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 a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响

田茂坤 黄中浩 谌 伟 王 恺 王思江 王 瑞 董晓楠 赵永亮 闵泰烨 袁剑峰 孙耒来

[摘要]本文通过电学特性测试设备在黑暗(Dark)和光照(Photo)两种测试环境下, 研究了沟道不同a-Si剩余厚度对TFT电学特性的影响。通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si 剩余厚度, 找出电学特性稳定区域以及突变的临界点。实验结果表...

 PDF全文液晶与显示 | 2019, 34(07):646

 电容式触摸屏气泡线不良的研究与改善

刘 信 杨 妮 李 辉 陈雪芳 吴海龙 袁剑峰

[摘要]在触控产品的制作过程中, 气泡线不良严重影响着产品的外观品质。本文从气泡线的产生机理入手进行研究, 发现该不良是由贴附偏光片时传感器保护层有机膜段差处与偏光片之间残留气泡导致。本文从设计面、工艺面对气泡线...

 PDF全文液晶与显示 | 2019, 34(07):676

 ADS双栅线结构高透像素设计

王小元 方 琰 王 武 白雅杰 毕瑞琳 廖燕平 李承珉 袁剑峰 邵喜斌

[摘要]大尺寸、高分辨率(4K: 3 840×2 160、8K: 7 680×4 320)、高透过率和高性价比是TV产品发展的主要方向。先进的超级多维场开关(ADS)双栅线4K阵列基板栅极(Gate on Array, GOA)产品是目前主流的TV产品之一, 因产...

 PDF全文液晶与显示 | 2019, 34(06):543

 IGZO-TFT钝化层三元复合结构过孔刻蚀

田茂坤 董晓楠 黄中浩 王 骏 王思江 赵永亮 闵泰烨 袁剑峰 孙耒来 谌 伟 王 恺 吴 旭

[摘要]IGZO-TFT钝化层设计三元复合过孔结构, 出现了20%过孔相关不良。本文以CF4/O2为反应气体, 采用控制变量法, 从功率、气体成分和比例、压力等方面对氧化物TFT钝化层的电感耦合等离子体刻蚀机理进行研究。当钝化层为SiO2...

 PDF全文液晶与显示 | 2019, 34(06):564

 一种可预测TFT-LCD垂直串扰水平的定量分析方法

周 焱 袁剑峰 吴海龙 但 艺 毛大龙 付剑波 朱海鹏

[摘要]电容耦合和TFT漏电引起的垂直串扰问题在高分辨率液晶显示器产品上变得较为突出, 大大影响了产品良率。业内通常采用VESA 2.0标准利用窗口画面测试串扰水平, 但目前还没有一种预测串扰水平的定量分析方法。本文从垂直串...

 PDF全文液晶与显示 | 2019, 34(04):366

 高世代线TFT-LCD面板对盒精度的提升

汪 栋 袁剑峰 吴洪江 刘 正 齐鹏煜 陈维涛

[摘要]对盒精度提升是高世代TFT-LCD面板生产线产品小型化、薄型化、高PPI(300+)与高开口率升级的必备核心技术。通过阵列(Array)与彩膜(CF)关键位置/尺寸匹配性优化与离散性优化, 首次尝试阵列关键位置精度(TP)非线...

 PDF全文液晶与显示 | 2019, 34(02):136

 TFT-LCD光致发绿不良改善、机理分析及研究

汪 栋 张思凯 万冀豫 袁剑峰 吴洪江 洪永泰 陈维涛

[摘要]广色域TFT-LCD产品需要使用高颜料浓度的RGB色阻, 光照状态下易于发生发绿不良, 严重影响TFT-LCD显示器件的视觉效果。通过研究不同成分的色阻制成的TFT-LCD与光电测试样板在光照前后的发绿情况以及光电特性变化, 确定...

 PDF全文液晶与显示 | 2019, 34(01):1

 HCV NS5A蛋白结构及生物学功能的研究进展

周 帆 袁剑峰

[摘要]丙型肝炎是丙型肝炎病毒(HCV)感染引起的, 是导致肝硬化和肝癌的主要病因。HCV感染已成为严重危害人类健康的社会公共卫生问题。HCV非结构蛋白5A是近年来HCV抑制剂研究的重要靶点及热点, 本文对NS5A的三个结构域以及各...

 PDF全文激光生物学报 | 2019, 28(05):410

 TFT-LCD公共电压耦合畸变的影响因素及与线残像关系的研究

林鸿涛 陈 曦 庄子华 赖意强 袁剑峰 邵喜斌

[摘要]为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对...

 PDF全文液晶与显示 | 2018, 33(04):277

 LCD面板TFT特性相关残像研究

许 卓 金熙哲 吴海龙 周 焱 张 智 闵泰烨 袁剑峰

[摘要]残像是影响TFT-LCD画面品质的重要因素, 也是发生原因最为复杂的一种不良。本论文提出了一种定量测量残像水平的方法, 同时对TFT特性引起的残像不良进行了实验研究, 得到了由TFT特性引起的交流(AC)残像发生规律及发生机...

 PDF全文液晶与显示 | 2018, 33(03):195

 大尺寸薄膜晶体管液晶显示器的一种条状显示不均的分析和改善研究

刘晓伟 田 明 李梁梁 付艳强 郭会斌 刘 耀 袁剑峰

[摘要]研究了大尺寸薄膜晶体管液晶显示器产品开发中遇到的一种新的条状显示不均。通过扫描电子显微镜、四探针测试仪和分光光度计设备对这种显示不均进行了分析, 这种显示不均与薄膜晶体管阵列基板上的金属配线的膜厚周期性...

