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 量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响

廖 芳 莫春兰 王小兰 郑畅达 全知觉 张建立 江风益

[摘要]利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中, 保持NH3流量不变, 通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率, 研究了量子垒生长速率对LED性能的影响。使用二次...

 PDF全文发光学报 | 2020, 41(04):429

 集成Ag基反射镜的GaN基LED薄膜芯片的静电失效演变

刘时彪 王光绪 吴小明 莫春兰 张建立

[摘要]对集成Ag基反射镜的垂直结构GaN基发光二极管(LED)薄膜芯片施加ESD(electro-static discharge)冲击,观察其静电失效的现象并对失效演变的过程进行研究。结果表明,LED芯片经过ESD冲击后,内部会随机出现ESD黑点。随着ESD...

 PDF全文光学学报 | 2020, 40(10):1023001

 InGaN绿光LED中p-AlGaN插入层对发光效率提升的影响

余 浩 郑畅达 丁 杰 莫春兰 潘 拴 刘军林 江风益

[摘要]基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED, 我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层, 并获得明显的效率提升。在35 A/cm2的电流密度下, 主波长为520 nm的LED外量子效率和光功...

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(09):1108

 量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响

邱岳 丁杰 张建立 莫春兰 王小兰 徐龙权 吴小明 王光绪 刘军林 江风益

[摘要]采用MOCVD技术在图形化硅衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱黄光LED外延材料, 研究了不同的量子阱生长气压对黄光LED光电性能的影响。使用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和荧光显微镜(FL)对晶体质量进行了表征, 使用电致发光...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(07):961

 量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响

吕全江 莫春兰 张建立 吴小明 刘军林 江风益

[摘要]使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了含V形坑的InGaN/GaN蓝光LED。通过改变生长温度, 生长了禁带宽度稍大的载流子限制阱和禁带宽度稍小的发光阱, 研究了两类量子阱组合对含V形坑InGaN/GaN基蓝光LED效率衰减的影响。使用高...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(07):923

 V形坑尺寸对硅衬底InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的影响

聂晓辉 王小兰 莫春兰 张建立 潘 拴 刘军林

[摘要]使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED, 通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸, 系统地研究了V形坑尺寸对InGaN/AlGaN近紫外LED(395 nm)光电性能的影响。结果表明, 低温GaN插入层促进了V形坑的...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(06):735

 垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响

高江东 刘军林 徐龙权 王光绪 丁杰 陶喜霞 张建立 潘拴 吴小明 莫春兰 王小兰 全知觉 郑畅达 方芳 江风益

[摘要]用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料,研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响,获得了不同电流密度下外量子效率(EQE)随垒温的变化关系。结果表明,在860~915 ℃范围内,发光效率随着垒温...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(02):202

 AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

刘军林 熊传兵 程海英 张建立 毛清华 吴小明 全知觉 王小兰 王光绪 莫春兰 江风益

[摘要]利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(02):0231003

 Si衬底GaN基蓝光LED老化性能

肖友鹏 莫春兰 邱冲 江风益

[摘要]报道了芯片尺寸为500 μm×500 μm 硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1 000 h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老...

 PDF全文发光学报 | 2010, 31(03):364-368

 δ掺杂对Si衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究

程海英 方文卿 莫春兰 刘和初 王立 江风益

[摘要]用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。报道了Si衬底GaN外延膜系列晶面的半峰全宽(FWHM)值。通过使用晶格旋转(Lattice-rotation)模型拟...

 PDF全文光学学报 | 2006, 26(08):1269-1273

 未掺杂GaN外延膜的结晶特性与蓝带发光关系的研究

李述体 江风益 范广涵 王立 莫春兰 方文卿

[摘要]采用卢瑟福背散射/沟道技术,X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试.结果表明,未掺杂GaN薄膜中出现的2.9 eV左右的蓝带发光与薄膜的结晶...

 PDF全文量子电子学报 | 2004, 21(03):366-370

 气流混合对生长GaN:Si膜性能影响的研究

莫春兰 李鹏 王立 熊传兵 彭学新 辛勇 姚冬敏 李述体 江风益

[摘要]用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN:Si膜.通过对样品的光电及结晶性能的分析,研究了气流混合时间不同对GaN:Si膜性质的影响.结果表明:合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN:Si膜的光电及结晶性...

 PDF全文光学学报 | 2002, 22(02):2-18106

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