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 高量子效率InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模拟

周振辉 徐向晏 刘虎林 李 岩 卢 裕 钱 森 韦永林 何 凯 赛小锋 田进寿 陈 萍

[摘要]将In0.53Ga0.47As吸收层设计为多个薄层, 通过不同浓度掺杂实现吸收层杂质指数分布, 建立了InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模型, 在皮秒级响应时间的前提下模拟了吸收层厚度、掺杂浓度和阴极外置偏压对阴极内量子...

 PDF全文红外与激光工程 | 2019, 48(02):0221002

 一种用于距离选通的ICCD设计与实现

何欢 田进寿 温文龙 王俊锋 刘虎林 赛小锋 韦永林 辛丽伟 李力舟

[摘要]研制了一种短余辉、高分辨率、快时间响应的高速选通超二代像增强器,通过光纤锥与CCD进行耦合成高性能距离选通ICCD,理论分析各部件的性能及其对系统空间分辨率的影响;采用FPGA设计电路控制系统,该系统产生出纳秒级的选...

 PDF全文光子学报 | 2015, 44(06):0611001

 退火对Ge薄膜及光子计数成像系统性能的影响

赵菲菲 赵宝升 赛小锋 张兴华 韦永林 邹玮

[摘要]与传统的荧光屏式像增强器相比,采用感应读出方式的光子计数探测器兼具成像质量好和时间分辨率高等优点,因此,在天文观测、侦查勘测、生物发光及材料研究等领域有着广泛的应用前景。但是,烘烤温度会影响Ge膜性能,从而恶...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2010, 8(04):361

 高阻紫外光阴极导电基底制备及性能

赵菲菲 赵宝升 韦永林 张兴华 赛小锋 邹玮

[摘要]在MgF2基片上,采用电子束蒸发镀膜法制备了掺锡氧化铟(ITO)导电基底,研究了充氧及退火对ITO薄膜电阻及紫外透射比的影响。并与传统的金属导电基底Au和Cr进行了性能比较。用光学显微镜、四探针测试仪、高阻计、X射线衍射...

 PDF全文光学学报 | 2010, 30(04):1211-1216

 Ge薄膜特性及其在光子计数成像系统中的应用

赵菲菲 赵宝升 张兴华 李伟 邹玮 赛小锋 韦永林

[摘要]利用电子束真空蒸镀方法制作了Ge薄膜,用作感应读出方式光子计数成像系统的电荷感应层,研究了石英玻璃衬底和陶瓷衬底上Ge薄膜的结构特征、表面形态以及各种工艺参数对薄膜电阻的影响。X射线衍射(XRD)测试表明,两种衬底...

 PDF全文光学学报 | 2009, 29(11):3236-3240

 超快电子枪发射系统的优化设计

吴建军 赵宝升 田进寿 王俊锋 邹玮 赛小锋

[摘要]改进了超快电子衍射系统发射部分的数值计算模型和处理方法,使得计算结果更加接近于实际发射情形.研究了阴极表面面型对超快电子衍射系统时间分辨率的影响,提出了改进超快电子衍射系统时间分辨率的一个思路,该思路对于...

 PDF全文光子学报 | 2008, 37(03):448-451

 用于线路板检测的高分辨率X射线像增强器的研制

曹希斌 赵宝升 赛小锋 韦永林 李伟 赵菲菲

[摘要]鉴于传统的检测方法无法看到封装后芯片内部的线路虚焊和桥接等问题,而且随着封装的小型化和组装的高密度化以及各种新型封装技术的不断涌现,对于检测装置的分辨率要求越来越高,而高分辨率的X射线检测装置是解决这一...

 PDF全文应用光学 | 2008, 29(06):0900-904

 一种响应波长在120nm~200nm的紫外像增强器

曹希斌 赵宝升 赛小锋 韦永林 朱香平 邹玮 王俊锋 董改云

[摘要]介绍了一种响应波长在120nm~200nm的紫外像增强器。它是采用CsI直接蒸镀在MCP上形成反射式光电阴极,用MgF2作为输入窗口,光纤面板作为输出窗的真空光电器件。管型采用近贴聚焦结构,从而使得弥散和像差得以减小,具...

