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   将选定结果: 

 基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究

田伟男 熊聪 王鑫 刘素平 马骁宇

[摘要]在红光半导体激光器芯片上采用GaAs介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区由一个9 nm厚的GaInP量子阱和两个350 nm厚的AlGaInP量子垒构成, 利用MOCVD方法在芯片表面生长GaAs介质膜。在950 ℃...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(08):1095

 电致发光用于大功率半导体激光器失效模式分析

刘启坤 孔金霞 朱凌妮 熊聪 刘素平 马骁宇

[摘要]利用电致发光(EL)的方法, 研究了突然失效的975 nm大功率应变量子阱激光器。起初, 我们以为激光器失效是由于腔面发生了突然光学灾变(COMD)。然而, 通过EL实验, 发现其中一部分激光器腔面没有任何损伤, 而内部发生了突...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(02):180

 外延叠层多有源区激光器的结构优化设计

侯继达 熊聪 祁琼 刘素平 马骁宇

[摘要]基于分离的非对称大光腔结构,对激射波长为905 nm的外延叠层三有源区大功率脉冲半导体激光器的外延结构进行优化设计。通过优化近场光场模式、自由载流子吸收损耗、相邻发光区之间距离以及掺杂浓度分布等关键参数,提...

 PDF全文光学学报 | 2018, 38(10):1014001

 非对称波导结构提高980 nm激光二极管电光效率的机理研究

王俊 白一鸣 刘媛媛 崇锋 熊聪 王翠鸾 冯小明 仲莉 刘素平 马骁宇

[摘要]采用高电流注入条件下的载流子扩散方程和复折射率波导模型情况下的亥姆霍兹方程, 对980 nm高功率激光二极管外延材料的非对称和对称波导结构的光吸收损耗进行了理论计算。采用低压金属有机化学气相外延技术制备了两种...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2010, 22(08):1785-1789

 优化p型波导层厚度提高半导体激光器电光转换效率

崇锋 王俊 熊聪 王冠 赵懿昊 马骁宇

[摘要]理论分析了p型波导层厚度对半导体激光器阈值电流、内损耗以及串联电阻的影响,优化得到该参数对器件电光转换效率的影响。由此设计了波导结构,并制作了波长为980nm非对称高效率半导体激光器。器件的光电特性测试为:腔长...

 PDF全文光学学报 | 2009, 29(12):3419-3423

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