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   将选定结果: 

 二维GaAs电子结构和光学性质的理论计算

褚玉金 张晋敏 高廷红 田泽安 梁永超 陈茜 黄忠念 谢泉

[摘要]采用基于密度泛函理论的第一性原理和分子动力学理论, 验证了二维GaAs类石墨烯结构的稳定性, 计算了二维GaAs的基态电子结构、态密度和光学性质参数。结果表明, 不同于三维GaAs, 二维GaAs最高的两个能带相互交叠, 显示...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(04):041601

 基于锁相环的激光陀螺抖动机构频率跟踪技术

马家君 谢泉 田泽安 刘健宁 蒋军彪

[摘要]基于激光陀螺抖动机构谐振频率随温度等环境因素的变化会导致抖动偏频不稳定的现象, 研究了基于锁相环的激光陀螺抖动机构谐振频率跟踪技术。在对抖动机构和锁相环传递函数分析的基础上, 应用自动控制理论, 给出了锁相...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(10):101401

 In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性

袁正兵 肖清泉 杨文献 肖梦 吴渊渊 谭明 代盼 李雪飞 谢泉 陆书龙

[摘要]通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法, 制备了低暗电流、宽响应范围的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下, 器件暗电流小于10 nA; -5 V偏压下电容密度低至1.43×10-8 F/cm2.在1 310 nm红外...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(03):0304002

 钴掺杂Mg2Si磁性和光学性质的第一性原理研究

廖杨芳 谢 泉 肖清泉 项飞羽 杨 真

[摘要]采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法研究了本征Mg2Si及钴(Co)掺杂Mg2Si体系的晶体结构、自旋态密度、磁性和光学性质。结果表明, Co替Mg(CoMg)缺陷的形成能为负, 可以形成稳定的缺陷。从自旋态密度可以看...

 PDF全文半导体光电 | 2018, 39(03):376

 N-Co共掺锐钛矿相TiO2光学性质的第一性原理研究

李鑫 范梦慧 杨云飞 谢泉

[摘要]采用基于密度泛函理论的第一性原理和广义梯度近似方法, 对N、Co单掺以及两者共掺锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质进行了研究, 并探究了两种不同的N替换O位置对掺杂结果的影响。研究结果表明, N、Co单掺杂锐钛矿相Ti...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2017, 54(12):121604

 电子束蒸发方法研究Mg2Si的薄膜及其光学带隙

肖清泉 房迪 赵珂杰 廖杨芳 陈茜 谢泉

[摘要]Mg2Si材料作为一种新型环境友好半导体材料, 其薄膜制备方法及其光学性质的研究对其应用研发起到基础性作用.采用电子束蒸发方法在Si(111)衬底上沉积Mg膜, 在氩气环境下进行热处理以制备Mg2Si半导体薄膜.采用X射线衍射...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(02):202

 Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及光学带隙研究

王善兰 廖杨芳 房迪 吴宏仙 肖清泉 杨云良 谢泉

[摘要]用磁控溅射方法在Si衬底上制备了Al掺杂Mg2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子 力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及 光学带隙值的影响。XRD结果表明随着Al掺...

 PDF全文量子电子学报 | 2017, 34(05):635

 单层MoS1.89X0.11电子结构及光学性质的第一性原理计算

范梦慧 蔡勋明 岑伟富 骆最芬 谢泉

[摘要]采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对比研究未掺杂和分别掺杂非金属P、半导体Si 及金属Al 的单层MoS2的电子结构和光学性质。计算结果表明:掺杂均转变为p 型半导体且导带向低能方向显著偏移,带隙减小,掺P和Si 由...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2015, 52(05):051602

 Tc-P共掺杂单层MoS2光电特性的第一性原理计算

范梦慧 谢泉 岑伟富 蔡勋明 骆最芬 郭笑天 闫万珺

[摘要]采用第一性原理的贋势平面波方法, 对比研究了未掺杂和掺杂过渡金属Tc、非金属P及Tc-P共掺杂的单层MoS2的电子结构和光学性质。计算结果表明: 掺杂改变了费米面附近的电子结构, 使得导带向低能方向偏移, 并且带隙由K点...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(04):582

