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   将选定结果: 

 低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究

王凯 邢艳辉 韩军 赵康康 郭立建 于保宁 李影智

[摘要]利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46cm3/min的CP2Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(02):229

 AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性质的影响

陈翔 邢艳辉 韩军 李影智 邓旭光 范亚明 张晓东 张宝顺

[摘要]采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN隔离层厚度约为1.5 nm的HEMT材料,二维电子气...

 PDF全文中国激光 | 2013, 40(06):0606005

 外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究

李影智 邢艳辉 韩军 陈翔 邓旭光 徐晨

[摘要]采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜, 在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品, 并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(10):1084-1088

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