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 Optical characteristics of ultrathin amorphous Ge films

郭猛 贺洪波 易葵 邵淑英 胡国行 邵建达

[摘要]

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2020, 18(10):103101

 单斜相HfO2薄膜弹性常数的第一性原理计算

蔺玲 邵淑英 李静平

[摘要]用电子束蒸发沉积在K9玻璃基底上镀制HfO2薄膜,沉积温度为200 ℃,蒸发速率为0.03 nm/s。由X射线衍射谱可知薄膜出现明显结晶,且为单斜相和正交相混合结构,其中单斜相占明显优势。用Jade5软件分析得到单斜相HfO2的晶...

 PDF全文光学学报 | 2013, 33(01):0131001

 高功率激光器光学元件镀膜前后评价参数探讨

胡达飞 邵淑英 方明 齐红基 易葵

[摘要]利用ZYGO Mark Ⅲ-GPI干涉仪对120 mm×88 mm元件镀膜前后进行了面形测量,获得了峰谷值(PV)和均方根梯度(GRMS),并对镀膜前后的PV,GRMS值进行了比较,发现镀膜后PV,GRMS值分别有所增加,同时对两者进行了线性拟合,结...

 PDF全文中国激光 | 2010, 37(02):572-576

 Y2O3含量对YSZ薄膜应力、结构和光学性能的影响

肖祁陵 邵淑英 邵建达 范正修

[摘要]采用电子束蒸发法制备出四种不同Y2O3含量的氧化钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜样品。利用ZYGO Mark Ⅲ-GPI数字波面干涉仪、X射线衍射仪和紫外-可见分光光度计研究了不同Y2O3含量对薄膜的应力、结构和光学性能的影响。结果表...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2009, 7(02):162

 双光束在线实时测量光学薄膜应力的装置

朱冠超 方明 易葵 朱美萍 邵淑英 范正修

[摘要]为了在薄膜形成期间跟踪生长表面应力水平的演变, 更加深入地探究薄膜应力的产生机理, 基于光束偏转法, 搭建了利用双光束照射在镀膜基底表面的实时测量光学薄膜应力的装置。装置软件系统从线阵CCD中提取双光斑位移的变...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(08):2150-2153

 氧分压和沉积速率对YSZ薄膜残余应力的影响

肖祁陵 邵淑英 邵建达 范正修

[摘要]采用摩尔分数为7%的Y2O3掺杂的ZrO2混合烧结料为原料, 在不同的氧分压和沉积速率下用电子束蒸发方法沉积氧化钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜样品。利用ZYGO Mark Ⅲ-GPI数字波面干涉仪对YSZ薄膜的残余应力进行了研究, 讨论了氧...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(05):1195-1199

 HfO2薄膜生长应力演化研究

方明 邵淑英 沈雪峰 范正修 邵建达

[摘要]薄膜应力的存在是薄膜材料的本征特性, 对过程中薄膜应力的测量与精确控制具有重要意义。搭建了基于双光束偏转基底曲率测量装置, 再结合薄膜厚度的实时监控, 实现了对薄膜应力演化过程的观测。对HfO2薄膜的生长过程做...

 PDF全文光学学报 | 2009, 29(06):1734-1739

 退火对HfO2/SiO2多层膜残余应力的影响

申雁鸣 韩朝霞 邵建达 邵淑英 贺洪波

[摘要]用电子束蒸发方法在BK7基底上沉积了HfO2/SiO2多层膜。研究了200℃到400℃的退火对残余应力的影响。结果表明退火前的薄膜残余应力为压应力,在200℃退火后发展为张应力,然后张应力值随着退火温度的升高而增大。在400...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2008, 6(03):225

 电子束蒸发镀膜速率控制

王善成 方明 易葵 邵淑英 范正修

[摘要]介绍了电子束蒸发镀膜速率控制的基本原理和方法,选取实际生产中大量使用且蒸发特性较难控制的SiO2和HfO2,对两者的电子束蒸发速率控制分别进行了实验研究。采用比例积分微分(PID)闭环反馈控制,通过Ziegler-Nichols工...

 PDF全文中国激光 | 2008, 35(10):1591-1594

 沉积温度对氧化钇稳定氧化锆薄膜残余应力的影响

肖祁陵 贺洪波 邵淑英 邵建达 范正修

[摘要]采用自制掺摩尔分数12%的Y2O3的ZrO2混合颗粒料为原料,在不同的沉积温度下用电子束蒸发方法沉积氧化钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜样品。利用ZYGO Mark Ⅲ-GPI数字波面干涉仪对氧化钇稳定氧化锆薄膜的残余应力进行了研究,讨论...

