光二极管光色特性的影响

庄允益 王 勇 李占国 李文博 杨 磊 邹 军

[摘要]针对白光发光二极管(LED)器件封装中存在的荧光粉沉淀现象, 对点胶后不同静置时间下白光LED的光学性能和色坐标集中度进行了研究。研究结果表明, 当荧光粉静置时间在0~30 min时, 色坐标落点较为集中, 中心坐标位于色容...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2017, 54(10):101601

 定位生长量子点的金字塔形衬底的制备

李占国 王勇 尤明慧 高欣 李再金 李特 刘国军 曲轶

[摘要]在理想情况下,单光子是由量子点单光子源发光产生的。量子点单光子发射器件的制作主要利用自组织生长方法在图形衬底上结合光学微腔结构实现。采用金字塔形衬底制备量子点可实现量子点的高定位生长, 该方法易于制备和隔...

 PDF全文中国激光 | 2017, 44(04):0413001

 红荧烯薄膜生长及稳定性的研究

张玉婷 王卓 孙洋 闫闯 尹丽 孙丽晶 李占国 王丽娟

[摘要]利用原子力显微镜研究了二氧化硅衬底上红荧烯薄膜的生长及稳定性。在较低沉积速率下, 较低衬底温度时, 红荧烯分子有充足的扩散时间, 利于薄膜的横向生长, 形成连续性、均匀性较好的薄膜。快速蒸镀及较高衬底温度使红...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(08):1047

 掺杂石墨烯量子点对P3HT∶PCBM太阳能电池性能的影响

邹凤君 范思大 谢强 孙洋 孙丽晶 李占国 王丽娟

[摘要]为研究掺杂石墨烯量子点(GQDs)对聚合物电池的影响, 采用溶剂热法制备了GQDs, 掺杂到聚3-己基噻吩和富勒烯衍生物(P3HT∶PCBM)中作光敏层制备了聚合物太阳能电池。掺杂不同浓度的GQDs后, 聚合物电池的开路电压和填充因...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(09):1082

 基于AC 110 V LED芯片制备立体发光灯片研究

庄允益 王勇 李占国 李文博 王艺燃 杨磊 邹军

[摘要]基于交流(AC)110V发光二极管(LED)芯片制备了立体发光灯片, 并对AC LED的光学均匀性和热学均匀性进行研究。通过改变荧光粉胶的配比来提高正反面的光学均匀性, 研究发现, 当立体灯片反面的荧光粉胶与正面的比例达到30%...

 PDF全文光电子技术 | 2016, 36(03):150

 基于倒装芯片制备LED灯丝的光学热学研究

张思源 王勇 王艺燃 李占国 李文博 邹军

[摘要]利用倒装芯片制备LED灯丝, 并对其光学、热学的均匀性进行测试分析。采用BM-7瞄点式亮度计和Fluke Ti32成像热仪, 分别对灯丝亮度、色温和表面温度进行测试。实验测得灯丝正面的亮度与色温均高于反面, 测得灯丝反面的温...

 PDF全文光电子技术 | 2016, 36(03):168

 2 μm半导体激光器有源区量子阱数的优化设计

安 宁 刘国军 李占国 李 辉 席文星 魏志鹏 马晓辉

[摘要]利用LASTIP软件理论分析了有源区量子阱数目对不同组分的InGaAsSb/AlGaAsSb 2 μm半导体激光器能带、电子与空穴浓度分布以及辐射复合率等性能参数的影响。研究表明:量子阱的个数是影响激光器件性能的关键参数,需要综...

 PDF全文红外与激光工程 | 2015, 44(07):1969

 2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究

安宁 刘国军 刘超 李占国 刘鹏程 魏志鹏 方玄 马晓辉

[摘要]为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率, 设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构, 并利用SimLastip软件对器件进行了数值模拟。研究表明, 在势垒中适当引入张应变可以改善量子阱的能带结构, 提...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(02):205

 具有电子阻挡层的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱激光器

安宁 刘国军 李占国 常量 魏志鹏 马晓辉

[摘要]为了降低2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱激光器的阈值电流并获得良好的温度特性, 在p型波导层及限制层之间引入AlGaAsSb电子阻挡层。采用理论计算方法模拟了电子阻挡层对 InGaAsSb/AlGaAsSb LD输出特性的影响。研究结...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(10):1205

 InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构及自发发射谱

安宁 李占国 何斌太 芦鹏 方铉 魏志鹏 刘国军

[摘要]讨论了不同In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构,即带隙及带边不连续性(带阶)的影响。给出了较为精准的InGaAsSb禁带宽度与In组分的关系。分析了In组分对InGaAsSb/GaSb导带、价带带阶的作用。研究表明,随In组分的增...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2014, 26(11):111008

 980 nm半导体激光器n型波导结构优化

安宁 芦鹏 魏志鹏 李占国 马晓辉 刘国军

[摘要]为了提高980 nm半导体激光器的输出功率并获得较小的远场发散角,在非对称波导结构的基础上设计了n型波导结构,即在n型波导中引入高折射率的内波导层。采用理论计算和SimLastip软件模拟对常规非对称波导结构和内波导结构...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2014, 26(10):101015

 2.0 μm 波段Sb基多量子阱材料的制备

李占国 尤明慧 邓昀 刘国军 李林 高欣 曲轶 王晓华

[摘要]采用分子束外延外延生长技术,优化InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱点材料的生长速率、生长温度和束流比等生长参数,获得了高质量的多量子阱材料。室温光荧光谱表明,材料的发光波长为2.0 μm左右。该结果表明,通过优化生长...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2013, 25(02):505-507

 GaSb基半导体激光器功率效率研究

王跃 刘国军 李俊承 安宁 李占国 王玉霞 魏志鹏

[摘要]为了提高GaSb基半导体激光器的功率效率和可靠性,研究了GaSb基半导体激光器欧姆接触形成机理并提出了一种新型四层金属欧姆接触结构(Ni/AuGe/Mo/Au)。进行了Au/Mo/AuGe/Ni/n-GaSb在150 ℃~450 ℃退火温度下欧姆接触的...