 PDF全文应用光学 | 2008, 29(05):0731-734

 过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响

李晓婷 赛小锋 汪韬 曹希斌 石刚

[摘要]利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层。通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2007, 44(06):58-61

 飞秒电子衍射系统的设计

吴建军 田进寿 王俊锋 邹玮 赛小锋 赵宝升 刘运全 梁文锡 张杰

[摘要]研发的超快电子衍射系统由超快电子枪、样品室、超快读出系统、电源系统,以及真空系统等组成,该超快电子衍射系统具有较高的时间分辩能力和较强的探测能力.光电阴极是蒸镀于MgFB2窗上的35nm的银膜,该阴极对266nm的...

 PDF全文光子学报 | 2006, 35(12):1827-1831

 GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究

李晓婷 王一丁 汪韬 殷景致 王警卫 赛小锋 高鸿楷 张志勇

[摘要]采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、V/Ⅲ比、过渡层...

 PDF全文光子学报 | 2005, 34(09):1363-1366

 Ge衬底上GaInP2 材料的生长研究

李晓婷 汪韬 赛小锋 张志勇

[摘要]采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在(100)面偏(110)面 9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、生长速率等生长参数对GaInP2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,...

 PDF全文光子学报 | 2005, 34(06):909-911

 GaAs/Ge太阳能电池电极银镀层结合力的研究

李晓婷 汪韬 赛小锋 王警卫

[摘要]采用自制的LP-MOCVD设备,在Ge衬底外延生长出GaAs电池结构,并对电池结构片进行了后工艺制作,同时对电极制作中银镀层结合力的影响因素进行了研究。研究结果表明选择带电入池,无冲击电流方式时,可增强银镀层的结合力。同...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2004, 41(12):31-33

 新型菲涅尔线聚光太阳电池组件特性分析

汪韬 李晓婷 李宝霞 赛小锋 高鸿楷

[摘要]以PMMA为材料,采用热压成型工艺加工线聚焦菲涅尔聚光棱镜,对在其聚光条件下不同入射角度情况下太阳电池的电流电压特性进行测试,结果表明:该菲涅尔线聚焦棱镜能有效提高太阳电池的单位输出功率,而且具有比较宽泛的集光...

 PDF全文光子学报 | 2003, 32(09):1138-1141

 高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响

李晓婷 汪韬 赛小锋 高鸿楷

[摘要]采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在Ge衬底(100)面向(111)偏9°外延生长出GaAs电池结构,对电池材料进行了X射线衍射分析.另外,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试,测试结果表明,Ge衬底的高温...

 PDF全文光子学报 | 2003, 32(08):921-924

 新型菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件研究

汪韬 赛小锋 李晓婷 李宝霞 高鸿楷

[摘要]以聚甲基丙烯酸甲脂为材料,采用热压成型工艺加工成型线聚焦菲涅尔聚光透镜(8×),可用于空间、地面光伏系统太阳电池组件的聚光系统,并对在其聚光条件下,太阳电池的电流电压特性进行测试,结果表明,该菲涅尔线聚焦棱...

 PDF全文光子学报 | 2003, 32(05):625-627

 MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究

李宝霞 汪韬 李晓婷 赛小锋 高鸿楷

[摘要]利用低压金属有机化合物汽相淀积(LP-MOCVD)系统,通过调节生长参量和掺杂工艺,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从8×1017到4×1021可控的掺碳GaAs外延层,最后给出一应用实例-用重掺碳的GaAs 材料做级联...

 PDF全文光子学报 | 2003, 32(02):249-252

 用于光伏系统新型菲涅耳线聚焦聚光透镜设计

汪韬 李辉 李宝霞 赛小锋 高鸿楷

[摘要]根据边缘光线原理,优化设计太阳电池及光伏系统的菲涅耳线聚焦聚光透镜.设计光学聚光率为18×,可用于空间、地面光伏系统的聚光系统.分析了其集光角特性,表明该菲涅耳线聚焦棱镜具有大的集光角(±7°).

 PDF全文光子学报 | 2002, 31(02):196-199

 生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响

汪韬 李宝霞 李晓婷 赛小锋 高鸿楷

[摘要]采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积(LP-MOCVD)设备,在Ge(100)向(110)面偏9°外延生长出GaAs单晶外延层,对电池材料进行了X射线衍射测试分析,半峰宽为52″.讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响,表明抑制反向畴不...

 PDF全文光子学报 | 2002, 31(12):1479-1482

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