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 楔形模斑转换器的工艺研究

王筱 孙天玉 房丹 刘俊成 唐吉龙 方铉 王登魁 张宝顺 魏志鹏

[摘要]采用步进投影式光刻机的步进原理控制曝光剂量, 制备楔形模斑转换器.分析了不同曝光剂量对侧壁形貌的影响以及最佳的刻蚀参数.实验结果表明: 最佳曝光时间为20 ms/次, 回流温度为160℃, 时间为1 min, 当刻蚀气体及比例...

 PDF全文光子学报 | 2019, 48(06):0623001

 用于层间耦合的绝热光学倒锥工艺研究

刘俊成 孙天玉 贾慧民 王筱 唐吉龙 房丹 方铉 王登魁 张宝顺 魏志鹏

[摘要]针对光学倒锥窄尖的制备工艺困难的问题,通过特殊设计掩膜版,利用步进式光刻机,经过一次步进,对光刻胶进行两次连续的图案化处理,突破紫外光刻机的分辨率极限,制备出尖端接近50 nm的倒锥结构图案.再对光刻胶进行...

 PDF全文光子学报 | 2019, 48(12):1223003-1223003

 GaSb衬底外延InAs薄膜及光学性质研究

张健 唐吉龙 亢玉彬 方铉 房丹 王登魁 林逢源 魏志鹏

[摘要]利用分子束外延技术在GaSb(100)衬底上先生长作为缓冲层以降低薄膜失配度的低Sb组分的三元合金InAsSb,再生长InAs薄膜.在整个生长过程中通过反射高能电子衍射仪进行实时原位监测.InAs薄膜生长过程中,电子衍射图案显示了...

 PDF全文光子学报 | 2019, 48(10):1031002

 CdSe量子点敏化对GaAs发光特性的影响

刘展 林逢源 高美 方铉 房丹 王登魁 唐吉龙 王晓华 魏志鹏

[摘要]为了探究量子点敏化对GaAs衬底发光性能的影响,采用化学沉积法制备了CdSe量子点,将量子点沉积在GaAs衬底上进行敏化。采用X射线衍射测试确认物相,利用扫描电子显微镜对量子点的形貌进行表征,并通过荧光光谱测试对CdSe量...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(08):0811002

 980 nm高功率DBR半导体激光器的设计及工艺

乔闯 苏瑞巩 李翔 房丹 方铉 唐吉龙 张宝顺 魏志鹏

[摘要]设计并制作了非对称大光腔波导结构,利用分布布拉格反射技术,实现了980 nm 波段高功率半导体激光器的稳定输出。在实验过程中,采用电子束光刻技术,结合感应耦合等离子刻蚀工艺,利用SiO2作为硬掩模,并通过减小Ar离子的束...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(07):0701002

 退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响

郭德双 陈子男 王登魁 唐吉龙 方铉 房丹 林逢源 王新伟 魏志鹏

[摘要]研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响, 结果发现:AZO薄膜在600 ℃退火后, X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°, 晶体质量得到提升; 600 ℃退火后...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(04):0403002

 垂直腔面发射激光器氧化孔结构对器件激射性能的影响

梁静 贾慧民 冯海通 唐吉龙 房丹 苏瑞巩 张宝顺 魏志鹏

[摘要]为实现894.6 nm低阈值、高稳定性、单模激光输出, 设计了具有不同台面刻蚀结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件, 研究了台面直径和氧化孔结构对器件激射性能的影响。研究结果表明: VCSEL台面直径越大, 阈值电流越大;...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(03):0301001

 Ar等离子体处理对GaAs纳米线发光特性的影响

高美 李浩林 王登魁 王新伟 方铉 房丹 唐吉龙 王晓华 魏志鹏

[摘要]采用Ar等离子体处理GaAs纳米线,通过光致发光测试研究了等离子体偏压功率对GaAs纳米线发光性能的影响。在不同测试温度和不同激发功率密度下,研究了发光光谱各个发光峰的来源和机制。研究结果表明:随着功率增加,Ga...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(02):0211005

 高应变InxGa1-xAs薄膜的结晶质量及光学特性

亢玉彬 唐吉龙 张健 方铉 房丹 王登魁 林逢源 魏志鹏

[摘要]通过分子束外延(MBE)生长技术,在GaAs(100)基片上生长出单晶InxGa1-xAs薄膜,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对InxGa1-xAs薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,结果显示该薄膜为高质量薄膜,且In组分...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(02):0203002

