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 三明治结构电子阻挡层中势阱深度对LED性能的影响

章敏杰 梅霆 王乃印 朱凝 王达飞 李浩 文洁

[摘要]在LED中引入了Al0.1Ga0.9N-AlxGa1-xN-Al0.1Ga0.9N多层电子阻挡层, 并讨论结构中插入的势阱深度(即中间层AlxGa1-xN的Al组分“x”)的变化对LED性能带来的影响。研究发现, 具有三明治结构电子阻挡层(EBL)的LED比传统LED...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(10):1367-1372

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