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 大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律

王新强 黎大兵 刘 斌 孙 钱 张进成

[摘要]高质量氮化镓(GaN)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是GaN基材料及其量子结构的固有特点, 对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值, 受到各...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(11):1305

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