 PDF全文液晶与显示 | 2016, 31(11):1033

 TFT-LCD中升华物组分对柱状隔垫物性能的影响

肖 宇 汪 栋 姜晶晶 李晓光 袁剑峰

[摘要]为了分析升华物组分对柱状隔垫物性能的影响机制, 对目前量产通用的隔垫物材料A和含有升华物组分的隔垫物材料B进行了研究。通过FTIR, 3D扫描显微镜, 弹性测试和量产测试等方法对隔垫物材料的升华物成分、形貌、力学性...

 PDF全文液晶与显示 | 2016, 31(01):47

 TFT栅极绝缘层和非晶硅膜层的ITO污染对电学特性影响的研究

王守坤 袁剑峰 郭会斌 郭总杰 李升玄 邵喜斌

[摘要]本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO成分会对PECVD设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产...

 PDF全文液晶与显示 | 2015, 30(06):730

 TFT有源层刻蚀均一性和电学性质的研究

王守坤 袁剑峰 郭总杰 郭会斌 刘 杰 郑云友 贠向南 李升玄 邵喜斌

[摘要]对TFT制作工艺中,TFT有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有源层的刻蚀功率,气体比例及刻蚀压强对有源层的刻蚀均一性都有较大影响,并会影响TFT电学...

 PDF全文液晶与显示 | 2015, 30(05):801

 薄膜晶体管液晶显示器阵列工艺最终关键尺寸测试方法研究

刘 耀 陈 曦 张小祥 刘晓伟 李梁梁 丁向前 郭总杰 袁剑峰

[摘要]最终关键尺寸是评价薄膜晶体管液晶显示器产品性能的一项重要参数。本文研究了在光源照度变化的条件下得到准确的最终关键尺寸的方法。通过大量的实验测试、数据分析,并配合扫描电子显微镜(SEM)图片,确定最终关键尺寸合...

 PDF全文液晶与显示 | 2015, 30(05):784

 各膜层对光刻胶灰化的影响

白金超 张光明 郭总杰 郑云友 袁剑峰 邵喜斌

[摘要]研究各膜层对灰化速率的影响,增强对灰化工艺的了解,为四次光刻工艺改善提供参考。采用探针台阶仪测量在相同灰化条件下不同膜层样品的灰化速率和有源层损失量,对结果进行机理分析和讨论。实验结果表明: 有源层会降...

 PDF全文液晶与显示 | 2015, 30(04):616

 TFT-LCD产业中GOA单元不良的研究

张小祥 颉芳霞 刘正 郭总杰 袁剑峰 邵喜斌

[摘要]通过对TFT-LCD制造过程中GOA单元不良原因的研究,提出了改善GOA单元不良的方法.分析表明静电放电(ESD)的发生在于电容瞬间释放的电流过大,导致过细的金属线熔化;沟道桥接和开裂的发生在于显影效应,显影方向以及图案密度...

 PDF全文液晶与显示 | 2015, 30(03):387

 TFT-LCD过孔接触电阻研究

白金超 王玉堂 郭总杰 丁向前 袁剑峰 邵喜斌

[摘要]研究了过孔接触电阻变化规律,并进行机理分析,为优化薄膜晶体管的过孔设计提供依据.首先,运用开尔文四线检测法对不同大小、形状、数量的钼/铝/钼结构的栅极和源/漏层金属与氧化铟锡连接过孔的接触电阻进行测试.然后,通...

 PDF全文液晶与显示 | 2015, 30(03):432

 配向膜对LCD对比度的影响

王丹 马国靖 任锦宇 徐长健 宋勇志 袁剑峰 邵喜斌

[摘要]目前,LCD行业已经趋于成熟.各大面板企业都在提升自身产品的竞争力:高分辨率、高色域、轻质化、窄边框化以及高对比度等等.本文从聚酰亚胺取向层材料方面着手提高对比度进行了研究与阐述.研究过程中利用实验室与产线进...

 PDF全文液晶与显示 | 2015, 30(01):47

 印刷型设备产生配向膜Mura研究

王丹 马国靖 宋勇志 袁剑峰 邵喜斌

[摘要]薄膜晶体管行液晶显示(TFTLCD)面板制造行业中,取向膜涂布方式主要有2种:一种为传统印刷方式辊式涂布法,另一种为新型印刷方式喷墨印刷法。本文通过对这2种印刷方式的比较,着重介绍了新型喷墨印刷法容易产生的三大...

 PDF全文液晶与显示 | 2014, 29(06):881-885

 薄膜晶体管透明电极铟锡氧化物雾状不良的分析研究

王守坤 郭总杰 袁剑峰 林承武 邵喜斌

[摘要]对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究。通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析。结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性...

 PDF全文液晶与显示 | 2014, 29(03):355-360

 配向膜材料与面残影的关联性研究

刘晓那 宋勇志 徐长健 周波 马国靖 陈松飞 袁剑峰 林承武 邵喜斌

[摘要]利用mini-cell作为评价平台,从配向膜材料自身特性角度,对配向膜材料与面残影之间的关联性进行了综合研究。一方面,配向膜材料自身优异的稳定性有助于维持电压保持率(VHR); 另一方面,配向膜材料自身的低电阻率特性...

 PDF全文液晶与显示 | 2014, 29(03):317-321

 基板支撑梢对TFT栅界面SiNx和a-Si成膜特性的影响

王守坤 孙亮 郝昭慧 朱夏明 袁剑峰 林承武

[摘要]采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是: 基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域...

 PDF全文液晶与显示 | 2012, 27(05):613-617

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