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 GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律

雷琪琪 郭 旗 艾尔肯·阿不都瓦衣提 玛丽娅·黑尼 李豫东 王保顺 王 涛 莫镜辉 庄 玉 陈加伟

[摘要]为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制, 对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015, 1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650, 750, 850 ℃)试验, 并结合Mulassis 仿真和Ga...

 PDF全文发光学报 | 2020, 41(05):603

 脉冲功率对含硅量子点SiCx薄膜物相结构及光谱特性的影响

张志恒 赵 飞 杨 雯 莫镜辉 葛 文 李学铭 杨培志

[摘要]基于硅量子点(Si-QDs) 的全硅叠层太阳电池被认为是最有潜质的高效太阳电池之一。 目前所报道的硅量子点薄膜存在硅量子点数密度低、 缺陷多等问题, 限制了硅量子点太阳电池的光电转换效率。 微波退火(microwave annea...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2019, 39(02):529

 Sb掺杂Si3N4基Si量子点薄膜的制备与结构

莫镜辉 袁俊宝 杨培志 张志恒 王云祥 刘黎明

[摘要]基于多靶射频磁控溅射技术, 结合快速光热退火后处理制备了Sb掺杂Si3N4基Si量子点(Si-QDs)薄膜。采用透射电镜、掠入射X射线衍射、拉曼光谱和光致发光光谱等手段对薄膜的微结构和发光特性进行了研究, 分析了Sb掺杂对Si...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(02):0231003

 脉冲溅射功率对含硅量子点SiCx薄膜的结构和光学特性的影响

赵飞 杨雯 莫镜辉 张志恒 杨培志

[摘要]采用射频和脉冲磁控共溅射法并结合快速光热退火法制备了含硅量子点的SiCx薄膜.采用掠入射X射线衍射、喇曼光谱、紫外-可见-近红外分光光度计和透射电子显微镜对薄膜进行表征.研究了脉冲溅射功率对薄膜中硅量子点数量、...

 PDF全文光子学报 | 2017, 46(12):1231002

 nBn型InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器光电特性研究

胡锐 邓功荣 张卫锋 何雯谨 冯江敏 袁俊 莫镜辉 史衍丽

[摘要]设计了 nBn结构的 InAs/GaSb II类超晶格红外探测器, 从理论和实验两方面对 nBn器件的暗电流特性进行了研究, 研究结果表明: 理论计算的暗电流和实际测试结果趋势一致。另外, 研制了 p-i-n结构器件并与 nBn器件进行了比...

 PDF全文红外技术 | 2014, 36(11):863

 射频磁控溅射氧化钒薄膜的结构与性能研究

刘黎明 莫镜辉 史衍丽 曾华荣 杨培志

[摘要]以非制冷微测辐射热计型红外探测器应用为需求背景,采用射频磁控溅射技术在 300℃低温条件下制备了氧化钒薄膜。采用 X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、能量色散谱(EDS)及 X射线光电子能谱(XPS)技术表征了薄膜的结...

 PDF全文红外技术 | 2012, 34(05):260-264

 ITO靶材黑化物的X射线光电子能谱研究

刘黎明 杨培志 莫镜辉

[摘要]利用X射线光电子能谱(XPS)分析了ITO靶材黑化物的化学组成,结果表明黑化物由In、Sn、O和C组成,相对原子百分含量In为34.35%,Sn 为2.74%,O 为52.65%,C 为10.26%;In、Sn处于亚氧化状态;C有部分氧化。与原始靶材相...

 PDF全文光学与光电技术 | 2009, 7(05):84-86

 混成式热释电非制冷红外焦平面探测器技术

刘黎明 杨培志 杨瑞宇 莫镜辉

[摘要]介绍了混成式热释电焦平面探测器的基本结构和主要制备工艺流程以及国内外研究现状。混成式热释电焦平面探测器的关键制备技术主要包括热释电材料的优选与减薄技术,铟柱倒装焊混成技术、热隔离技术和读出集成电路技术...

 PDF全文光学与光电技术 | 2009, 7(03):85-88

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