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 真空环境中脉冲激光烧蚀制备纳米银晶薄膜的生长特性

邓泽超 刘建东 王旭 孟旭东 丁学成 褚立志 王英龙

[摘要]采用XeCl准分子脉冲激光,在室温、真空环境下烧蚀银靶,通过改变激光能量密度和靶衬间距,在与靶面平行放置的Si(111)衬底上沉积了一系列纳米银晶薄膜。利用扫描电镜以及X射线衍射仪、选区电子衍射技术对薄膜进行表征,结...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(09):0903003

 电场条件下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究

邓泽超 胡自强 丁学成 褚立志 秦爱丽 傅广生 王英龙

[摘要]在室温、10Pa氩气环境氛围中, 引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加直流电场, 采用脉冲激光烧蚀技术制备了一系列纳米硅晶薄膜, 衬底分布于以烧蚀点为圆心的弧形支架上.扫描电子显微镜、喇曼散射谱和X射线衍射谱检测结果表明...

 PDF全文光子学报 | 2014, 43(12):1214004

 电场中不同能量密度激光烧蚀制备纳米硅晶粒分布特性

邓泽超 胡自强 张晓龙 褚立志 丁学成 梁伟华 王英龙

[摘要]在室温和10 Pa氩气环境中,引入平行于靶面方向的直流电场,通过改变脉冲激光能量密度烧蚀单晶硅靶,在与羽辉轴线呈不同角度的衬底上沉积纳米硅晶薄膜。利用扫描电子显微镜和拉曼散射谱对沉积样品进行分析,结果表明:...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2013, 25(08):2091-2095

 靶衬间距对传输中溅射粒子密度和速度分布的影响

丁学成 傅广生 翟小林 梁伟华 褚立志 邓泽超 赵亚军 王英龙

[摘要]采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,研究了脉冲激光烧蚀沉积纳米硅(Si)晶薄膜过程中,靶衬间距对传输中溅射粒子密度和速度分布的影响。研究结果表明,在相同时刻,烧蚀粒子和环境气体的交叠区离开靶面的距离随靶衬间距的...

 PDF全文中国激光 | 2012, 39(01):0103005

 Ar环境下脉冲激光烧蚀粒子阻尼系数的空间分布

王英龙 胡自强 邓泽超 翟小林 褚立志 丁学成 傅广生

[摘要]在10 Pa的Ar环境气体中,采用脉冲激光烧蚀技术,分别在半径为2.0,2.5,3.0,3.5和4.0 cm的半圆环不同角度处的衬底上制备了一系列含有纳米晶粒的Si晶薄膜。使用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和拉曼光谱仪对其表面形貌...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2012, 24(08):1965-1969

 外加氦气流下脉冲激光沉积制备纳米硅晶粒成核区宽度的计算

邓泽超 罗青山 丁学成 褚立志 梁伟华 陈金忠 傅广生 王英龙

[摘要]在室温、10 Pa氦气氛围中,采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过在烧蚀羽辉正上方距靶面不同位置垂直引入一束氦气流,在烧蚀点正下方与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉积了一系列纳米Si晶薄膜。扫描电子显微镜(SEM)、...

 PDF全文中国激光 | 2011, 38(10):1007001

 初始溅射烧蚀粒子总数对其传输中的密度和速度分布的影响

丁学成 傅广生 梁伟华 褚立志 邓泽超 王英龙

[摘要]采用蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟方法,研究了初始烧蚀粒子总数对其传输中的密度和速度及环境气体密度分布的影响。结果表明,随着烧蚀粒子总数增加,烧蚀粒子高密度峰离开靶的最大距离增大,到距靶最大距离处所用时间,出现...

