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 磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究

何波 徐静 宁欢颇 邢怀中 王春瑞 张晓东 莫观孔 沈晓明

[摘要]采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性, 通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/C...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2019, 38(01):44

 简易化学水浴法制备SnO2/p-Si异质结光电性能

何波 徐静 宁欢颇 赵磊 邢怀中 张建成 秦玉明 张磊

[摘要]通过一种简易化学水浴法将SnO2薄膜沉积在晶硅衬底上以制备n-SnO2/p-Si异质结光电器件, 这种自制的化学水浴装置非常便宜和方便.采用XRD、SEM、XPS、PL、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征了SnO2薄膜的微结...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(02):139

 Al2O3/GaSb p-MOSFET器件电学性质模拟

甘凯仙 王林 邢怀中

[摘要]利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关电流比.与实验研究相对比,沟道长度为0.75 μm的GaSb p-MOS器件获得漏极电流最大为61.2...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2015, 34(05):528

 Ga/N共掺杂对InSb电子结构的影响

张会媛 邢怀中 张蕾

[摘要]利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,研究了Ga和N共掺杂闪锌矿InSb半导体的电子结构和电子性质.研究发现单独掺杂Ga或N对InSb带隙的影响较小.在共掺杂Ga/N的情况下,当Ga/N浓度增加时对InSb的带隙影响明显.这些...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2012, 31(03):231-234

 掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响

张蕾 邢怀中 黄燕 张会媛 王基庆

[摘要]利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少....

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2011, 30(03):229-233

 线缺陷对二维四方圆柱形介质光子晶体禁带的影响

孙家兆 邢怀中

[摘要]利用平面波展开方法研究了二维四方格子圆柱形介质光子晶体中线缺陷对光子禁带的影响.结果表明光子晶体中的缺陷层圆柱半径及缺陷层厚度对光子晶体禁带有显著影响.TE波的第一禁带宽度随着缺陷层半径的增加先增加后减小...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2010, 29(05):389-391

 利用非规整膜系实现宽角度入射减偏振、减反射薄膜的研究

徐晓峰 邢怀中 杜西亮 范滨

[摘要]利用非均匀膜系理论对宽角度入射减偏振、减反射薄膜进行优化设计,分析了在宽角度入射的情况下,偏振光产生透过率不同的原因,选取了Na3AlF6、Ta2O5和Al2O3三种不同折射率材料,采用BK7作为基底,模拟设计了光谱区在500~...

 PDF全文光子学报 | 2007, 36(09):1691-1693

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