 衬底钝化处理对CsPbBr3量子点薄膜发光稳定性影响

赵海霞 王新伟 李如雪 王登魁 方 铉 房 丹 魏志鹏 王晓华

[摘要]钙钛矿量子点因具有发光谱线窄、 发光效率高、 发光波长可调谐等优异的光学性能, 在照明、 显示、 激光和太阳能电池等领域得到了广泛研究。 然而, 钙钛矿材料的稳定性问题, 一直制约着其在光电器件中的应用。 其中, ...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2019, 39(06):1706

 ZnO/ZnS核壳纳米线界面缺陷的形成及发光特性研究

赵海霞 方 铉 王颜彬 房 丹 李永峰 王登魁 王晓华 楚学影 张晓东 魏志鹏

[摘要]ZnO/ZnS核壳纳米结构因具有优异的光电特性, 在光电子领域极具应用前景, 其依靠核壳结构界面处载流子的束缚效应可更加有效地控制载流子的产生、传输和复合过程。为讨论ZnO/ZnS核壳结构界面状态及其相应的光学特性, 生...

 PDF全文中国光学 | 2019, 12(04):872

 ITO薄膜表面等离子体共振波长的可控调节

蔡昕旸 王新伟 李如雪 王登魁 方铉 房丹 张玉苹 孙秀平 王晓华 魏志鹏

[摘要]采用直流磁控溅射的方式,在浮法玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过改变薄膜沉积时间,制备出不同厚度的ITO薄膜。随着膜厚由16 nm逐渐增大到271 nm,其结晶程度得到增强,对应的载流子浓度由4.79×1020 cm...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(05):051602

 快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响

智民 方铉 牛守柱 房丹 唐吉龙 王登魁 王新伟 王晓华 魏志鹏

[摘要]研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800 ℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升;当退火温度为900 ℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(05):051603

 980 nm锥形半导体激光器刻蚀工艺

乔闯 苏瑞巩 房丹 唐吉龙 方铉 王登魁 张宝顺 魏志鹏

[摘要]为了解决半导体激光器传统刻蚀工艺中侧壁陡直度差和器件难以重复制作的问题, 利用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的刻蚀手段, 对980 nm锥形半导体激光器刻蚀工艺进行优化.通过对台面粗糙度与刻蚀速度的研究, 确定湿法腐蚀液...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(09):0914003

 基于时域有限差分法的Au纳米天线增强消光特性研究

谭伟 杨存 唐吉龙 王登魁 方铉 王新伟 房丹 魏志鹏 王晓华

[摘要]利用时域有限差分法研究了Au纳米天线对GaSb纳米线的消光增强.通过分析不同形状Au纳米阵列的电场特性和光学特性, 发现三角形为最优结构, 并具有高强度共振吸收峰和高的电场增强倍数.分别对三角形尺寸和纳米线的间距进...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(05):0516006

 表面硫钝化对GaAs材料光响应特性的影响

夏宁 方铉 容天宇 王登魁 房丹 唐吉龙 王新伟 王晓华 李永峰 姚斌 魏志鹏

[摘要]采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利于表面态密度...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(06):0603002

 基于组分调节减小AZO表面等离子体损耗的研究

陈子男 王登魁 魏志鹏 方铉 房丹 王新伟 王晓华

[摘要]在蓝宝石衬底上制备了具有不同铝(Al)掺杂浓度的掺铝氧化锌(AZO)薄膜, 并对其进行了紫外-可见吸收光谱、霍尔效应、折射率及介电常数测试, 研究了Al组分对AZO薄膜的光电、表面等离子体性质的影响。随着Al组分浓度的逐渐...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(05):0503001

 ZnO纳米线表面改性及其光学性质

胡颖 李浩林 王登魁 贾慧民 魏志鹏 王晓华 方铉 房丹 王新伟

[摘要]利用Ar+等离子体处理ZnO纳米线, 通过对不同处理时间后的样品进行变温光谱测试, 分析了处理前后ZnO发光性质的变化。结果表明:随着处理时间的增加, 其室温带边发光强度先增加后减小, 处理90 s时是原生样品的2.45倍, 位...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(10):1003002

 GaSb基PECVD法制备SiO2薄膜的应力研究

王志伟 郝永芹 李洋 谢检来 王霞 晏长岭 魏志鹏 马晓辉

[摘要]为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO2薄膜, 研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件, 如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(07):935

 PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响

陈芳 方铉 王双鹏 牛守柱 方芳 房丹 唐吉龙 王晓华 刘国军 魏志鹏

[摘要]研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA, 在300 ℃、350 ℃和370 ℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的AlN层, 并讨论了AlN薄膜的生...

