Hi，您目前在 全部期刊 '马紫光', 共找到 4个内容。

 全选/全不选  将选定结果：保存为一般参考文献格式保存为文本文件保存为XML文件保存为EndNote格式文件 

 基于量子阱带间跃迁的红外探测器原型器件

刘洁 王禄 江洋 马紫光 王文奇 孙令 贾海强 王文新 陈弘

[摘要]近期, 实验发现PN结中局域载流子具有极高提取效率, 并导致吸收系数的大幅度增加.文中报道基于上述现象的新型量子阱带间跃迁红外探测器原型器件的性能.利用含有InGaAs/GaAs多量子阱的PIN二极管, 在无表面减反射膜的实...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(02):129

 国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜

陈耀 王文新 黎艳 江洋 徐培强 马紫光 宋京 陈弘

[摘要]采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜，其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(09):896-901

 具有超晶格应力调制结构的绿光InGaN/GaN多量子阱的发光特性

王小丽 王文新 江洋 马紫光 崔彦翔 贾海强 宋京 陈弘

[摘要]研究了具有InGaN/GaN超晶格(SL)插入结构的绿光InGaN/GaN多量子阱(MQW)的发光特性。结构测试表明, SL插入结构并没有引起MQW中平均In组份的增加, 而是改变了In组份的分布, 形成了高In组份的量子点和低In组份量子阱。其...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(11):1152-1156

 SiN_x插入层的生长位置对GaN外延薄膜性质的影响

马紫光 王文新 王小丽 陈耀 徐培强 江洋 贾海强 陈弘

[摘要]系统研究了纳米量级的多孔SiNx 插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。高分辨X射线衍射测量结果表明: SiNx 插入层生长在GaN粗糙层上能够得到最好的晶体质量。利用测量结果分别计算出了螺位错和刃位错的密度。...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(10):1014-1019