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 Co元素掺杂CrSi2的第一性原理计算

秦铭哲 肖清泉 何安娜 周士芸 冯磊

[摘要]采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对Co掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。结果表明,掺杂后的CrSi2 晶格常数无明显变化,禁带宽度增大。由于Co元素3d电子的影响,在费米能级...

 PDF全文人工晶体学报 | 2020, 49(02):229

 Mo掺杂Mn4Si7的光电性质的第一性原理计算

谢杰 张晋敏 冯磊 潘王衡 王立 贺腾 陈茜 肖清泉 谢泉

[摘要]采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法, 计算了Mn4Si7及Mo掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质。计算结果表明Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.804 eV, Mo掺杂Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.636 eV。掺杂使得 Mn4Si7费米面附近的电...

 PDF全文人工晶体学报 | 2020, 49(01):99

 倍增层厚度对In0.53Ga0.47As/InP雪崩二极管器件特性的影响

王航 袁正兵 谭明 顾宇强 吴渊渊 肖清泉 陆书龙

[摘要]利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8 μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度的增加,器件的贯穿电压和击穿电压均呈现增大趋势。基于Silvaco模拟计算了APD器件的倍增...

 PDF全文光学学报 | 2020, 40(18):1804001

 In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性

袁正兵 肖清泉 杨文献 肖梦 吴渊渊 谭明 代盼 李雪飞 谢泉 陆书龙

[摘要]通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法, 制备了低暗电流、宽响应范围的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下, 器件暗电流小于10 nA; -5 V偏压下电容密度低至1.43×10-8 F/cm2.在1 310 nm红外...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(03):0304002

 钴掺杂Mg2Si磁性和光学性质的第一性原理研究

廖杨芳 谢 泉 肖清泉 项飞羽 杨 真

[摘要]采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法研究了本征Mg2Si及钴(Co)掺杂Mg2Si体系的晶体结构、自旋态密度、磁性和光学性质。结果表明, Co替Mg(CoMg)缺陷的形成能为负, 可以形成稳定的缺陷。从自旋态密度可以看...

 PDF全文半导体光电 | 2018, 39(03):376

 电子束蒸发方法研究Mg2Si的薄膜及其光学带隙

肖清泉 房迪 赵珂杰 廖杨芳 陈茜 谢泉

[摘要]Mg2Si材料作为一种新型环境友好半导体材料, 其薄膜制备方法及其光学性质的研究对其应用研发起到基础性作用.采用电子束蒸发方法在Si(111)衬底上沉积Mg膜, 在氩气环境下进行热处理以制备Mg2Si半导体薄膜.采用X射线衍射...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(02):202

 Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及光学带隙研究

王善兰 廖杨芳 房迪 吴宏仙 肖清泉 杨云良 谢泉

[摘要]用磁控溅射方法在Si衬底上制备了Al掺杂Mg2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子 力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及 光学带隙值的影响。XRD结果表明随着Al掺...

 PDF全文量子电子学报 | 2017, 34(05):635

 基于狭义相对论转动质量效应的X-ray光谱分析

余志强 谢泉 肖清泉

[摘要]基于狭义相对论的基本观点, 研究了特征X-ray的产生机理, 分析了在狭义相对论下转动质量效应对X-ray光谱的影响, 导出了一个计算X-ray特征波长的公式, 同时对计算推导的特征波长值做了系统的误差分析, 得到了相对误差的...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2010, 30(04):1136-1140

 环境友好半导体Mg2Si薄膜的研究进展

赵珂杰 谢泉 肖清泉 余志强

[摘要]介绍了近年来Mg2Si薄膜的研究进展。从Mg2Si材料的晶体结构出发,重点对Mg2Si薄膜的基本性质、制备方法和应用前景进行了论述。研究表明,Mg2Si是一种窄带隙间接半导体材料,在光电和热电领域都具有较好的应用价值,因其兼...

 PDF全文中国光学 | 2010, 3(05):446-451

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