 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(04):0421001

 2 μm半导体激光器有源区量子阱数的优化设计

安 宁 刘国军 李占国 李 辉 席文星 魏志鹏 马晓辉

[摘要]利用LASTIP软件理论分析了有源区量子阱数目对不同组分的InGaAsSb/AlGaAsSb 2 μm半导体激光器能带、电子与空穴浓度分布以及辐射复合率等性能参数的影响。研究表明:量子阱的个数是影响激光器件性能的关键参数,需要综...

 PDF全文红外与激光工程 | 2015, 44(07):1969

 ZnO/ZnFe2O4复合纳米粒子的制备及其特性研究

高 娴 贾慧民 方 铉 刘 鹤 唐吉龙 房 丹 王双鹏 赵海峰 李金华 方 芳 楚学影 王 菲 王晓华 徐 莉 马晓辉 魏志鹏

[摘要]利用水热法制备了ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光光谱(PL)对退火前后的ZnO/ZnFe2O4纳米粒子进行表征。研究结果表明,退火后的ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子表现出更好的形貌和...

 PDF全文红外与激光工程 | 2015, 44(07):2110

 2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究

安宁 刘国军 刘超 李占国 刘鹏程 魏志鹏 方玄 马晓辉

[摘要]为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率, 设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构, 并利用SimLastip软件对器件进行了数值模拟。研究表明, 在势垒中适当引入张应变可以改善量子阱的能带结构, 提...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(02):205

 扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究

陈芳 房丹 王双鹏 方铉 唐吉龙 赵海峰 方芳 楚学影 李金华 王菲 王晓华 刘国军 马晓辉 魏志鹏

[摘要]采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700 ℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜.样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出...

 PDF全文光谱学与光谱分析 | 2015, 35(07):1787

 基于延时自外差法的窄线宽激光谱宽测量

魏志鹏

[摘要]详细介绍了延时自外差法测激光线宽的理论模型与测量原理,得到了光电流的功率谱密度函数,并进行了软件仿真,分析并讨论了延时光纤长短对测量结果的影响,提出了在延时光纤长度不足条件下求解超窄激光线宽数值解的新...

 PDF全文光学与光电技术 | 2015, 13(03):38

 化学气相沉积法制备Zn2GeO4纳米线及其发光性质的研究

周政 李金华 方芳 楚学影 方铉 魏志鹏 王晓华

[摘要]利用化学气相沉积法(CVD),气-液-固(VLS)生长法则在表面溅有金属Au催化剂层的1 cm×1 cm的Si片上制备三元Zn2GeO4纳米线。X射线衍射仪(XRD)测试结果表明,锌源与锗源质量比为8∶1时可成功制备出Zn2GeO4纳米结构...

 PDF全文中国光学 | 2014, 7(02):281-286

 镉掺杂氧化锌纳米花的制备及其光催化活性

翟英娇 李金华 陈新影 宋星慧 任航 方铉 方芳 楚学影 魏志鹏 王晓华

[摘要]以氯化锌、氯化镉、氢氧化钠为原料,采用水热法合成Cd掺杂纳米花状ZnO光催化剂,并通过该样品对罗丹明B水溶液的降解来研究其光催化活性。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、光致发光谱...

 PDF全文中国光学 | 2014, 7(01):124-130

 硬X射线聚焦波带片的设计及制作

付杰 王晓华 李金华 方铉 魏志鹏

[摘要]针对惯性约束性聚变(ICF)实验中高分辨靶源辐射成像的需要, 对结合电子束光刻和X 射线光刻制作大高宽比菲涅尔波带片的制作工艺进行了研究。首先采用带有自支撑薄膜的衬底进行电子束光刻和微电镀技术来制作X射线光刻掩...

 PDF全文光电工程 | 2014, 41(03):7-12

 形貌依赖的ZnO阴极射线发光性质研究

吕珊珊 楚学影 王记萍 方芳 李金华 方铉 魏志鹏 王晓华

[摘要]采用溶剂热法, 通过调节水和乙醇混合液的比例制备了多种形貌的ZnO微米结构。利用扫描电子显微镜(SEM)对ZnO微米结构的形貌及尺寸进行了观察。采用可以实现纳米级微观区域光谱采集的阴极射线发光(CL)技术, 对不同形貌的...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(06):672-677

 自支撑Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列及其光学性质

王许杰 方芳 楚学影 方铉 李金华 魏志鹏 王晓华

[摘要]利用简单、温和的二步水浴法制备一种大面积自支撑、可自由迁移的Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、元素能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、室温和变温光致发光谱(PL)等一系列表征手段对所制备的...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(03):306-311

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