首页 > 论文 > 标签

Hi,您目前在 全部期刊 '李特', 共找到 26个内容。

   将选定结果: 

 定位生长量子点的金字塔形衬底的制备

李占国 王勇 尤明慧 高欣 李再金 李特 刘国军 曲轶

[摘要]在理想情况下,单光子是由量子点单光子源发光产生的。量子点单光子发射器件的制作主要利用自组织生长方法在图形衬底上结合光学微腔结构实现。采用金字塔形衬底制备量子点可实现量子点的高定位生长, 该方法易于制备和隔...

 PDF全文中国激光 | 2017, 44(04):0413001

 半导体激光器电导数及其可靠性的研究

刘夏 李特 路国光 郝明明

[摘要]为了探索和验证半导体激光器电导数参数与其可靠性的关系,将12 个半导体激光器串联后进行高温加速电老化,直到器件不激射。监测在加速老化过程中半导体激光器电导数参量的变化情况。通过分析老化期间监测的数据,发现...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2015, 52(04):041404

 非对称异质波导半导体激光器结构

李特 郝二娟 张月

[摘要]提出了一种非对称异质波导半导体激光器外延结构,即通过优化选择材料体系和结构厚度,对器件外延层的P侧限制结构和N侧限制结构分别设计,从而降低器件的电压损耗,使其满足高输出功率以及高的电光转换效率的要求.从载流子...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2015, 34(05):613

 MOCVD生长GaAsP/GaInP量子阱材料的发光特性

苑汇帛 李林 乔忠良 孔令沂 谷雷 刘洋 戴银 李特 张晶 曲轶

[摘要]通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光测试结果的分析,讨论了势垒层生长温度、势阱层Ⅴ/Ⅲ比以及衬底偏向角对外延片发光波...

 PDF全文中国激光 | 2014, 41(05):0506002

 MOCVD生长1.06 μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究

刘洋 李林 乔忠良 苑汇帛 谷雷 戴银 李特 曲轶

[摘要]利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长...

 PDF全文中国激光 | 2014, 41(11):1106001

 带有模式扩展层的小发散角激光器模拟研究

戴银 李林 苑汇帛 乔忠良 谷雷 刘洋 李特 曲轶

[摘要]模拟了带有模式扩展层的半导体激光器,研究了中心波导层、扩展波导层和内限制层对激光器性能的影响。经过优化获得了一个条宽为50 μm,远场发散角为23°,阈值电流为117.8 mA,限制因子为2.37%的激光器。远场发散...

 PDF全文中国激光 | 2014, 41(11):1102004

 高功率980 nm半导体激光器波导结构优化

吴丽娜 李特 李再金 乔忠良 李林 王荣力 曲轶 刘国军

[摘要]为了提高980 nm半导体激光器的出光功率,在外延结构中加入了扩展波导,并优化了激光器的垒层厚度和波导层组分,将光场以有源区为中心的对称分布转化为以扩展波导和有源区同为中心的对称分布,降低了有源区限制因子,...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(s2):s214010

 InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究

戴银 李林 苑汇帛 乔忠良 孔令沂 谷雷 刘洋 李特 曲轶 刘国军

[摘要]利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600 ℃、生长速率为1.15 ...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(11):1131001

 高亮度大功率宽条形半导体激光器腔面氮氢钝化研究

乔忠良 张晶 芦鹏 李辉 李特 李林 高欣 曲轶 刘国军 薄报学

[摘要]提升宽条形半导体激光器腔面抗光学灾变(COD)能力,改善宽条形半导体激光器的输出工作特性,一直是高亮度大功率宽条形半导体激光器器件工艺研究的核心。基于氮氢混合气体的等离子体反应钝化原理,通过AlN高效导热薄...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2013, 50(12):122502

