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 快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响

智民 方铉 牛守柱 房丹 唐吉龙 王登魁 王新伟 王晓华 魏志鹏

[摘要]研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明，当退火温度为800 ℃时，材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升；当退火温度为900 ℃时，材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(05):051603

 PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响

陈芳 方铉 王双鹏 牛守柱 方芳 房丹 唐吉龙 王晓华 刘国军 魏志鹏

[摘要]研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA, 在300 ℃、350 ℃和370 ℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的AlN层, 并讨论了AlN薄膜的生...

 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(04):0421001