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 石墨烯上生长GaN纳米线的研究

陈丁丁 陈琳 修向前 李悦文 付润定 华雪梅 谢自力 刘斌 陈鹏 张荣 郑有炓

[摘要]在常压条件下采用化学气相淀积(CVD)技术在有石墨烯插入层的衬底上生长GaN纳米线, 研究了生长温度、石墨烯插入层、催化剂等因素对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱...

 PDF全文半导体光电 | 2017, 38(06):813

 碳化硅薄膜的力学性能理论研究

何国堂 刘 斌 戴姜平 谢自力 韩 平 张 荣 王守旭 黄 旼 朱 健

[摘要]目前, SiC薄膜在极端苛刻环境下的力学性质尚不明确, 相关力学参数仍需进一步研究。文章采用模拟软件ANSYS对微尺寸的SiC薄膜在不同条件下的力学性能进行了理论分析。研究了SiC薄膜的面积和厚度对刚度的影响, 结果表明...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(06):805

 GaN基纳米阵列LED器件制备及发光特性

智婷 陶涛 刘斌 庄喆 谢自力 陈鹏 张荣 郑有炓

[摘要]为了降低GaN材料中因应变诱导的量子斯托克斯效应, 增加器件有源区内的电子-空穴波函数在实空间的交叠从而提高GaN基LEDs的发光效率, 采用紫外软压印技术制备了均匀的周期性纳米柱阵列结构, 结合常规LED器件微加工技术...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(12):1538

 黏附层以及退火气氛对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响研究

佟 路 戴姜平 谢自力 修向前 赵 红 陈 鹏 张 荣 施 毅 韩 平 郑有炓

[摘要]采用真空蒸镀方法在Si衬底上制备了Si/Au、Si/Ni/Au和Si/Ti/Au结构多层膜,进行多种条件下的退火实验,研究了不同黏附层对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响。实验结果表明,黏附层对硅的扩散起到阻挡作用,Ti层与Ni层作为阻挡...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(05):722

 GaN纳米柱发光特性

杨华 谢自力 戴姜平 修向前 赵红 陈鹏 张荣 施毅 韩平 郑有炓

[摘要]用自组装的Ni纳米岛做掩模通过ICP刻蚀得到GaN纳米柱,采用扫描电子显微镜(SEM)观测其形貌,室温下光致发光(PL)谱测量研究样品发光特性.结果表明,室温下GaN 纳米柱的发光强度是体材料的2.6倍.为了修复刻蚀损伤,用KOH对样...

 PDF全文发光学报 | 2015, 36(03):279

 新型电极材料石墨烯在LED中的应用

吴才川 刘斌 谢自力 修向前 陈鹏 韩平 张荣 孔月婵 陈辰

[摘要]石墨烯具有独特的力学、热学和光电学性能,良好的热稳定性与化学稳定性,是制备高性能导电薄膜的理想材料之一。 主要介绍了石墨烯薄膜的制备和表征技术以及石墨烯导电薄膜作为电极应用在GaN基LED中的研究进展和存在的...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2013, 50(08):080018

 纳米压印技术在LED器件制备中的应用

庄喆 刘斌 张荣 李烨操 谢自力 陈鹏 赵红 修向前 郑有炓

[摘要]纳米压印技术(NIL)是一种机械制备纳米图形的微加工技术,它具有设备简单、易于操作、重复性好和成本低等优点。同时,它可以大面积制备高分辨率的纳米图形,使得大批量低成本地生产微纳器件成为可能。而固态照明工程...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2013, 50(02):020002

 利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性

王健 谢自力 张韵 滕龙 李烨操 曹先雷 丁煜 刘斌 修向前 陈鹏 韩平 施毅 张荣 郑有炓

[摘要]研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型,利用X射线衍射(XRD)技术,对样品的对称面和非对称面做ω扫描,并且通过倒异空间图(RSM)扫描,拟合得到了刃位错与螺位错密度,并且根据在...

 PDF全文中国激光 | 2013, 40(01):0106003

 氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析

刘战辉 修向前 张李骊 张荣 张雅男 苏静 谢自力 刘斌 单云

[摘要]对在c面蓝宝石上用氢化物气相外延法(HVPE)生长的六方相纤锌矿结构的GaN膜中的应力进行了分析。 高分辨X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线扫描(半高宽数值分别为317和358角秒)表明生长的GaN膜具有较好的晶体质...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2013, 33(08):2105-2108

 AlxGa1-xN及掺Mg Al0.54Ga0.46N的阴极荧光特性

丁煜 刘斌 崔影超 赵红 谢自力 张荣 陈鹏 修向前 郑有炓

[摘要]使用AlN插入层方法由金属有机化学气相沉积(MOCVD)在GaN上生长的不同Al组分的AlxGa1-xN以及掺Mg Al0.54Ga0.46N。使用阴极荧光的测试方法先后对未掺杂AlxGa1-xN和掺杂Mg的Al0.54Ga0.46N的光学性质进行了研究。研究表明...

 PDF全文光学学报 | 2012, 32(s1):s116002

 厚度对GaN薄膜的发光性能的影响

张韵 谢自力 柴旭朝 王健 刘斌 陈鹏 张荣 韩平 施毅 郑有炓

[摘要]研究了宝石(γ-Al2O3)衬底上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统生长的不同厚度的c面氮化镓(GaN)薄膜的光学性质。研究发现不同厚度GaN薄膜的吸收截止边均在3.38 eV附近,在它们的光致发光(PL)光谱中也观察到了相同位...

 PDF全文光学学报 | 2012, 32(s1):s131004

 AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延

吴军 王荣华 韩平 葛瑞萍 梅琴 俞斐 赵红 谢自力 张荣 郑有炓

[摘要]利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。X...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(05):1209-1213

 Si1-xGex∶C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响

葛瑞萍 韩平 吴军 王荣华 俞斐 赵红 俞慧强 谢自力 张荣 郑有炓

[摘要]用化学气相淀积方法, 在Si (100) 衬底上生长Si1-xGex∶C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜, 用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量, 着重研究了Si1-xGex...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(05):1205-1208

 掺Ni的ZnO粉末的Raman光谱研究

俞慧强 李斌斌 张荣 修向前 谢自力 叶宇达 张孟群 陈强 沈剑沧

[摘要]利用拉曼(Raman)光谱对掺镍(Ni)氧化锌(ZnO)粉末的声子谱进行了研究。在掺杂样品的Raman光谱中仍能观察到未掺杂ZnO的声子模式, 此外还观察到两个额外模式。掺杂粉末中观察到ZnO的E2(h)模式表明掺Ni的ZnO仍然保持六角对...

 PDF全文光学学报 | 2009, 29(05):1324-1327

 6H-SiC同质外延层上Si1-yCy合金的生长

俞斐 吴军 韩平 王荣华 葛瑞萍 赵红 俞慧强 谢自力 修向前 徐现刚 张荣 郑有炓

[摘要]用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射等方法对所得的样品进行了表征测量, 着重研究了生长得到的Si1-yCy合...

 PDF全文中国激光 | 2008, 35(s2):316-319

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