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   将选定结果: 

 真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响

王溪 周松敏 孙常鸿 魏彦峰 沈灏 林春

[摘要]对使用CdTe覆盖的HgCdTe材料在不同温度下进行了一系列的退火实验.研究发现, 退火可以改善电子束蒸发CdTe的晶体状态, 使CdTe和HgCdTe之间的界面状态得到改善.Au掺杂HgCdTe覆盖CdTe后, 真空条件下退火, 240℃和300℃对...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2018, 37(04):399

 HgCdTe薄膜的反局域效应

魏来明 刘新智 俞国林 高矿红 王奇伟 林铁 郭少令 魏彦峰 杨建荣 何力 戴宁 褚君浩

[摘要]利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品, 在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应, 说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线, 得到了电...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2013, 32(02):141-144

 砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能

李海滨 林春 陈兴国 魏彦峰 徐竟杰 何力

[摘要]采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5 μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6~5.3 μm之间,而其最大...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2012, 31(05):403-406

 长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件

李言谨 杨建荣 何 力 张勤耀 丁瑞军 方维政 陈新强 魏彦峰 巫 艳 陈 路 胡晓宁 王建新 倪云芝 唐红兰 王正官

[摘要]介绍了长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件的制备技术和达到的性能参数.探测器采用离子注入平面pn 结制备光敏元, 通过间接倒焊技术和读出电路互联, 采用8个256元焦平面模块拼接2048元线列焦平面器件.光敏 元的响应截...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2009, 28(02):90-92

 纤锌矿GaN薄膜光学性质的研究

李雪 魏彦峰 龚海梅 方家熊

[摘要]在测试大量纤锌矿GaN外延薄膜透射光谱基础上,通过对有代表性的四个样品的透射光谱进行拟合,获取了GaN外延薄膜的光学常量并计算了薄膜厚度.结果表明:GaN外延薄膜的折射率差异较小,但在370~800 nm波长范围内消光系数差...

 PDF全文光子学报 | 2007, 36(02):304-307

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