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 像增强器阴极脉冲与屏极亮度稳定性关系研究

杨 晔 倪小兵 延 波 智 强 李军国

[摘要]针对装配有自动门控电源的像增强器在高照度的情况下会出现闪烁的现象,结合自动门控电源阴极高压脉冲信号的离散特性和人眼视觉特性,分析了整管在高照度的情况下出现人眼可见闪烁现象的原因及解决办法,提出亮度最小...

 PDF全文红外技术 | 2018, 40(07):691

 三代微光像增强器光阴极保护方法研究

倪小兵 杨晔 延波 智强 李军国

[摘要]本文主要研究三代微光像增强器光阴极保护。通过对三代微光像增强器性能分析,确定高照度下影响像增强器光阴极性能的主要因素,并分析了常规直流高压电源阴极保护电路,给出自动门控电源两种阴极保护电路设计思路。实...

 PDF全文红外技术 | 2018, 40(05):492

 太赫兹时域光谱技术用于准确快速地提取薄片的光学参数

韩晓惠 崔洪亮 张 瑾 杨 晔 马宇婷 代广斌 李明亮 常天英

[摘要]由于太赫兹辐射能量低并且脉冲宽度窄(皮秒量级), 太赫兹时域光谱技术作为一种提取材料光学参数的新兴光谱分析手段具有无损伤和高时间分辨率的特点。法布里-珀罗震荡是透射模式太赫兹时域光谱提取薄片的光学参数的主要...

 PDF全文红外与激光工程 | 2017, 46(05):0525003

 阴极脉冲占空比与荧光屏电流关系研究

延 波 杨 晔 倪小兵 智 强 李军国 邓广绪

[摘要]自动门控电源作为微光像增强器的能量来源,其阴极脉冲占空比与荧光屏电流的关系对完善自动门控电源的自动亮度控制(ABC)电路设计具有重要意义。从自动门控电源与微光像增强器的匹配应用方面分析了阴极脉冲占空比对荧...

 PDF全文红外技术 | 2017, 39(08):757

 一种16 mm微光像增强器电源MCP高压调控电路设计

智强 倪小兵 延波 杨晔 李军国 姚泽

[摘要]16 mm微光像增强器电源是 16 mm微光像增强器的重要组成部件, 为像增强管提供阴极、微通道板(MCP)、屏极提供所需的工作电压, 实现像增强器的自动亮度控制(ABC)和阴极保护功能。本文通过对 16 mm微光像增强器 MCP高压的...

 PDF全文红外技术 | 2017, 39(06):564

 基于自动门控电源的微光像增强器信噪比研究

倪小兵 延波 杨晔 杨书宁 智强 李军国 姚泽 邓广绪

[摘要]针对实验中同一微光像增强器的信噪比在装配自动门控电源后有偏低现象,从而开展了以下研究:首先通过借鉴微光像增强器的信噪比公式,理论推导分析了阴极高压脉冲对信噪比的影响;其次分别给微光像增强器光电阴极施加...

 PDF全文红外技术 | 2017, 39(03):284

 基于太赫兹时域光谱技术的光学参数提取方法的研究进展

韩晓惠 张 瑾 杨 晔 马宇婷 常天英 崔洪亮

[摘要]光学参数是宏观上表征材料光学性质的物理量, 间接反映了材料的微观特性, 对光学参数准确的提取可以研究材料的微观性质和机理。 近年来, 太赫兹时域光谱技术作为一种新兴的光谱分析手段已经成为研究的热点。 由于太赫...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2016, 36(11):3449

 基于脉冲计数的零相位差跳变补偿外差干涉信号处理方法

张恩政 郝群 杨晔 周砚江

[摘要]在基于脉冲计数的外差干涉信号处理中,提出了一种零相位差跳变补偿的大小数相位结合处理方法,可实现外差干涉信号处理中大小数的准确结合。大数测量采用对两路干涉信号进行脉冲计数同步对减的方法实现,小数测量采用...

 PDF全文光学学报 | 2015, 35(05):0512004

 850 nm锥形半导体激光器的温度特性

黄海华 刘云 杨晔 秦莉 宁永强 王立军

[摘要]采用激射波长为850 nm的AlGaInAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制增益量子阱结构的外延片,分别制备了具有锥形结构和条形结构的半导体激光器,并对比分析了两者的温度特性。结果显示,测试温度为20~70 ℃时,锥形结构器...

 PDF全文中国光学 | 2013, 6(02):201-207

 基于自动门控电源的微光像增强器动态范围研究

延波 智强 李军国 王钰 杨晔 姚泽 杜木林 邓广绪

[摘要]像增强器作为微光夜视装备的核心器件, 其动态范围研究具有重要意义。论述了基于自动门控电源的微光像增强器动态范围扩展的意义, 分析讨论了自动门控电源 MCP电压、阴极脉冲宽度、阴极脉冲频率、阴极开启电压与微光像...