 椭圆偏振研究溅射气压对锰膜光学性质的影响

唐华杰 张晋敏 金 浩 邵 飞 胡维前 谢 泉

[摘要]采用射频磁控溅射技术在Si(111)基片上制备金属锰膜, 用椭圆偏振光谱在2.0~4.0eV光子能量范围内研究了溅射压强对锰膜光学性质的影响.分别用德鲁得-洛伦兹模型以及有效介质模型对椭偏参数进行拟合, 结果表明随压强增大...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2015, 34(03):347

 第一性原理计算V-Al共掺杂CrSi2的光电特性

闫万珺 张忠政 郭笑天 桂放 谢泉 周士芸 杨娇

[摘要]采用第一性原理赝势平面波方法,对V-Al共掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了理论计算,并与未掺杂、V、Al单掺杂CrSi2的光电性能进行了比较。结果表明:V-Al共掺杂会增大CrSi2的晶格常数a和b,体积相应增...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(04):0416002

 应力调制下β-FeSi2电子结构及光学性质

闫万珺 张春红 桂放 张忠政 谢泉 郭本华 周士芸

[摘要]采用第一性原理赝势平面波方法对应力调制下β-FeSi2的电子结构及光学性质进行了计算,全面分析了应力对β-FeSi2能带结构、电子态密度和光学性质的影响。在各向同性应力的作用下,压缩晶格使β-FeSi2的导带向高能区漂...

 PDF全文光学学报 | 2013, 33(07):0716001

 Rh掺杂的Ru2Si3的电子结构及光学性质

崔冬萌 贾锐 谢泉 赵珂杰

[摘要]采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(09):960-965

 Al掺杂浓度对CrSi2电子结构及光学性质的影响

闫万珺 周士芸 谢泉 郭本华 张春红 张忠政

[摘要]采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对不同Al掺杂浓度CrSi2的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算表明:Al掺杂使得CrSi2的晶格常数a和b增大,c变化不大,晶格体积增大...

 PDF全文光学学报 | 2012, 32(05):0516003

 金属间化合物Ca3Si4光学性质的第一性原理计算

高冉 谢泉

[摘要]使用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对Ca3Si4块体进行了详细的计算研究,得到了金属间化合物Ca3Si4是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.372 eV;价带主要由Si的3s和3p态电子构成,导带主要由Ca的3d态电...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2011, 48(07):071601

 Ru2Si3在应力作用下的第一性原理研究

崔冬萌 贾锐 谢泉 赵珂杰

[摘要]采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明: 随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(09):907-912

 Co掺杂β-FeSi2电子结构及光学性质的第一性原理研究

闫万珺 周士芸 谢泉 桂放 张春红 郭笑天

[摘要]采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对不同Co含量的β-FeSi2的能带结构,态密度、分态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算结果表明,Co掺杂使得β-FeSi2的晶格常数a增大,b和c变...

 PDF全文光学学报 | 2011, 31(06):0616003

 β-FeSi2薄膜的厚度与光子波长的关系研究

熊锡成 谢泉 闫万珺

[摘要]结合太阳能光谱对β-FeSi2薄膜的光子吸收系数进行了整理分析,对β-FeSi2薄膜太阳能电池的吸收层厚度进行了分析和理论计算。结果表明,在理想高质量β-FeSi2薄膜的条件下,为获得90%的太阳能辐射吸收率,β-FeSi2薄膜...

 PDF全文光学学报 | 2011, 31(05):0531004

 基于狭义相对论转动质量效应的X-ray光谱分析

余志强 谢泉 肖清泉

[摘要]基于狭义相对论的基本观点, 研究了特征X-ray的产生机理, 分析了在狭义相对论下转动质量效应对X-ray光谱的影响, 导出了一个计算X-ray特征波长的公式, 同时对计算推导的特征波长值做了系统的误差分析, 得到了相对误差的...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2010, 30(04):1136-1140

 环境友好半导体Mg2Si薄膜的研究进展

赵珂杰 谢泉 肖清泉 余志强

[摘要]介绍了近年来Mg2Si薄膜的研究进展。从Mg2Si材料的晶体结构出发,重点对Mg2Si薄膜的基本性质、制备方法和应用前景进行了论述。研究表明,Mg2Si是一种窄带隙间接半导体材料,在光电和热电领域都具有较好的应用价值,因其兼...

