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   将选定结果: 

 表面硫钝化对GaAs材料光响应特性的影响

夏宁 方铉 容天宇 王登魁 房丹 唐吉龙 王新伟 王晓华 李永峰 姚斌 魏志鹏

[摘要]采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利于表面态密度...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(06):0603002

 高灵敏度InAs/AlSb 量子阱的霍尔器件

武利翻 苗瑞霞 李永峰 杨小峰

[摘要]用分子束外延在GaAs (001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件, 一个是没有掺杂的量子阱结构, 一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温度的关系。结果表明, 在300 K下, Si-δ掺杂...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(12):1650

 N2流量对N掺杂MgZnO薄膜结构和性能的影响

高丽丽 李永峰 徐莹 张淼 姚斌

[摘要]利用射频磁控溅射方法, 使用Mg0. 04Zn0.96O 陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体, 在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜。研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(06):689-694

 复合材料的热波检测图像增强方法研究

刘涛 罗志军 李永峰 陈仲亮

[摘要]采用小波变换方法对复合材料红外热波检测的图像增强进行研究。先对小波变换图像增强的原理进行介绍,将其分为初始化、分解、非线性增强和重构等4个步骤。然后对检测图像进行3层小波分解。随后,分别对3层分解系数进行增...

 PDF全文光电子技术 | 2013, 33(01):49-53

 He-Ne激光对增强UV-B辐射拟南芥抗氧化系统的损伤修复

姜晓燕 高丽美 李永峰 韩榕

[摘要]以培养6周左右的拟南芥为材料,采用UV-B辐射(剂量1 KJ/m2/d)和He-Ne激光器(波长632.8 nm,输出功率5 mW·mm2,辐照时间60 s)对材料进行处理,分成CK(没有经过UV-B或激光辐照)组、B(UV-B辐射)组、BL(UV-B和激...

 PDF全文光子学报 | 2011, 40(05):712-717

 生长在p-GaAs衬底上的ZnO基异质结二极管电致发光

李炳辉 姚斌 李永峰 邓蕊 张振中 刘卫卫 单崇新 张吉英 申德振

[摘要]利用等离子体辅助分子束外延在p型砷化镓衬底上制备了ZnO异质结发光二极管。实验表明:GaAs与ZnO之间的氧化镁绝缘层能够有效改善器件光电性能, I-V特性的研究表明该器件具有良好的整流特性, 开启电压为3 V, 电致发光光...

 PDF全文发光学报 | 2010, 31(06):854-858

 在数字信号处理器上实现I2C接口

李永峰 国澄明 何晓成

[摘要]数字信号处理器(DSP)广泛应用于各种信息处理系统中,同时I2C也是一种广泛使用的芯片间的通讯总线,所以在实际应用中,DSP与I2C总线接口的问题十分重要.通过对DSP及I2C总线读写时序的分析,提出了一种在DSP上实现I2C主接口...

 PDF全文红外与激光工程 | 2003, 32(03):326-330

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