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 基于间接跃迁模型的p+-GaAsSb费米能级研究

高汉超 尹志军 程伟 王元 许晓军 李忠辉

[摘要]重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料, 重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数, 这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质, 以及费米能级与Sb组分的...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(08):1057-1060

 N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长

李亮 罗伟科 李忠辉 董逊 彭大青 张东国

[摘要]采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇摆曲线和光致荧光(PL)谱测试研究了成核层生长时间对N极性GaN薄膜晶体质量和发光性能的...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(11):1500-1504

 POF芯材中残留挥发性组分对其损耗的影响

李忠辉 马新胜 吴秋芳

[摘要]随着通信技术的发展, 视频和图像传输对网络宽带提出了更高的要求。塑料光纤(POF)由于线径较粗, 使得光纤的接口成本得到降低。POF据此也被认为是解决“最后一公里”的最佳媒介。芯材PMMA树脂的纯度是影响POF损耗的关键...

 PDF全文光通信研究 | 2009, 35(05):51-54

 MSM型氮化镓紫外探测器研究

姜文海 陈辰 周建军 李忠辉 郑惟彬 董逊

[摘要]以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362 nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在15 V偏压下响应度为071 A/W,紫...

 PDF全文光电子技术 | 2009, 29(01):11-13

 新型1×4塑料光纤功率耦合器的研制

葛文萍 李忠辉 殷宗敏 周正利

[摘要]提出了一种新型的塑料光纤功率耦合器,该耦合器与传统的拉锥型和混合棒塑料光纤耦合器不同。理论分析了它的损耗特性。该耦合器基于塑料光纤本身的热特性,分别将塑料光纤进行拉锥和热缩构成耦合器的两端,结构简单,制作...

 PDF全文光学学报 | 2003, 23(08):961-963

 850 nm有源区无铝高功率SCH-SQW激光器

李忠辉 王玉霞 王玲 高欣 王向武

[摘要]设计并制作了条宽100μm,腔长1 mm的有源区无铝高功率SCH-SQW激光器,室温连续输出功率达1 W,阈值电流密度为460A/cm2,外微分量子效率为0.68 W/A,激射波长为849 nm(腔面未镀膜).

 PDF全文中国激光 | 2002, 29(01):5-6

 高亮度InGaN基白光LED特性研究

李忠辉 丁晓民 杨志坚 于彤军 张国义

[摘要]利用自行研制的InGaN/GaN SQW蓝光LED 芯片和YAG:Ge3+荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3),并对其发光强度、色度坐标、I-V、色温及显色性等特性进行了研究.实验结果表明:室温下,正向电流为20mA时,白光LED的轴向发光强度为...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2002, 21(05):390-392

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