 PDF全文中国激光 | 2010, 37(04):1127-1131

 外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的影响

王英龙 罗青山 邓泽超 褚立志 丁学成 梁伟华 陈超 傅广生

[摘要]提出一种控制脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的新方法。在10 Pa的Ar环境中,采用脉冲激光烧蚀高阻抗单晶硅靶沉积制备了纳米Si晶薄膜。在羽辉正上方2.0 cm,距靶0.3~3.0 cm范围内的不同位置引入氩气流,在烧蚀点...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2010, 22(09):2199-2202

 激光脉冲波形对烧蚀Si靶表面温度的影响

王世俊 王英龙 丁学成 梁伟华 邓泽超 褚立志 傅广生

[摘要]利用双温方程对激光烧蚀Si靶的过程进行了数值模拟, 并结合合适的初始条件和边界条件, 研究了在飞秒、皮秒激光作用下, 脉冲波形(矩形、梯形、三角形和高斯形)对Si靶表面载流子和晶格温度分布的影响。结果表明:激光功...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2010, 22(08):1843-1846

 调整靶衬间距实现纳米Si晶粒尺寸的均匀可控

王英龙 褚立志 邓泽超 闫常瑜 傅广生

[摘要]采用脉冲激光烧蚀装置,在10 Pa的氩气环境下,在1~6 cm范围内调整衬底与靶的距离沉积制备了纳米Si薄膜。X射线衍射(XRD)谱和Raman谱测量均证实,纳米Si晶粒已经形成; 利用扫描电子显微镜(SEM)观测了所形成的纳米Si薄...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(04):989-992

 衬底对单脉冲激光烧蚀下环境密度恢复时间的影响

邓泽超 褚立志 丁学成 李艳丽 梁伟华 傅广生 王英龙

[摘要]假定烧蚀粒子与环境气体原子均为刚性硬球,采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对单脉冲激光烧蚀产生的硅(Si)粒子在1000 Pa环境氦(He)气中的传输过程进行了数值模拟,研究了衬底对环境密度恢复时间的影响。结果发现,衬底对...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(11):3045-3049

 掺铒对激光烧蚀制备纳米硅晶薄膜形貌的影响

周阳 褚立志 王英龙 彭英才 傅广生

[摘要]在2×10-4 Pa真空下,采用XeCl准分子激光器(波长308 nm),调整激光单脉冲能量密度为3 J/cm2,交替烧蚀高纯单晶硅(Si)靶和铒(Er)靶,通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺Er浓度,分别在Si衬底和石英衬底上制...

 PDF全文中国激光 | 2007, 34(s1):214-217

 激光烧蚀制备按尺寸自然分离的纳米Si晶粒

褚立志 卢丽芳 王英龙 傅广生

[摘要]提出了一种将激光烧蚀制备的纳米Si晶粒按尺寸大小进行分离的新方法。在10 Pa高纯环境气体Ar下,采用波长为308 nm的XeCl准分子激光器,固定激光单脉冲能量密度为3 J/cm2,激光烧蚀电阻率为3000 Ω·cm的高纯单晶Si靶...

 PDF全文中国激光 | 2007, 34(04):555-558

 激光脉冲频率对纳米Si晶薄膜形貌的影响

傅广生 褚立志 周阳 闫常瑜 武德起 王英龙 彭英才

[摘要]在气压为10 Pa的惰性气体Ar环境下,采用XeCl准分子激光器(波长308 nm),调整激光单脉冲能量密度为4 J/cm2,激光烧蚀电阻率为3000 Ω·cm的高纯单晶Si靶,在玻璃或Si衬底上沉积制备了纳米Si晶薄膜。实验中靶和衬底间距...

 PDF全文中国激光 | 2005, 32(09):1254-1257

 对激光烧蚀沉积Ag薄膜生长率和环境气压关系的理论解析

王英龙 周阳 傅广生 彭英才 褚立志 张荣梅

[摘要]为了对激光烧蚀沉积Ag薄膜生长率和环境气压关系进行定量解释,考虑烧蚀产物在惰性气体环境中的动力学过程以及薄膜生长的沉积和二次溅射过程,并假定二次溅射几率正比于入射粒子的动能,建立了激光烧蚀沉积纳米薄膜生长的...

 PDF全文中国激光 | 2004, 31(s1):516-518

 自发发射因子调制下微腔半导体激光器的抗噪声性能

王英龙 褚立志 郑云龙 周阳 张荣梅 阎正 尚勇

[摘要]在伴随信号的噪声为加性白噪声和大输入信噪比的前提下,采用小信号近似的方法,对微腔半导体激光器的自发发射因子调制进行了频域分析,得到了实际语音信号输入下不同参数下的信噪比增益.数值模拟的结果表明,如带通滤波器...

 PDF全文中国激光 | 2004, 31(s1):235-237

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