 PDF全文光学学报 | 2008, 28(05):1007-1011

 Influences of thickness ratio of two materials on the residual stress of multilayers

申雁鸣 邵淑英 贺洪波 邵建达 范正修

[摘要]

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2007, 5(s1):272

 不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性

张东平 邵淑英 黄建兵 占美琼 范正修 邵建达

[摘要]在不同的氧分压下用电子束热蒸发的方法制备了氧化锆薄膜.用扫描探针显微镜、X射线衍射仪和分光光度计分别对薄膜的表面粗糙度、微结构和透射谱等特性进行了表征.实验发现,薄膜沉积中氧分压与薄膜性质及微结构有密切的...

 PDF全文光电工程 | 2006, 33(06):37-40

 沉积温度对电子束蒸发HfO2薄膜残余应力的影响

申雁鸣 贺洪波 邵淑英 范正修

[摘要]采用电子束蒸发沉积方法在BK7玻璃基底和熔融石英基底上沉积了HfO2薄膜,研究了不同沉积温度下的应力变化规律。利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化,计算了薄膜应力。结果发现在所考察的实验条件下HfO2薄膜...

 PDF全文中国激光 | 2006, 33(06):827-831

 薄膜应力研究

邵淑英 范正修 范瑞瑛 邵建达

[摘要]综述了近几年薄膜应力研究的重点及新进展,探讨了薄膜应力研究的发展方向。

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2005, 42(01):22-27

 氧分压对电子束蒸发SiO2薄膜机械性质和光学性质的影响

邵淑英 范正修 邵建达 沈卫星 江敏华

[摘要]采用ZYGO MarkⅢ-GPI数字波面干涉仪、NamoScopeⅢa型原子力显微镜对不同氧分压下电子束蒸发方法制备的SiO2薄膜中的残余应力及表面形貌进行了研究,结果发现:随着氧分压的增大,薄膜中的压应力值逐渐减小,最后变为张应力...

 PDF全文光子学报 | 2005, 34(05):742-745

 沉积参量及时效时间对SiO2薄膜残余应力的影响

邵淑英 田光磊 范正修 邵建达

[摘要]SiO2薄膜由电子束蒸发方法沉积而成。用GPI数字波面光学干涉仪测量了不同沉积条件下玻璃基底镀膜前后曲率半径的变化,并确定了SiO2薄膜中的残余应力。在其他条件相同的情况下,当沉积温度由190 ℃升高到350 ℃时,SiO...

 PDF全文光学学报 | 2005, 25(01):126-130

 沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响

申雁鸣 贺洪波 邵淑英 范正修 邵建达

[摘要]用电子束蒸发方法制备了HfO2薄膜,根据镀膜前后基片曲率半径的变化,用Stoney公式计算了薄膜应力,讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响.结果发现,HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随沉积温度的升高先增大后减小,在2...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2005, 17(12):1812-1816

 不同氧分压下ZrO2薄膜特性研究

张东平 邵建达 邵淑英 齐红基 高卫东 范正修

[摘要]在不同的氧分压下用电子束热蒸发的方法生长了氧化锆薄膜.通过扫描探针显微镜、分光光度计、X射线衍射、激光损伤阈值(LIDT)测量等,研究了沉积中氧分压对ZrO2薄膜的微结构、光学性质、激光损伤阈值等的影响.

 PDF全文中国激光 | 2004, 31(s1):519-521

 沉积温度对电子束蒸发沉积ZrO2薄膜性质的影响

邵淑英 范正修 范瑞瑛 贺洪波 邵建达

[摘要]ZrO2薄膜样品在不同的沉积温度下用电子束蒸发的方法沉积而成。利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)检测了ZrO2薄膜的晶体结构和表面形貌,发现室温下沉积ZrO2薄膜样品为非晶结构,随着沉积温度升高,ZrO2薄膜出现明...

 PDF全文中国激光 | 2004, 31(06):701-704

 ZrO2薄膜残余应力实验研究

邵淑英 范正修 范瑞瑛 邵建达

[摘要]采用ZYGO MarkⅢ-GPI数字波面干涉仪对电子束蒸发方法制备的ZrO2薄膜中的残余应力进行了研究,讨论了沉积温度、沉积速率等工艺参量对ZrO2薄膜残余应力的影响。实验结果表明

 PDF全文光学学报 | 2004, 24(04):437-441

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