 单模垂直腔面发射激光器的研究动态

郝永芹 晏长岭 马晓辉 刘国军 冯源 李特 魏志鹏 姜会林

[摘要]垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低阈值电流、圆形光斑、高调制带宽、易于单纵模激射以及高密度二维光集成等优势。在实际应用中,单横模VCSEL是光通信、高速局域网、光互连等许多应用领域的理想光源。在分析VCSEL的结构...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2013, 50(10):100003

 980 nm半导体激光器腔面温度特性分析

郑晓刚 李特 芦鹏 曲轶 薄报学 刘国军 马晓辉 李再金

[摘要]研究分析了980 nm半导体激光器的腔面温度特性。半导体激光器腔面光学灾变损伤(COD)是限制器件寿命和高功率输出的主要因素,通过分析腔面热源,建立腔面温度分布模型,分析了腔面温度场分布。设计了以金刚石为钝化膜的...

 PDF全文中国激光 | 2013, 40(11):1102004

 离面准李特洛色散光路的光程差

张尹馨 杨怀栋 黄战华 金国藩

[摘要]分析了离面准李特洛(off-plane quasi-Littrow, OP-QL)色散光路中子午光束、 弧矢光束的对应关系, 揭示了离面角将引起弧矢光束旋转, 并使球面镜和光栅的弧矢光束不再相互对应的特性, 指出系统弧矢光程差(optical p...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2013, 33(07):1992-1996

 1.06 μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性

李再金 芦鹏 李特 曲轶 薄报学 刘国军 马晓辉

[摘要]研究了1.06 μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器厘米bar模块的温度特性,测试分析了该模块的输出光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性。结果表明,器件在15~55 ℃范围内所测的输出光功...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(06):647-650

 980 nm半导体激光器腔面膜钝化新技术

李再金 李特 芦鹏 曲轶 薄报学 刘国军 王立军

[摘要]研究了不同腔面钝化方法对980 nm渐变折射率波导结构InGaAs/AlGaAs半导体激光器输出激光功率的影响。将980 nm半导体激光器管芯前后腔面不蒸镀钝化膜与蒸镀Si钝化膜和蒸镀ZnSe钝化膜的方法进行了对比。结果表明,蒸镀Z...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(05):525-528

 高功率1060 nm半导体激光器波导结构优化

李特 郝二娟 李再金 王勇 芦鹏 曲轶

[摘要]针对高功率1060 nm半导体激光器的外延结构,分析了影响器件功率进一步提高的原因.根据分析,优化了激光器的量子阱结构和波导结构,并理论模拟了波导宽度对模式和输出功率的影响.根据不同模式的光场分布,对量子阱有源...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2012, 31(03):226-230

 无吸收模式滤波结构高亮度大功率宽条形半导体激光器

乔忠良 薄报学 高欣 张斯钰 王玉霞 芦鹏 李辉 王勇 李特 李再金 曲轶 刘国军

[摘要]提升宽条形半导体激光器水平方向激射光输出的光束质量,改善宽条形半导体激光器的工作特性,一直是大功率、高亮度宽条形半导体激光器器件工艺研究的难点。基于激射光在无源波导内的衍射原理制备宽条形半导体激光器的...

 PDF全文中国激光 | 2011, 38(04):0402003

 980 nm垂直腔面发射激光器的变温输出特性

梁雪梅 王烨 秦莉 李特 宁永强 王立军

[摘要]为了研究温度对980 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)输出特性的影响,理论计算模拟了温度为365 K和400 K时980 nm VCSEL 的功率-电流特性(P-I)曲线,计算了器件的特征温度。实验结果验证了理论计算结果,依据实验结果分析了温...

