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 倍增层厚度对In0.53Ga0.47As/InP雪崩二极管器件特性的影响

王航 袁正兵 谭明 顾宇强 吴渊渊 肖清泉 陆书龙

[摘要]利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8 μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度的增加,器件的贯穿电压和击穿电压均呈现增大趋势。基于Silvaco模拟计算了APD器件的倍增...

 PDF全文光学学报 | 2020, 40(18):1804001

 In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性

袁正兵 肖清泉 杨文献 肖梦 吴渊渊 谭明 代盼 李雪飞 谢泉 陆书龙

[摘要]通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法, 制备了低暗电流、宽响应范围的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下, 器件暗电流小于10 nA; -5 V偏压下电容密度低至1.43×10-8 F/cm2.在1 310 nm红外...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(03):0304002

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