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   将选定结果: 

 高速电视测量光学系统设计及其在航天靶场中的应用

王玉超 刘剑锋 赵宇 周袁 姚大为 田光龙 盛华雄 马忠权

[摘要]高速电视测量仪主要用于完成导弹和运载火箭发射试验任务中点火、起飞、飞离塔架过程中横向漂移量测量以及初始段高精度弹道测量、高帧频实况景象记录任务。为适应航天靶场测控任务的需要, 持续提升我国航天靶场的光学...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(08):1177

 基于丝网印刷的N型硅基太阳能电池的研制

陈东生 李凤 马忠权

[摘要]传统制备P型硅基太阳能电池的方法被应用到N型硅片上, 成功制备出n+np+结构的N型硅基太阳能电池。在制备过程中利用补偿法形成np+背结, 无需保护背面。最高效率为13.1%(Voc=0.58 V, Jsc=31.2 mA/cm2, FF=72.4%)。

 PDF全文光电子技术 | 2015, 35(02):78

 溅射压强对Sc掺杂ZnO薄膜绒面结构的影响

宋晨辰 赵占霞 马忠权 赵磊 孟凡英

[摘要]采用射频磁控溅射方法, 分别在0.5 Pa, 1.0 Pa, 1.5 Pa以及2.0 Pa的溅射压强下制备出了Sc:ZnO(SZO)薄膜, 并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计等设备对样品的晶体结构、表面形貌及光学性质进行了表...

 PDF全文光电子技术 | 2014, 34(01):11-15

 提高硅纳米墙光电器件背部欧姆接触的超声修饰方法

周平华 徐飞 杜汇伟 杨洁 石建伟 马忠权

[摘要]提供了一种硅纳米墙结构器件的背面电极接触改善方法。通过利用超声的方法修饰金属催化法制备的硅纳米墙结构,并制备了AZO/硅纳米墙异质结光电器件。研究发现超声波可以对金属催化法制备的纳米硅墙进行单面修饰,与未经...

 PDF全文光电子技术 | 2013, 33(04):274-278

 织构单晶硅表面上银纳米颗粒的制备及其反射性质研究

周丽丽 马忠权 杜汇伟 丁虎 石建伟 杨洁

[摘要]为减少光反射损失,通过热蒸发在织构单晶硅(经含有碱液和添加剂的特殊溶液80°C腐蚀30 min而成)表面上沉积了一定厚度的银膜后经一定温度(0~500°C)退火形成银纳米颗粒。SEM下观察到,银纳米颗粒的大小和形状与...

 PDF全文光电子技术 | 2012, 32(03):150-154

 沉积压强对非晶硅薄膜光学性能和微结构的影响

丁虎 马忠权 赵磊 杜汇伟 杨洁 周丽丽

[摘要]为研究沉积压强对非晶硅薄膜光学性能和结构的影响,通过改变沉积压强并采用射 频磁控溅射制备a-S:H薄膜。借助椭偏仪、紫外可见分光光度计和拉曼光谱来分析薄膜的光学性 能和微结构。研究发现,在较低沉积压强下薄膜的...

 PDF全文光电子技术 | 2012, 32(01):19-22

 Cu(In,Ga)Se2太阳能电池快速热退火效应

杨洁 陈东生 郑玲玲 杜汇伟 周平华 石建伟 徐飞 马忠权

[摘要]利用光致发光(PL)分析快速热退火对Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)电池的影响,研究退火对薄膜缺陷的影响。Cu(In,Ga)Se2电池的PL谱中总共有 7个峰,即2个可见波段峰和5个红外波段峰。退火温度较低,可减少薄膜体内缺陷,提高载流...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2012, 24(07):1629-1632

 基底温度对直流磁控溅射制备掺铝氧化锌薄膜性能的影响

杨昌虎 马忠权 袁剑辉

[摘要]采用直流磁控溅射工艺,使用掺铝氧化锌(AZO)陶瓷靶,在玻璃基底上制备出具有c轴择优取向的AZO透明导电薄膜。运用共焦显微拉曼光谱仪对AZO陶瓷靶的微结构进行了表征,对在不同基底温度下沉积出来的薄膜运用扫描电子显...

 PDF全文光学学报 | 2011, 31(05):0531001

 离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I–V、RD–V特性的研究(下)

何 波 徐 静 马忠权 史衍丽 赵 磊 李 凤 孟夏杰 沈 玲

[摘要]本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I–V特性的公式和方法,并应 用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I–V、RD–V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏 电导、二极管理想因子n随电压的分布...

 PDF全文红外 | 2009, 30(02):33-40

 离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I-V、RD-V特性的研究

何 波 徐 静 马忠权 史衍丽 赵 磊 李 凤 孟夏杰 沈 玲

[摘要]本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法,并应 用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏 电导、二极管理想因子n随电压的分布等反...

 PDF全文红外 | 2009, 30(01):1-7

 新型SINP硅光电池C-V/I-V特性及光谱响应的研究

何波 马忠权 赵磊 张楠生 李凤 沈玲 沈成 周呈悦 于征汕 吕鹏 殷宴庭

[摘要]在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO2/np 晶硅SINP结构光电池。高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X...

 PDF全文光电子技术 | 2009, 29(04):217-215

 HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面的研究

何波;上海大学 理学院物理系 上海 200444 马忠权;上海大学 理学院物理系 上海 200444 史衍丽 徐静 赵磊;上海大学 理学院物理系 上海 200444 李凤;上海大学 理学院物理系 上海 200444 沈成;上海大学 理学院物理系 上海 200444 沈玲;上海大学 理学院物理系 上海 200444

[摘要]报道了HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果。系统地介绍了HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,Br2-CH3OH与HgCdTe化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制。阐述了该钝化结构不...

 PDF全文光电子技术 | 2009, 29(02):82-88

 The Mechanism Analysis of HgCdTe pn JunctionFormed by Ion Beam Milling

何波 马忠权 史衍丽 徐静 赵磊 李凤 沈成 沈玲

[摘要]根据由离子束刻蚀HgCdTe pn结C-V曲线,判定其为线性缓变结;由1C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽度作为边界条件)积分计算出其电场分布、电势分布等重要结特性。并且进一步从微观理论分...

 PDF全文光电子技术 | 2009, 29(01):14-17

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