 PDF全文中国激光 | 2010, 37(01):87-91

 高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列

崔锦江 宁永强 张岩 孔鹏 刘光裕 张星 王贞福 史晶晶 李特 秦莉 刘云 王立军

[摘要]报道了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)阵列。通过调制阵列中各单元直径以及单元间距,得到1 kW/cm2的高功率密度和高斯远场分布,且在工作电流0~6 A内远场发散角均小于20°。阵列由直径分别...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(08):1941-1945

 微透镜集成大功率垂直腔面发射激光器

王贞福 宁永强 张岩 史晶晶 李特 崔锦江 刘光裕 张星 秦莉 孙艳芳 刘云 王立军

[摘要]为了改善大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的模式特性, 在GaAs衬底上采用限制扩散湿法刻蚀技术制作出了不同曲率半径的微透镜, 与P型和N型分布式布拉格反射镜(DBR)构成复合腔结构, 可以对腔内模式进行选择。有源区采用...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(08):1963-1967

 大功率垂直腔面发射激光器中减小p-DBR串联电阻的途径

张建伟 宁永强 王贞福 李特 崔锦江 张岩 刘光裕 张星 秦莉 刘云 王立军

[摘要]为了使垂直腔面发射激光器(VCSEL)实现大功率、高效率的激光输出,对p型分布布喇格反射镜(DBR)形成的同型异质结在界面处存在大势垒导致的高串联电阻和严重发热现象进行了研究。为降低串联电阻,实现VCSEL在室温下的大功...

 PDF全文中国光学 | 2009, 2(01):65-70

 Temperature dependent characteristics of 980 nm two-dimensional bottom emitting VCSEL arrays

李特 宁永强 孙艳芳 崔锦江 秦莉 晏长岭 张岩 彭彪 刘光裕 刘云 王立军

[摘要]

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2007, 5(s1):156

 Vertical cavity surface emitting lasers fabricated with pulsed anodic oxidation

崔锦江 宁永强 孙艳芳 李特 刘光裕 张岩 彭彪 王立军

[摘要]

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2007, 5(s1):145

 980 nm高功率VCSEL的光束质量

李特 宁永强 孙艳芳 崔锦江 郝二娟 秦莉 套格套 刘云 王立军 崔大复 许祖彦

[摘要]利用CCD成像技术,设计出一种简单的测量垂直腔面发射激光器(VCSEL)的光束质量因子M2的方法。在注入电流分别为900 mA,1500 mA,3000 mA和6000 mA时,对出光孔径300μm, 激射波长为980 nm的垂直腔底面发射激光器的束腰等光...

 PDF全文中国激光 | 2007, 34(05):641-645

 LD泵浦的全固态激光器的单频实现方法

郝二娟 李特 檀慧明 钱龙生

[摘要]由于"绿光问题"的存在,使得全固态腔内倍频激光器的应用备受限制.本文详细分析了用单纵模法实现全固态腔内倍频激光器单频输出的各种方法和实验装置.

 PDF全文激光杂志 | 2006, 27(02):14-15

 LD端面泵浦的高输出单频Nd:YVO4绿光激光器

郝二娟 檀慧明 李特 苗杰光 付喜宏 钱龙生

[摘要]用激光二极管(LD)抽运Nd:YVO4晶体,采用四镜环形腔结构,腔内放置由法拉第旋光器,λ/2波片及布氏片组成的光学单向器,利用KTP内腔倍频技术,实现了高输出单频Nd:YVO4绿光激光器及稳定的单频激光输出.在9 W的泵浦功率下,最...

 PDF全文光学 精密工程 | 2006, 14(04):580-583

 高功率980 nm垂直外腔面发射激光器(VECSEL)的理论研究

何春凤 路国光 单肖楠 秦莉 晏长岭 宁永强 李特 孙艳芳 王立军

[摘要]利用周期谐振增益结构设计了以InGaAs/GaAsP/AlGaAs为有源区的980 nm二极管泵浦垂直外腔面发射半导体激光器.根据理论模型计算了纵模限制因子、阈值增益、光增益、输出功率等特征参数,优化了激光器特征参数并设计了OPS...

 PDF全文光学 精密工程 | 2005, 13(03):247-252

首页上一页1下一页尾页