 PDF全文红外技术 | 2013, 35(05):300-303

 基于PLD器件的门控技术在微光像增强器中的应用

智强 延波 杨晔 李军国 姚泽 王钰 苗壮 邓广绪

[摘要]针对微光像增强器在高照度条件下会出现图像饱和的问题, 提出将基于 PLD器件的门控技术应用于微光像增强器电源中。论述了微光像增强器门控技术、光阴极门控原理、以及 PLD器件应用于门控技术中的原理和实现方法。给出...

 PDF全文红外技术 | 2013, 35(03):180-184

 布拉格反射波导激光器的光谱特性

汪丽杰 佟存柱 杨晔 曾玉刚 宁永强 秦莉 刘云 王立军

[摘要]设计并制备了基于双边非1/4波长布拉格反射波导的边发射半导体激光器, 中心腔采用低折射率材料, 在垂直方向利用布拉格反射进行光限制, 实现了超大光斑尺寸且稳定单横模工作。10 μm条宽、未镀膜的脊型激光器在准连续和...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(09):1227-1232

 微光像增强器自动门控电源技术研究

邓广绪 延波 智强 杨晔 李军国 王钰 杜木林 刘术林

[摘要]针对微光像增强器在高照度下出现的输出图像饱和现象,提出了混合式自动亮度控制方法,论述了微光像增强器自动门控技术、光电子快门控制原理,以及大动态范围自动亮度控制方法,给出了自动门控电源设计框图和混合式自...

 PDF全文红外技术 | 2012, 34(03):155-159

 850 nm高亮度锥形半导体激光器的光电特性

杨晔 刘云 秦莉 张金龙 彭航宇 王烨 李再金 胡黎明 史晶晶 王超 宁永强 王立军

[摘要]采用激射波长为850 nm的AlGaInAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制增益量子阱结构的外延片,设计并制备了具有条形结构和锥形结构的半导体激光器。在输出功率同为1 W时,锥形激光器的发散角、光束传播因子和亮度分别为4&...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(06):593-597

 808 nm大功率半导体激光器阵列的优化设计

杨晔 刘云 秦莉 王烨 梁雪梅 李再金 胡黎明 史晶晶 王超 王立军

[摘要]采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明:引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2011, 23(01):35-38

 大功率垂直腔面发射激光器列阵的串接结构

史晶晶 秦莉 刘迪 彭航宇 曹军胜 杨晔 宁永强 刘云 王立军

[摘要]为了在不提高驱动电流的前提下增大垂直腔面发射激光器的输出功率,提出了一种将多个垂直腔面发射激光器芯片串接在一起的结构。首先,将垂直腔面发射激光器芯片焊接在氮化铝陶瓷热沉上,接着用金丝引线的方法以串联方...

 PDF全文光学 精密工程 | 2011, 19(10):2309-2313

 大功率无铝量子阱半导体激光阵列特性

胡黎明 李再金 秦莉 杨晔 王烨 刘云 王冰冰 王立军

[摘要]针对微通道热沉封装的大功率无铝量子阱半导体激光阵列(LDA)建立三维有限元模型,模拟分析了热沉温度、工作电流以及占空比等工作条件对有源区温度的影响,并通过实验手段研究了不同工作条件下,大功率半导体激光阵列的输...

 PDF全文中国激光 | 2010, 37(02):379-384

 808 nm边发射二极管激光器特征温度

梁雪梅 秦莉 王烨 杨晔 李再金 王超 宁永强 王立军

[摘要]研究了波导层材料为Al0.65Ga0.35As时的3种不同厚度(0.4,0.5和0.6 μm)和3种不同的AlGaAs基大光学腔(Al0.65Ga0.35As-1 μm,Al0.6Ga0.4As-1.5 μm和Al0.45Ga0.55As-2 μm)的808 nm边发射二极管激光器的输出特性。理论计...

 PDF全文光学学报 | 2010, 30(05):1390-1395

 高占空比大功率半导体激光线阵热特性分析

胡黎明 李再金 秦莉 杨晔 王烨 刘云 王立军

[摘要]针对微通道热沉封装半导体激光列阵(LDA)建立三维有限元热分析模型,对其在20%高占空比工作时的瞬态和稳态温度分布进行模拟分析。模拟结果表明加电流后的几十微秒内有源区温度缓慢上升,此后相邻发光单元之间发生热交叠...

 PDF全文光学学报 | 2010, 30(04):1055-1060

 808 nm含铝半导体激光器的腔面镀膜

李再金 胡黎明 王烨 杨晔 彭航宇 张金龙 秦莉 刘云 王立军

[摘要]研究了高功率808 nm量子阱脊型波导结构含铝半导体激光器在空气中解理时不同镀膜方法对输出激光功率的影响,讨论了半导体激光器的灾变性光学镜面损伤机理及其腔面钝化薄膜的选择特性。对半导体激光器管芯前后腔面不镀...

 PDF全文光学 精密工程 | 2010, 18(06):1258-1263

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