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 偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用

黄志鹏 赵守仁 孙雷 孙朋超 张传军 邬云华 曹鸿 王善力 胡志高 杨平雄 褚君浩

[摘要]薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗口层区域杂质补偿情况、主结势垒高低、背势垒高度等,还可以得出耗尽区宽度以及少子扩...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2014, 33(04):395-399

 CuInSe2薄膜的化学溶液制备方法

朱晓晶 马建华 姚娘娟 梁艳 江锦春 王善力 褚君浩

[摘要]采用了一种低成本化学溶液法制备铜铟硒(CuInSe2, CIS)薄膜.研究了预退火温度、硒化温度及基片衬底等实验参数对材料性能的影响.采用硝酸铜和氯化铟配置前驱体溶液,旋涂法制膜,后经480℃硒化退火得到CIS薄膜.XRD测试...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2014, 33(03):231-236

 不同方法及衬底类型对CdS多晶薄膜性能的影响

丛家铭 潘永强 邬云华 张传军 王善力

[摘要]采用化学水浴法和磁控溅射法分别在AZO、FTO、ITO透明导电玻璃衬底上制备了CdS薄膜,利用扫描电镜、XRD以及透射光谱等测试手段,研究了两种制备方法对不同衬底生长CdS薄膜形貌、结构和光学性能的影响.研究结果表明,不...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2014, 33(02):149-153

 CdS薄膜的可见和近红外光谱性能研究

张传军 丛家铭 邬云骅 曹鸿 王善力 褚君浩

[摘要]在康宁 7059玻璃衬底上采用磁控溅射、化学水浴和近空间升华法制备 CdS薄膜, 在 FTO、ITO、 AZO衬底上采用磁控溅射法制备 CdS薄膜。分别对两组 CdS薄膜的形貌、结构和光学性能进行了研究, 结果表明: 采用不同工艺和衬...

 PDF全文红外技术 | 2013, 35(05):259-264

 基于双结模型非理想太阳能电池伏安特性参数数值分析

赵守仁 黄志鹏 孙雷 孙朋超 张传军 邬云骅 曹鸿 黄志明 王善力 褚君浩

[摘要]提出了一种对于太阳电池光照条件和暗特性条件下对其伏安特性全段进行拟合提取参数的改进方法.对太阳电池J-V曲线进行分段, 提取每段的4个关键参数: 串联电阻(Rs)、并联电阻(Rsh)、品质因子(n)、反向饱和电流密度(J0)....

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2013, 32(05):389-394

 不同退火条件对磁控溅射CdS薄膜性能的影响

张传军 邬云骅 曹鸿 赵守仁 王善力 褚君浩

[摘要]采用磁控溅射法,在衬底温度300 ℃制备CdS薄膜,并选取370 ℃、380 ℃、390℃三个温度退火,获得在干燥空气和CdCl2源+干燥空气两种气氛下退火的CdS薄膜.通过研究热处理前后CdS薄膜的形貌、结构和光学性能表明,CdS薄...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2013, 32(04):298-303

 沉积参数对射频磁控溅射制备的碲锌镉薄膜的影响

曹鸿 褚君浩 王善力 邬云骅 张传军

[摘要]采用Cd0.96Zn0.04Te靶, 利用射频磁控溅射制备碲锌镉薄膜, 通过改变基片温度、溅射功率和工作气压, 制得不同的碲锌镉薄膜.将制备的碲锌镉薄膜放置在高纯空气气氛中, 在473 K温度下退火.利用台阶仪、分光光度计、XRD和...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2013, 32(02):97-101

 磁控溅射制备Zr膜的应力研究

曹鸿 张传军 王善力 褚君浩

[摘要]为了研究磁控溅射方法制备的Zr膜的应力分布情况, 采用探针轮廓仪测量镀膜前后基片在1维方向上的形变, 根据镀膜前后基片曲率半径的变化和Stoney公式, 用自编应力计算软件计算出薄膜的内应力。结果表明, Zr膜中主要存在...

 PDF全文激光技术 | 2012, 36(06):742-744

 聚苯乙烯滤光膜均匀性的研究

曹鸿 张传军 王善力 褚君浩

[摘要]为了研究静置时间、液面下降速度对聚苯乙烯(C8H8)滤光膜厚度和均匀性的影响, 采用浸渍法制备了C8H8滤光膜, 通过改变静置时间、液面下降速度,制备了不同的样品。用Vecco Dektak6.0探针轮廓仪测量样品厚度, 利用插值法...

 PDF全文激光技术 | 2012, 36(05):623-626

 Cu(In,Ga)Se2薄膜的制备及其表征

崔艳峰 袁声召 王善力 胡古今 褚君浩

[摘要]CuIn1-x GaxSe2 (CIGS)为直接带隙半导体,其带隙宽度随In/Ga比而变化,且对可见光具有很高的吸收系数,是最有希望用于制作新一代高效、低成本薄膜太阳能电池的材料.采用直流溅射和后硒化工艺制备了系列CIGS薄膜,研究...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2011, 30(03):198-201

 分子束外延HgCdTe表面缺陷研究

陈路 巫艳 于梅芳 王善力 乔怡敏 何力

[摘要]采用GaAs作为衬底研究了HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷.借助SEM分析了不同缺陷的成核机制,确定了获得良好表面形貌所需的最佳生长条件.发现HgCdTe外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关.获得的外延层表...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2001, 20(06):406-410

 HgCdTe分子束外延In掺杂研究

巫艳 王善力 陈路 于梅芳 乔怡敏 何力

[摘要]报道了用MBE方法生长掺In的n型HgCdTe材料的研究结果.发现In作为n型施主在HgCdTe中电学激活率接近100%,其施主电离激活能至少小于0.6meV.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在~3×1015cm-3水平....

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2001, 20(03):174-178

 分子束外延HgCdTe材料的光致发光研究

姬荣斌 常 勇 王善力 杨建荣 何 力

[摘要]报道了分子束外延生长Hg0.68Cd0.32Te材料的光致发光测量结果。 研究了原生样品和退火处理样品、 以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。 对光致发光的测试结果进行拟合得到的禁带宽度, 与用红外透射谱得到的薄膜禁带...

 PDF全文光学学报 | 1999, 19(09):1284-1288

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