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将选定结果：
[摘要]采用直流磁控溅射的方式，在浮法玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过改变薄膜沉积时间，制备出不同厚度的ITO薄膜。随着膜厚由16 nm逐渐增大到271 nm，其结晶程度得到增强，对应的载流子浓度由4.79×1020 cm...
PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(05):051602
快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响
[摘要]研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明，当退火温度为800 ℃时，材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升；当退火温度为900 ℃时，材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能...
PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(05):051603
[摘要]为了解决半导体激光器传统刻蚀工艺中侧壁陡直度差和器件难以重复制作的问题, 利用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的刻蚀手段, 对980 nm锥形半导体激光器刻蚀工艺进行优化.通过对台面粗糙度与刻蚀速度的研究, 确定湿法腐蚀液...
PDF全文光子学报 | 2018, 47(09):0914003
[摘要]利用时域有限差分法研究了Au纳米天线对GaSb纳米线的消光增强.通过分析不同形状Au纳米阵列的电场特性和光学特性, 发现三角形为最优结构, 并具有高强度共振吸收峰和高的电场增强倍数.分别对三角形尺寸和纳米线的间距进...
PDF全文光子学报 | 2018, 47(05):0516006
[摘要]利用等离子体增强原子层沉积系统, 使用氮等离子体对Te掺杂GaSb的表面进行刻蚀, 改善样品的发光特性.在室温下(300 K), 发光强度提高了4倍.在低温光谱测试中, 发现了由Te掺杂导致的TeSb施主缺陷相关的发光峰, 峰位位置...
PDF全文光子学报 | 2018, 47(03):0316001
[摘要]采用湿法硫钝化的方式，显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍，光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因，结果表明，钝化处理有利于表面态密度...
PDF全文中国激光 | 2018, 45(06):0603002
[摘要]在蓝宝石衬底上制备了具有不同铝(Al)掺杂浓度的掺铝氧化锌(AZO)薄膜, 并对其进行了紫外-可见吸收光谱、霍尔效应、折射率及介电常数测试, 研究了Al组分对AZO薄膜的光电、表面等离子体性质的影响。随着Al组分浓度的逐渐...
PDF全文中国激光 | 2018, 45(05):0503001
[摘要]利用Ar+等离子体处理ZnO纳米线, 通过对不同处理时间后的样品进行变温光谱测试, 分析了处理前后ZnO发光性质的变化。结果表明：随着处理时间的增加, 其室温带边发光强度先增加后减小, 处理90 s时是原生样品的2.45倍, 位...
PDF全文中国激光 | 2018, 45(10):1003002
[摘要]采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术, 以NH3为掺杂源, 制备了氮δ掺杂Cu2O 薄膜, 研究了N掺杂对Cu2O薄膜表面形貌、光学及电学性质的影响。研究结果表明, N掺杂引起了晶格畸变, Cu2O薄膜的表面粗糙度增大; 掺杂后C...
PDF全文中国激光 | 2018, 45(01):0103003
[摘要]利用等离子体增强原子层沉积系统, 以逐层刻蚀方式对GaSb进行氮(N)钝化处理, 研究了钝化过程中刻蚀周期对GaSb钝化效果的影响。研究结果表明, 当刻蚀周期数为200时, 钝化效果最好; 刻蚀周期数不足(100)时, 钝化效果最弱...
PDF全文中国激光 | 2018, 45(01):0103001
[摘要]本文利用拉曼光谱对不同种类的毒品进行检验,利用拉曼光谱对同分异构体氯胺酮和羟亚胺、同系物合成大麻素JWH-018和JWH-073进行区分,并结合R软件,对成分未知的摇头丸样品中各组分的含量进行分析;并且利用拉曼光谱成像技...
[摘要]采用激光拉曼光谱技术对10种印文色料进行了测试研究,基于R软件编写测试所需源代码,根据实验所得印文色料的拉曼测量数据,设定不同参数范围后对数据进行聚类分析,从而得到印文色料的分类。与传统方法中根据拉曼特征峰位...
