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 基于InP衬底的晶格失配In0.68Ga0.32As的MOCVD生长及其特性研究

朱亚旗 陈治明 陆书龙 季莲 赵勇明 谭明

[摘要]采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3 μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变, 利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力, 在InP衬底上得到了与In0...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2013, 32(02):118-121

 In0.68Ga0.32As热光伏电池的制作和特性分析

谭明 季莲 赵勇明 朱亚旗 陈治明 陆书龙

[摘要]用在InP衬底上失配生长的能隙为0.6 eV的In0.68Ga0.32As制成了热光伏(TPV)电池。对其光伏特性的测试分析表明,通过对As组分渐变的InAsxP1-x缓冲层厚度的优化,可以将晶格失配引起的位错完全弛豫在缓冲层内,从而大幅改...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2012, 49(09):091603

 生长温度对6H-SiC上SiCGe薄膜发光特性的影响

李连碧 陈治明

[摘要]利用低压化学气相淀积工艺在6H-SiC衬底成功制备了SiCGe薄膜。通过光致发光(PL)谱研究了生长温度对SiCGe薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,1 030,1 060 ℃的SiCGe薄膜的室温光致发光峰分别位于2.13,2.1...

 PDF全文发光学报 | 2010, 31(03):373-374

 SiC1-xGex/SiC异质结光电二极管特性的研究

靳瑞英 陈治明 蒲红斌 隋晓红

[摘要]使用二维器件模拟软件Medici,对SiC1-xGex/SiC异质结的光电特性进行了模拟.设计了N型重掺杂SiC层的厚度为1μm,P型轻掺杂SiC1-xGex层厚为0.4μm,二者之间形成突变异质结.在反向偏压3 V、光强度为0.23 W/cm2的条件下,p-...

 PDF全文光子学报 | 2005, 34(02):205-208

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