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 基于间接跃迁模型的p+-GaAsSb费米能级研究

高汉超 尹志军 程伟 王元 许晓军 李忠辉

[摘要]重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料, 重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数, 这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质, 以及费米能级与Sb组分的...

 PDF全文发光学报 | 2013, 34(08):1057-1060

 界面生长中断对GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响

杨成良1 叶慧琪2 王文新2 高汉超2 胡长城3 刘宝利2 陈弘2

[摘要]用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上,采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs),通过室温发光光谱和时间分辨克尔旋转谱(TRKR)研究了界面生长中断对发光光谱半峰全宽(FWHM)和量子阱...

 PDF全文发光学报 | 2009, 30(02):214-218

 GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性

刘林生 刘肃 王文新 赵宏鸣 刘宝利 蒋中伟 高汉超 王佳 黄庆安 陈弘 周均铭

[摘要]GaAs (110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周期的变化.通过透射电子显微镜(TEM)、室温和低温光荧光谱(PL谱)对两种生长模式下的样品...

 PDF全文光学 精密工程 | 2007, 15(05):678-683

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