 PDF全文中国光学 | 2010, 3(05):446-451

 Mg2-xCuxSi(x=0.25)电子结构及光学性质的研究

陈茜 谢泉

[摘要]采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法系统计算了Mg2-xCuxSi(x=0.25)的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,Mg2-xCuxSi(x=0.25)为p型半导体,Cu的d态电子在价带中起了主导作用,Mg2-xCuxSi(x=0.25)...

 PDF全文光学学报 | 2009, 29(s2):15-20

 Si(001)面上外延生长的Ru2Si3电子结构及光学性质研究

崔冬萌 谢泉 陈茜 赵凤娟 李旭珍

[摘要]基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru2Si3 (100)//Si(001),取向关系为Ru2Si3 [010]//Si[110]正交相的Ru2Si3平衡体系下能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算。计算结果表明:当1.087 nm≤a≤1.0...

 PDF全文光学学报 | 2009, 29(11):3152-3156

 锰掺杂二硅化铬电子结构和光学性质的第一性原理计算

周士芸 谢泉 闫万珺 陈茜

[摘要]采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了锰掺杂二硅化铬(CrSi2)体系的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明未掺杂CrSi2属于间接带隙半导体,间接带隙宽度ΔEg=0.35 eV;Mn掺杂后费米能级进入导...

 PDF全文光学学报 | 2009, 29(10):2848-2853

 掺杂Mg2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算

陈茜 谢泉 杨创华 赵凤娟

[摘要]采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法系统计算了Mg2Si及掺Ag、Al的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,未掺杂Mg2Si属于间接带隙半导体, 禁带宽度为0.2994 eV, 其价带主要由Si的3p及Mg的3s、3p态电...

 PDF全文光学学报 | 2009, 29(01):229-235

 非晶态金属Al中微团簇多面体结构及其演变规律的模拟研究

郑采星 刘让苏 董科军 卢小勇 彭平 刘海蓉 徐仲榆 谢泉

[摘要]对50 000个金属Al原子从液态急冷形成非晶态结构的过程进行了分子动力学模拟研究.采用原子键型和原子团簇类型指数法,发现在其微观结构的转变过程中,与不断增加的1551键型密切相关的二十面体及其缺陷结构的形成起了非常...

 PDF全文原子与分子物理学报 | 2002, 19(01):59-64

 Ag-In-Te-Sb-O薄膜光学及短波长静态记录特性的研究

李青会 侯立松 李进延 谢泉 干福熹

[摘要]以Ag-In-Te-Sb合金靶采用射频反应溅射在不同氧分压下制备了单层Ag-In-Te-Sb-O薄膜。对薄膜的反射光谱及光学常数(n,k)的研究结果表明:在分压比PO2/PAr=2%~4%时制备的薄膜反射率较高,氩气保护下在300℃退火30min后,...

 PDF全文中国激光 | 2001, 28(07):650-654

 溅射工艺参数对AgInSbTe相变薄膜光学性质的影响

李进延 侯立松 阮昊 谢泉 干福熹

[摘要]采用射频磁控溅射工艺,在K9玻璃基片上用Ag-In-Sb-Te合金靶制备了相变薄膜。对沉积态薄膜在300℃下进行了热处理,测量了薄膜的光学性质。通过改变本底气压、溅射气压及溅射功率,研究了工艺参数对薄膜光学性质的影响。实...

 PDF全文光学学报 | 2001, 21(05):638-640

 溅射气压对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响

谢泉 侯立松 干福熹 阮昊 李晶 李进延

[摘要]实验研究了氩气气压对溅射制备的Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数随波长变化的影响,结果表明:随薄膜制备时氩气气压的增加,Ge2Sb2Te5薄膜的折射率n先增大后减小,而消光系数k先减小后增大。二者都随波长的变化而变化,且在长波长...

 PDF全文光学学报 | 2001, 21(03):313-316

 不同热处理的GeTe薄膜的光学参数测量

李晶 顾铮 干福熹 谢泉 阮昊 梁培辉

[摘要]运用一种新的测量单面镀膜膜层光学参数的方法, 对不同热处理的GeTe半导体薄膜样品的光学参数进行了测量, 准确地获得了被测薄膜材料的光学参数, 并采用椭圆偏振光谱测量作比较研究。 以此为基础, 对用椭偏仪测得的数据...

 PDF全文光学学报 | 2000, 20(08):1128-1133

 氮分子激光器中的平行板传输线分析

谢泉

[摘要]

 PDF全文中国激光 | 1978, 5(04):39-43

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