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快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响
[摘要]研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800 ℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升;当退火温度为900 ℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能...
 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(05):051603
[摘要]研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA, 在300 ℃、350 ℃和370 ℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的AlN层, 并讨论了AlN薄膜的生...
 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(04):0421001
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