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 脉冲溅射功率对含硅量子点SiCx薄膜的结构和光学特性的影响

赵飞 杨雯 莫镜辉 张志恒 杨培志

[摘要]采用射频和脉冲磁控共溅射法并结合快速光热退火法制备了含硅量子点的SiCx薄膜.采用掠入射X射线衍射、喇曼光谱、紫外-可见-近红外分光光度计和透射电子显微镜对薄膜进行表征.研究了脉冲溅射功率对薄膜中硅量子点数量、...

 PDF全文光子学报 | 2017, 46(12):1231002

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