%0 Journal Article %T β-Ga2O3 单晶NH3中氮化的研究 %O Chin. Opt. Lett. %A 李星 %A 夏长泰 %A 何肖丽 %A 裴广庆 %A 张俊刚 %A 徐军 %J Chinese Optics Letters %@ 1671-7694 %V 6 %N 4 %D 2008 %P 282-285 %K 材料处理;表面;光电子学;拉曼散射;光致发光 %X 为了将β-Ga2O3单晶应用于作为外延生长优质GaN薄膜的衬底材料,本文对β-Ga2O3 (100)进行了氮化处理,并且主要讨论了氮化温度以及β-Ga2O3表面的粗糙程度对GaN形成的影响。我们发现,最理想的氮化温度在900oC。此时,在抛光的β-Ga2O3的表面上生成了一层具有六方结构并且有择优取向的GaN层。本文同时也对氮化的机理进行了讨论。 %R %U http://www.opticsjournal.net/Articles/Abstract?aid=OJ080421000311A7D0Gc %W 中国光学期刊网 %1 JIS Version 3.0.0