 PDF全文中国激光 | 2012, 39(01):0102010

 GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算

张帆 李林 王勇 邹永刚 李占国 马晓辉 隋庆学 刘国军

[摘要]本文利用简单模型综合考虑了带间跃迁、自由载流子吸收和带隙收缩对半导体激光器线宽展宽因子的影响,给出了半导体激光器线宽展宽因子的一种较为简便的计算方法.首先从理论上推导出线宽展宽因子的计算公式,分析并计算...

 PDF全文光子学报 | 2011, 40(04):521-525

 采用MBE生长1.6~2.3 μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱

尤明慧 高欣 李占国 刘国军 李林 李梅 王晓华 薄报学

[摘要]采用分子束外延生长了不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料。X射线衍射发现量子阱材料有多级衍射卫星峰出现, 表明量子阱的界面均匀性和质量较好。研究了不同In组分与光致发光波长的关系, 光荧光谱测试表明, 所...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(03):282-284

 Ga束流低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物的研究

李占国 刘国军 尤明慧 李林 李辉 冯明 李梅 高欣 李联合

[摘要]采用低流量III族Ga束流在分子束外延中低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物。采用高能电子衍射监控衬底表面氧化物清理过程并得出氧化物清理速率及氧化层对高能电子的吸收系数。根据清理速率对衬底温度依赖的Arrhenius关系...

 PDF全文光学学报 | 2011, 31(10):1016003

 InGaAsSb量子阱的MBE生长和光致发光特性研究

邹永刚 刘国军 马晓辉 史全林 李占国 李林 隋庆学 张志敏

[摘要]采用分子束外延(MBE)技术生长InGaAsSb多量子阱结构, 利用光致发光光谱对材料的生长特性进行了研究。研究了衬底温度对材料激发光谱强度的影响, 探索了发光波长与有源层量子阱厚度的关系。发现外延生长时衬底温度对材料...

 PDF全文光散射学报 | 2011, 23(04):336-339

 采用AlSb缓冲层生长2.3 μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构

尤明慧 高欣 李占国 刘国军 李林 李梅 王晓华

[摘要]针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过X-射线测试, 有多级衍射卫星峰出现, 表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好, 引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2010, 22(08):1716-1718

 金属有机化学汽相外延1.3微米InAs/GaAs量子点的光学特性

李林 刘国军 李占国 李梅 王晓华 曲轶 薄报学

[摘要]本文利用低压金属有机化学汽相沉积技术在GaAs衬底上自组织外延生长InAs量子点,并分析了量子点的光学特性。利用较低的生长温度和较高的InAs覆盖层方法获得的InAs量子点样品,光荧光谱测量结果表明了量子点具有良好的...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2009, 7(08):741

 InGaAsSb/InP的MBE生长及特性

李占国 刘国军 尤明慧 李林 金哲军 李梅 王勇 王晓华

[摘要]研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射(RHHEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线双晶衍射(XRDCD)和光致发光(PL...

 PDF全文发光学报 | 2009, 30(05):630-633

 超低密度自组织InAs/GaAs量子点

李林 刘国军 Lin Li 李占国 Guojun Liu 李梅 王晓华 Zhanguo Li Mei Li Xiaohua Wang

[摘要]本文采用低压金属有机化学汽相沉积,利用较高生长温度和较低InAs覆盖层方法在GaAs衬底上获得了超低密度(8×106 cm-2)InAs量子点。低温10K微区光荧光谱测量结果表明了超低密度量子点只有一个发光峰。这个结果说...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2008, 6(06):443

 810 nm非对称波导InGaAlAs/AlGaAs双量子阱半导体激光器

李林 刘国军 Lin Li 李占国 Guojun Liu 李 梅 王晓华 Zhanguo Li 李 辉 Mei Li 万春明 Xiaohua Wang Hui Li and Chunming Wan

[摘要]本文利用分子束外延技术,制备810nm非对称波导InGaAlAs/AlGaAs双量子阱半导体激光器,获得了高量子效率和高功率转换效率。其阈值电流密度和斜率效率分别为180A/cm2和1.3W/A,内损耗和内量子效率分别为1.7cm-1 和93%。...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2008, 6(04):268

 低密度长波长InAs量子点的生长与特性

李林 刘国军 李占国 李 梅 王晓华

[摘要]本文利用低压金属有机化学汽相沉积技术,分析了生长参数对GaAs衬底上自组织外延生长InAs量子点的影响。利用较高生长温度和较低InAs覆盖层方法获得了低密度InAs量子点(密度大约为5×108 cm-2)。光荧光谱测量结果表...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2008, 6(01):71

 InP基InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器的子带跃迁计算

金哲军 刘国军 李占国 李梅

[摘要]采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对In0.53Ga0.39Al0.08As/InxGa1-xAs0.9Sb0.1量子阱结构的能带进行了计算。求得了C1-HH1跃迁波长随In组分及阱宽的变化关系,并采用力学平衡模型计算了此应变材...

 PDF全文光学学报 | 2008, 28(s1):60-64

首页上一页1下一页尾页